申请/专利权人:上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日:2020-10-27
公开(公告)日:2021-01-05
公开(公告)号:CN112185839A
主分类号:H01L21/66(20060101)
分类号:H01L21/66(20060101);H01L23/544(20060101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2022.11.18#授权;2021.01.22#实质审查的生效;2021.01.05#公开
摘要:本发明提供了一种钝化层测试结构。所述钝化层测试结构包括:衬底,所述衬底的至少一部分表面上形成有结构层,所述结构层包括多根导电线,所述导电线包括至少一个台阶型结构;所述衬底和所述结构层的表面形成有钝化层。本发明提供的所述钝化层测试结果通过提供一种台阶型的钝化层测试结构,有效地检测了钝化层的特殊位置,尤其是钝化层的拐角区域是否存在缺陷,从而检验了半导体器件中钝化层的完整性。与现有的钝化层测试结构相比,采用本发明提供的钝化层测试结构进行钝化层完整性测试的测试结果具有更高的可靠性。
主权项:1.一种钝化层测试结构,用于测试钝化层的完整性,其特征在于,包括:衬底,所述衬底的至少一部分表面上形成有结构层,所述结构层包括多根导电线,所述导电线包括至少一个台阶型结构;所述衬底和所述结构层的表面形成有钝化层。
全文数据:
权利要求:
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