申请/专利权人：山东华芯半导体有限公司

申请日：2020-09-18

公开（公告）日：2020-12-29

公开（公告）号：CN112151101A

主分类号：G11C16/26(20060101)

分类号：G11C16/26(20060101);G11C16/08(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.03.14#授权;2021.01.15#实质审查的生效;2020.12.29#公开

摘要：本发明公开一种扫描TLCNANDFlash最优读参数的方法，使用阈值梯度下降方法对NANDFlash进行扫描，执行扫描时不需要了解Block内存储的数据内容，并且不受NANDFlash的磨损状况限制，根据用户输入的阈值快速准确的找到NANDFlash的最优读参数，扫描过程不需要用户参与，扫描的基准数据长度可以灵活配置。本方法在NANDFlashshiftread基础上通过对NANDFlash错误数的扫描获取当前状态下NANDFlash的最优读取参数，从而进一步提升NANDFlash保存数据的稳定性。

主权项：1.一种扫描TLCNANDFlash最优读参数的方法，其特征在于：包括以下步骤：S01）、获取整个block的最大错误位数量BECmax，以整个Block的BECmax作为基础参考值BECcmp；S02）、设定下降幅度BECdec和扫描阈值BECthr，判断BECcmp–BECdec与BECthr的关系，如果BECcmp–BECdec＞BECthr，则将BECcmp–BECdec作为参考阈值，如果小于则以BECthr作为参考阈值；S03）、以步骤S02确定的参考阈值进行block最优读参数扫描，记录本次扫描整个block的BEC‘max；S04）、判断BEC‘max与BECthr的关系，如果BEC‘max小于BECthr，则将扫描结果进行记录并退出；如果大于则将本次扫描的BEC‘max作为下次梯度下降的基础参考值BECcmp，执行步骤S02至S04。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 山东华芯半导体有限公司 一种扫描TLC NANDFlash最优读参数的方法

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