申请/专利权人：瀚宇彩晶股份有限公司

申请日：2019-07-05

公开（公告）日：2021-01-05

公开（公告）号：CN112185248A

主分类号：G09F9/30(20060101)

分类号：G09F9/30(20060101);G06F3/041(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的视为撤回

法律状态：2023.03.10#发明专利申请公布后的视为撤回;2021.01.22#实质审查的生效;2021.01.05#公开

摘要：本发明提供一种像素结构，其包括第一金属层、栅绝缘层、第二金属层、第一层间绝缘层、第一导电层、第二层间绝缘层以及第二导电层。第一金属层包括栅极以及扫描线。扫描线沿第一方向延伸。栅绝缘层设置于第一金属层上。第二金属层设置于栅绝缘层上。第二金属层包括源极、漏极、数据线以及感测线。数据线沿第二方向延伸。感测线包括主干以及延伸部。主干沿第一方向延伸。延伸部沿第二方向延伸。延伸部与扫描线对应地设置。第一层间绝缘层设置于第二金属层上。第一导电层设置于第一层间绝缘层上。第二层间绝缘层设置于第一导电层上。第二导电层设置于第二层间绝缘层上。

主权项：1.一种像素结构，其特征在于，包括：第一金属层，包括栅极以及扫描线，其中所述扫描线沿第一方向延伸；栅绝缘层，设置于所述第一金属层上；第二金属层，设置于所述栅绝缘层上，包括源极、漏极、数据线以及感测线，其中所述数据线沿第二方向延伸，所述感测线包括：主干，沿所述第二方向延伸；以及延伸部，沿所述第一方向延伸，其中所述延伸部与所述扫描线对应地设置；第一层间绝缘层，设置于所述第二金属层上；第一导电层，设置于所述第一层间绝缘层上；第二层间绝缘层，设置于所述第一导电层上；以及第二导电层，设置于所述第二层间绝缘层上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 瀚宇彩晶股份有限公司 像素结构

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