申请/专利权人：乐金显示有限公司

申请日：2020-06-30

公开（公告）日：2021-01-05

公开（公告）号：CN112186004A

主分类号：H01L27/32(20060101)

分类号：H01L27/32(20060101);H01L29/423(20060101);H01L29/786(20060101);H01L27/12(20060101)

优先权：["20190704 KR 10-2019-0080636","20191231 KR 10-2019-0180098"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.01.22#实质审查的生效;2021.01.05#公开

摘要：公开一种显示设备。所述显示设备包括：设置在器件基板上的氧化物半导体图案，所述氧化物半导体图案包括设置在源极区域和漏极区域之间的沟道区域；与所述氧化物半导体图案的沟道区域交叠的栅极，所述栅极具有叠置有第一氢阻挡层和栅极导电层的结构；以及设置在所述氧化物半导体图案和所述栅极之间的栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜暴露所述氧化物半导体图案的源极区域和漏极区域，其中所述栅极暴露所述栅极绝缘膜的与所述源极区域邻近的一部分以及所述栅极绝缘膜的与所述漏极区域邻近的一部分。

主权项：1.一种显示设备，包括：设置在器件基板上的氧化物半导体图案，所述氧化物半导体图案包括设置在源极区域和漏极区域之间的沟道区域；与所述氧化物半导体图案的沟道区域交叠的栅极，所述栅极具有叠置有第一氢阻挡层和栅极导电层的结构；以及设置在所述氧化物半导体图案和所述栅极之间的栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜暴露所述氧化物半导体图案的源极区域和漏极区域，其中所述栅极暴露所述栅极绝缘膜的与所述源极区域邻近的一部分以及所述栅极绝缘膜的与所述漏极区域邻近的一部分。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 乐金显示有限公司 显示设备

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