申请/专利权人:东京毅力科创株式会社
申请日:2020-07-03
公开(公告)日:2021-01-05
公开(公告)号:CN112185812A
主分类号:H01L21/311(20060101)
分类号:H01L21/311(20060101);H01L21/67(20060101);H01L27/11524(20170101);H01L27/11551(20170101);H01L27/1157(20170101);H01L27/11578(20170101)
优先权:["20190705 JP 2019-126424","20200428 JP 2020-079687"]
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2022.05.06#实质审查的生效;2021.01.05#公开
摘要:提供一种蚀刻处理方法,其能够提高基底层相对于蚀刻对象膜的选择比。该蚀刻处理方法包括:在处理容器内准备形成有层叠膜的基板的工序,该层叠膜至少具有含硅绝缘层、布置在所述含硅绝缘层的下层的基底层、以及布置在所述含硅绝缘层的上层的掩模层;供给至少包含氟碳化合物气体和稀有气体的处理气体的工序;以及在供给有所述处理气体的处理容器内产生等离子体以对所述层叠膜进行蚀刻的工序,其中,所述稀有气体包含第一气体,该第一气体的电离能高于Ar气体,并且电离的单个颗粒具有的动量低于电离的Ar气体的单个颗粒的动量。
主权项:1.一种蚀刻处理方法,包括:在处理容器内准备形成有层叠膜的基板的工序,该层叠膜至少具有含硅绝缘层、布置在所述含硅绝缘层的下层的基底层、以及布置在所述含硅绝缘层的上层的掩模层;供给至少包含氟碳化合物气体和稀有气体的处理气体的工序;以及在供给有所述处理气体的处理容器内产生等离子体以对所述层叠膜进行蚀刻的工序,其中,所述稀有气体包含第一气体,该第一气体的电离能高于Ar气体,并且电离的单个颗粒具有的动量低于电离的Ar气体的单个颗粒的动量。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 东京毅力科创株式会社 蚀刻处理方法及基板处理装置
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。