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【发明公布】标记的制造方法_力晶积成电子制造股份有限公司_201910664807.8 

申请/专利权人:力晶积成电子制造股份有限公司

申请日:2019-07-23

公开(公告)日:2021-01-05

公开(公告)号:CN112185934A

主分类号:H01L23/544(20060101)

分类号:H01L23/544(20060101);H01L21/768(20060101)

优先权:["20190705 TW 108123773"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2022.08.16#授权;2021.01.22#实质审查的生效;2021.01.05#公开

摘要:本发明公开一种标记的制造方法,包括以下步骤。提供基底。基底包括元件区与标记区。在基底上形成介电层。在元件区的介电层中形成双重金属镶嵌开口。双重金属镶嵌开口包括彼此相连的第一开口与第二开口。第二开口的宽度大于第一开口的宽度。在标记区的介电层中形成第三开口。第三开口与第一开口由同一道制作工艺同时形成。在双重金属镶嵌开口的表面上与第三开口的表面上形成阻障材料层。阻障材料层封住第三开口,而在第三开口中形成孔洞。在阻障材料层上形成金属材料层。移除双重金属镶嵌开口外部与第三开口外部的金属材料层与阻障材料层。

主权项:1.一种标记的制造方法,包括:提供基底,其中所述基底包括元件区与标记区;在所述基底上形成介电层;在所述元件区的所述介电层中形成双重金属镶嵌开口,其中所述双重金属镶嵌开口包括彼此相连的第一开口与第二开口,所述第二开口位于所述第一开口的上方,且所述第二开口的宽度大于所述第一开口的宽度;在所述标记区的所述介电层中形成第三开口,其中所述第三开口与所述第一开口由同一道制作工艺同时形成;在所述双重金属镶嵌开口的表面上与所述第三开口的表面上形成阻障材料层,其中所述阻障材料层封住所述第三开口,而在所述第三开口中形成孔洞;在所述阻障材料层上形成金属材料层,其中所述金属材料层填入所述双重金属镶嵌开口中;以及移除所述双重金属镶嵌开口外部与所述第三开口外部的所述金属材料层与所述阻障材料层,而在所述双重金属镶嵌开口中形成第一阻障层与双重金属镶嵌结构,且在所述第三开口中形成第二阻障层。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 力晶积成电子制造股份有限公司 标记的制造方法

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