申请/专利权人：扬州工业职业技术学院

申请日：2020-09-22

公开（公告）日：2020-12-29

公开（公告）号：CN112147204A

主分类号：G01N27/416(20060101)

分类号：G01N27/416(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.07.07#授权;2021.01.15#实质审查的生效;2020.12.29#公开

摘要：本发明公开了一种毒死蜱分子印迹光电化学传感器及其制备方法，该光电化学传感器包括参比电极、辅助电极和工作电极，工作电极为分子印迹电极，分子印迹电极包括导电基体及负载于导电基体上的复合材料，复合材料为聚3‑己基噻吩修饰的碘氧化铋。制备上述光电化学传感器的制备方法，在导电基体表面通过涂覆和SILAR法制得BiOINFsP3HTITO电极，通过将交联剂、功能单体、引发剂的混合溶剂滴涂到上述电极表面，经过加热聚合，去除模板分子毒死蜱，制得洗脱毒死蜱后的MIPBiOINFsP3HTITO电极。该传感器应用于水样中毒死蜱检测，具有较高的选择性识别能力、良好的再生性和稳定性，制作简单、便于携带。

主权项：1.一种毒死蜱分子印迹光电化学传感器，包括参比电极、辅助电极和工作电极构成的三电极体系，其特征在于，所述工作电极为分子印迹电极，所述分子印迹电极包括导电基体及负载于导电基体上的复合材料，所述复合材料为聚3-己基噻吩修饰的碘氧化铋。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 扬州工业职业技术学院 一种毒死蜱分子印迹光电化学传感器及其制备方法

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