申请/专利权人：广东工业大学

申请日：2020-10-27

公开（公告）日：2021-01-05

公开（公告）号：CN112187199A

主分类号：H03F3/45(20060101)

分类号：H03F3/45(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.05.05#授权;2021.01.22#实质审查的生效;2021.01.05#公开

摘要：本申请公开了一种运算跨导放大器，通过最大电流选择电路的两个MOS管对主放大器中的输入差分支路电流分别进行采样，相较于现有的自适应偏置型OTA，输入级有源负载处并联的电流采样管更少，从而减小了内部节点的寄生电容，提高了相位裕度，并选出输入差分支路电流的最大值输入到电流比较电路进行电流比较处理，电流比较电路输出逻辑控制电平以控制摆率增强器件的导通和关断，用于进行摆率提升，使得静态和小信号情况下摆率增强器件都不开启，提高了线性度；当大信号阶跃输入时，同等静态功耗下，得到了更好的摆率。解决了现有的运算跨导放大器摆率提升能力较差且相位裕度和线性度较低的技术问题。

主权项：1.一种运算跨导放大器，其特征在于，包括：主放大器、最大电流选择电路、电流比较电路和摆率增强器件；所述最大电流选择电路包括：MOS管M9、MOS管M10、MOS管M13、MOS管M14、MOS管M15、MOS管M16和MOS管M17，且所述MOS管M13、所述MOS管M14、所述MOS管M15、所述MOS管M16和MOS管M17的尺寸均相同；所述电流比较电路包括：MOS管M11、MOS管M12和MOS管M18；所述摆率增强器件为：MOS管M19；所述MOS管M9和所述MOS管M10的栅极均与所述主放大器的输入级的有源负载栅极相连，用于采集所述主放大器的输入差分支路电流，源极均与电压源VDD相连；所述MOS管M9的漏极分别与所述MOS管M13和所述MOS管M16的漏极相连，所述MOS管M13的栅极分别与其漏极和所述MOS管M14的栅极相连，所述MOS管M14和所述MOS管M15的漏极均与所述MOS管M11的漏极相连，所述MOS管M15的栅极与所述MOS管M16的栅极相连，所述MOS管M16的栅极与所述MOS管M17的栅极相连，所述MOS管M17的栅极与其漏极相连，所述MOS管M17的漏极与所述MOS管M10的漏极相连；所述MOS管M13、所述MOS管M14、所述MOS管M15、所述MOS管M16和所述MOS管M17的源极均接地；所述MOS管M11和所述MOS管M12的源极均与所述电压源VDD相连，所述MOS管M11的栅极与其漏极和所述MOS管M12的栅极相连，所述MOS管M12的漏极与所述MOS管M18的漏极相连，所述MOS管M18的源极接地，所述MOS管M18的栅极接偏置电压Vb；所述MOS管M19的栅极与所述MOS管M18的漏极相连，漏极与所述主放大器的输入差分对管的共源端相连，源极接地。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 广东工业大学 一种运算跨导放大器

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