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【发明公布】一种芯片防伪微码识别结构及其识别系统和制备方法_冯骅_202010942447.6 

申请/专利权人:冯骅

申请日:2020-09-09

公开(公告)日:2021-01-05

公开(公告)号:CN112185935A

主分类号:H01L23/544(20060101)

分类号:H01L23/544(20060101)

优先权:

专利状态码:失效-发明专利申请公布后的视为撤回

法律状态:2023.07.28#发明专利申请公布后的视为撤回;2021.06.01#实质审查的生效;2021.01.05#公开

摘要:本发明公开了一种芯片防伪微码识别结构及其识别系统和制备方法,涉及芯片防伪技术领域。本发明的芯片防伪微码识别结构包括支撑垫层、金属层、设置于金属层表面的光学识别码层;金属层包括Dummy金属的发射极金属刻蚀窗口、trench栅极金属刻蚀窗口、栅极PAD、trench栅极连接总线、trench栅极结构刻蚀窗口、dummy栅极结构刻蚀窗口。本发明芯片防伪微码识别结构具有内部为旋涡型的trench栅极连接总线,增强对金属层结构的保护作用,从而增大了器件的击穿电压;设计简单明了,实用性强;射频矩阵读取和光学设备读取两种识读方法相互依存,互为校验,安全性和便捷性大幅增加;具有良好追溯效果。

主权项:1.一种芯片防伪微码识别结构,其特征在于,包括支撑垫层(7)、位于支撑垫层(7)上部内置有N金属层(1)、LED薄膜(6)、电极(4)的钝化层(2)、刻蚀于钝化层(2)表面的具备射频矩阵电路功能的金属层(3)、设置于金属层(3)表面的光学识别码层(5);所述金属层(3)包括Dummy金属的发射极金属刻蚀窗口(301)、trench栅极金属刻蚀窗口(302)、栅极PAD、trench栅极连接总线(303)、trench栅极结构刻蚀窗口(304)、dummy栅极结构刻蚀窗口(305)、N+发射区注入窗口(306)、trench栅极金属刻蚀窗口(307)、dummy栅极金属接触窗口(308);其中,所述trench栅极连接总线(303)从栅极PAD出发向上下左右四个方向延伸,最终与最外围的沟槽结构相连;所述发射极金属刻蚀窗口(301)被trench栅极金属刻蚀窗口(302)划分成若干块,所述发射极金属刻蚀窗口(301)与trench栅极金属刻蚀窗口(302)之间保留有间距并通过钝化材料隔离;trench栅极结构刻蚀窗口(304)呈闭合的旋涡型,dummy栅极结构刻蚀窗口(305)呈断开的旋涡型,trench栅极结构刻蚀窗口(304)与dummy栅极结构刻蚀窗口(305)相互间隔排列分布,所述trench栅极结构刻蚀窗口(304)与trench栅极连接总线(303)相连,为闭合的旋涡型栅极结构,所述dummy栅极结构刻蚀窗口(305)与trench栅极连接总线(303)相连,为断开的旋涡型栅极结构;其中,N金属层(1)表面设置有元胞结构,元胞结构包括硅衬底,硅衬底形成N-漂移区(102),硅N-衬底上设有多元胞且呈并联设置,每一元胞包含有一由trench栅极结构(105)或dummy栅极结构(106)构成的沟槽结构,沟槽结构的内壁设有栅氧化层(104),沟槽结构的的上半部分设有P型基区(103),P型基区(103)的中间为N+发射区(107),N+发射区(107)的中间为p+深阱区(108),P型基区(103)上沉积一层绝缘介质层,绝缘介质层上沉积一层发射极金属且作为金属层(3)元胞的发射极,各个元胞的发射极互连后引出作为金属层(3)的发射极,各个元胞的trench栅极结构(105)互连后引出作为金属层(3)的栅极;其中,所述光学识别码层(5)采用喷印光学可识别二维码油墨图案;所述金属层(3)本身图案与光学识别码层(5)堆叠相组合后形成复合型光学直读识别码用于光学识别装置进行光学识别。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 冯骅 一种芯片防伪微码识别结构及其识别系统和制备方法

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