申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

申请日：2020-08-31

公开（公告）日：2020-12-08

公开（公告）号：CN112052636A

主分类号：G06F30/3308(20200101)

分类号：G06F30/3308(20200101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.12.25#实质审查的生效;2020.12.08#公开

摘要：本发明公开了一种基于BSIMSOI的FDSOIMOSFET器件建模方法及装置，应用于集成电路设计领域，包括：根据FDSOIMOSFET器件提取正沟道模型参数和背沟道模型参数；基于正沟道模型参数和BSIMSOI标准模型生成BSIMSOI正沟道器件模型，以及基于背沟道模型参数和BSIMSOI标准模型生成BSIMSOI背沟道器件模型；将BSIMSOI背沟道器件模型以受控源形式与BSIMSOI正沟道器件模型进行连接，以得到目标FDSOIMOSFET器件模型。通过本发明大幅度提高了背沟道开启情况下的器件模型精度。

主权项：1.一种基于BSIMSOI的FDSOIMOSFET器件建模方法，其特征在于，包括：根据FDSOIMOSFET器件提取正沟道模型参数和背沟道模型参数；基于所述正沟道模型参数和BSIMSOI标准模型生成BSIMSOI正沟道器件模型，以及基于所述背沟道模型参数和BSIMSOI标准模型生成BSIMSOI背沟道器件模型；将所述BSIMSOI背沟道器件模型以受控源形式与所述BSIMSOI正沟道器件模型进行连接，以得到目标FDSOIMOSFET器件模型。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所 基于BSIMSOI的FDSOI MOSFET器件建模方法及装置

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