申请/专利权人：深圳市道尔顿电子材料有限公司

申请日：2020-10-29

公开（公告）日：2021-01-05

公开（公告）号：CN112175186A

主分类号：C08G73/10(20060101)

分类号：C08G73/10(20060101);C08J5/18(20060101);C08L79/08(20060101);C08L63/00(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.12.20#授权;2021.01.22#实质审查的生效;2021.01.05#公开

摘要：本发明提供一种聚酰亚胺材料及其制备方法、聚酰亚胺薄膜及其制备方法。聚酰亚胺材料，其原料包括四羧酸二酐、第一二胺化合物和第二二胺化合物；所述第一二胺化合物的结构式为：聚酰亚胺材料的制备方法包括：将包括第一二胺化合物、第二二胺化合物和四羧酸二酐在内的原料混合，反应得到聚酰胺酸；将包括所述聚酰胺酸和脱水剂在内的物料混合，脱水环化得到所述聚酰亚胺材料。聚酰亚胺薄膜的制备方法包括：将包括所述聚酰亚胺材料在内的原料加热制备得到所述聚酰亚胺薄膜。聚酰亚胺薄膜，使用所述的制备方法制得。本申请提供的聚酰亚胺材料，热膨胀系数低，耐溶剂性和机械性能好，透明度高。

主权项：1.一种聚酰亚胺材料，其特征在于，其原料包括四羧酸二酐、第一二胺化合物和第二二胺化合物；所述第一二胺化合物的结构式为： 其中，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8均选自H或CF3且R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8中至少有一个为CF3；所述第二二胺化合物为不含酯键但含有CF3的二胺化合物。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳市道尔顿电子材料有限公司 聚酰亚胺材料及其制备方法、聚酰亚胺薄膜及其制备方法

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