申请/专利权人：上海交通大学

申请日：2020-10-30

公开（公告）日：2021-01-05

公开（公告）号：CN112186321A

主分类号：H01P3/18(20060101)

分类号：H01P3/18(20060101);H01P5/00(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2022.08.19#发明专利申请公布后的驳回;2021.01.22#实质审查的生效;2021.01.05#公开

摘要：本发明提供了一种加脊方同轴基片集成波导互连装置，包括外导体、内导体，外导体与内导体之间设置有介质；所述加脊方同轴基片集成波导互连装置的物理结构自上而下分为五层，第一层为金属层L1，第二层为介质层L2，第三层为金属层L3，第四层为介质层L4，第五层为金属层L5。本发明所述的加脊方同轴基片集成波导结构为准封闭式结构，采用TEM模式传输信号，可以用作电路板级芯片级的互连线电路，相比于方同轴基片集成波导互连结构，本发明所述加脊方同轴基片集成波导互连装置继承了损耗小、时延串扰低、抗电磁干扰能力强的优点，且有效减小了结构尺寸并拓宽的主模带宽，适合于吉比特以上的高速数据传输。

主权项：1.一种加脊方同轴基片集成波导互连装置，其特征在于，包括自上而下依次设置的五层物理结构，其中第一层为金属层L1，第二层为介质层L2，第三层为金属层L3，第四层为介质层L4，第五层为金属层L5；在金属层L1与金属层L5之间设置有金属化通孔阵列，所述金属化通孔阵列贯穿所述第一层至第五层，且由沿所述加脊方同轴基片集成波导互连装置的长度方向呈两列排列的金属化通孔构成；金属层L3包含两外侧金属和一中间金属，两外侧金属即所述加脊方同轴基片集成波导互连装置的脊，两外侧金属被金属化通孔贯穿；金属层L3中间金属构成内导体；金属层L1、金属层L3两外侧金属、金属层L5、金属化通孔阵列构成外导体；外导体与内导体之间设置有介质；介质层L2、介质层L4构成填充于外导体与内导体之间的介质。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海交通大学 加脊方同轴基片集成波导互连装置

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