申请/专利权人：派恩杰半导体(杭州)有限公司

申请日：2020-08-28

公开（公告）日：2021-01-05

公开（公告）号：CN112186027A

主分类号：H01L29/06(20060101)

分类号：H01L29/06(20060101);H01L29/423(20060101);H01L29/78(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2024.04.12#发明专利申请公布后的驳回;2021.01.22#实质审查的生效;2021.01.05#公开

摘要：本发明公开了一种带有栅极沟槽结构的碳化硅MOSFET，包括：碳化硅衬底；碳化硅衬底上生长的碳化硅外延层；所述碳化硅衬底背面覆盖的漏极金属电极；所述碳化硅外延层上刻蚀的沟槽，在所述沟槽表面生长有的氧化层，氧化层上设有的栅极金属电极；在碳化硅外延层上设有的源极注入区；所述源极注入区上覆盖有的源极金属电极；在碳化硅外延层上还设有的多个注入区，其中包括阻断注入区，保护注入区和改善注入区，所述阻断注入区的掺杂类型为第二导电类型，所述改善注入区的掺杂类型为第一导电类型，所述保护注入区为重掺杂的第二导电类型，所述阻断注入区与源极注入区相邻且设置在栅极和漏极之间，所述保护注入区设置在栅极金属电极下方。

主权项：1.一种带有栅极沟槽结构的碳化硅MOSFET，其特征在于，包括：碳化硅衬底101，所述碳化硅衬底101的掺杂类型为第一导电类型；碳化硅衬底101上生长的碳化硅外延层102，所述碳化硅外延层102掺杂类型为第一导电类型；所述碳化硅衬底101背面覆盖的漏极金属电极110；所述碳化硅外延层102上刻蚀的沟槽，在所述沟槽表面生长有的氧化层107，氧化层107上设有的栅极金属电极108；在碳化硅外延层102上设有的源极注入区104，所述源极注入区104的掺杂类型为第一导电类型；所述源极注入区104上覆盖有的源极金属电极109；在碳化硅外延层102上还设有的多个注入区，其中包括阻断注入区103，保护注入区106和改善注入区105，所述阻断注入区103的掺杂类型为第二导电类型，所述改善注入区105的掺杂类型为第一导电类型，所述保护注入区106为重掺杂的第二导电类型，所述阻断注入区103与源极注入区104相邻且设置在栅极和漏极之间，所述保护注入区106设置在栅极金属电极108下方。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 派恩杰半导体(杭州)有限公司 一种带有栅极沟槽结构的碳化硅MOSFET

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