申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2020-07-02

公开（公告）日：2021-01-05

公开（公告）号：CN112185966A

主分类号：H01L27/11519(20170101)

分类号：H01L27/11519(20170101);H01L27/11524(20170101);H01L27/11556(20170101);H01L27/11565(20170101);H01L27/1157(20170101);H01L27/11582(20170101)

优先权：["20190705 KR 10-2019-0081435"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.06.17#实质审查的生效;2021.01.05#公开

摘要：一种半导体器件包括：衬底上的竖直结构；以及衬底上的层间绝缘层和栅极层，其中，栅极层顺序堆叠在存储单元阵列区中并延伸到延伸区中，栅极层在延伸区中具有呈阶梯结构的焊盘区，第一竖直结构的表面面对栅极层，第二竖直结构的表面面对至少一个栅极层，第一竖直结构包括第一芯图案、第一半导体层和焊盘图案，第二竖直结构包括第二芯图案和第二半导体层，每个芯图案包括绝缘材料，并且第二半导体层的上表面和第二芯图案的上表面距衬底比第一芯图案的上表面距衬底更远。

主权项：1.一种半导体器件，包括：衬底上的第一竖直结构；所述衬底上的第二竖直结构；以及交替重复堆叠在所述衬底上的层间绝缘层和栅极层，其中：所述栅极层顺序堆叠在所述衬底的存储单元阵列区中并且延伸到所述衬底的与所述衬底的所述存储单元阵列区相邻的延伸区中，所述栅极层在所述延伸区中具有被布置成具有阶梯结构的焊盘区，所述第一竖直结构的侧表面面对所述存储单元阵列区中的所述栅极层，所述第二竖直结构的侧表面面对所述延伸区中的至少一个所述栅极层，所述第一竖直结构包括第一芯图案、所述第一芯图案的侧表面上的第一半导体层和所述第一芯图案的上表面上的焊盘图案，所述第二竖直结构包括第二芯图案和所述第二芯图案的侧表面上的第二半导体层，所述第一芯图案和所述第二芯图案各自包括绝缘材料，以及所述第二半导体层的上表面和所述第二芯图案的上表面距所述衬底比所述第一芯图案的所述上表面距所述衬底更远。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 包括栅极层和竖直结构的半导体器件

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