申请/专利权人：衢州华友钴新材料有限公司;浙江华友钴业股份有限公司;衢州华友资源再生科技有限公司

申请日：2020-09-24

公开（公告）日：2021-01-05

公开（公告）号：CN112176192A

主分类号：C22B7/00(20060101)

分类号：C22B7/00(20060101);C22B9/10(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.06.10#授权;2021.01.22#实质审查的生效;2021.01.05#公开

摘要：本发明公开了一种低硅、低镁杂质合金深度脱硅、脱镁方法。本发明采用的方法为：1）合金熔化：将合金加入中频炉，升温熔化；2）通氧吹炼：合金熔化后，中频炉断电，将吹氧管插入熔体中，利用空压机进行鼓气吹炼，并加入硅石造渣，空气流量4~6m3h；3）升温加热：吹炼火光呈红色时，需停止吹炼，重新通电升温，将中频炉中物料熔化；4）出渣：将炉中造出的渣舀出，再回到步骤2、步骤3和步骤4，至空气量耗完结束；5）出合金：停止吹炼，将中频炉中的熔体倾倒至坩埚中，待冷却至室温取出，将样品取出进行渣铁分离，所述合金产品中硅、镁含量控制在0.05%以下。本发明主要是将含硅镁杂质的合金进行精炼，使得硅、镁含量均低于0.05%，且钴镍的回收率大于96%。

主权项：1.一种低硅、低镁杂质合金深度脱硅、脱镁方法，所述低硅、低镁杂质合金成分含有：Co、Ni、Mn、Fe、S、Cu、Mg、Si，其中Mg0.1-1%、Si0.1-2%，其特征在于，包括以下步骤：1）合金熔化：将合金加入中频炉，升温熔化，温度1300~1500℃；2）通氧吹炼：合金熔化后，中频炉断电，将吹氧管插入熔体中，利用空压机进行鼓气吹炼，并加入硅石造渣，空气流量4~6m3h；3）升温加热：由于中频炉散热快，吹炼一段时间后，吹炼火光呈红色时，需停止吹炼，重新通电升温，将中频炉中物料熔化；4）出渣：将炉中造出的渣舀出，再回到步骤2、步骤3和步骤4，至空气量耗完结束；5）出合金：停止吹炼，将中频炉中的熔体倾倒至坩埚中，待冷却至室温取出，将样品取出进行渣铁分离，所述合金产品中硅、镁含量控制在0.05%以下。

全文数据：

权利要求：

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