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【发明公布】一种包覆有金属氧化物层的氟磷酸钒钠电极及其制备方法_西安交通大学_202011010524.0 

申请/专利权人:西安交通大学

申请日:2020-09-23

公开(公告)日:2021-01-05

公开(公告)号:CN112186135A

主分类号:H01M4/1397(20100101)

分类号:H01M4/1397(20100101);H01M4/04(20060101);H01M4/136(20100101);H01M10/054(20100101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2021.11.19#授权;2021.01.22#实质审查的生效;2021.01.05#公开

摘要:本发明提供一种包覆有金属氧化物层的氟磷酸钒钠电极及其制备方法,通过原子层沉积法在Na3V2PO42F3电极片上沉积金属氧化物层,得到包覆有金属氧化物层的氟磷酸钒钠电极。解决了钠离子电池用正极材料的循环过程脱V、F问题,提高了材料在充放电过程中的循环稳定性,改善材料的容量衰减问题,同时,具有包覆层均匀致密、包覆量易于控制、产量显著提高的优点。

主权项:1.一种包覆有金属氧化物层的氟磷酸钒钠电极的制备方法,其特征在于,通过原子层沉积法在Na3V2PO42F3电极片上沉积金属氧化物层,得到包覆有金属氧化物层的氟磷酸钒钠电极。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 西安交通大学 一种包覆有金属氧化物层的氟磷酸钒钠电极及其制备方法

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