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【发明公布】包括重布局层的微电子装置_美光科技公司_202011050422.1 

申请/专利权人:美光科技公司

申请日:2015-09-22

公开(公告)日:2021-01-05

公开(公告)号:CN112185933A

主分类号:H01L23/538(20060101)

分类号:H01L23/538(20060101);H01L21/48(20060101);H01L21/683(20060101);H01L21/60(20060101);H01L21/78(20060101);H01L23/498(20060101);H01L25/065(20060101);H01L25/18(20060101)

优先权:["20150604 US 14/731,380"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2021.01.22#实质审查的生效;2021.01.05#公开

摘要:本发明公开了一种包括重布局层的微电子装置。该微电子装置包含基板、第一连接件、重布局层、第二连接件以及晶片。第一连接件设置于基板上。重布局层直接设置于第一连接件上,并借由第一连接件连接至基板。重布局层包含阻挡层以及位于阻挡层上的金属层。第二连接件直接设置于重布局层上,且晶片借由第二连接件连接至重布局层。借此,本发明的封装体结构及其制备方法去除硅穿孔,并省略硅基板的研磨工艺,故具有简单的制备流程以及低制备成本。

主权项:1.一种微电子装置,其包括:重布局层,其包括:阻挡材料;介电材料,其位于所述阻挡材料上方;及金属段,其位于所述介电材料的开口内;钝化材料,其位于所述重布局层上;连接件,其直接位于所述重布局层上方,所述钝化材料直接位于最靠近所述连接件的重布局层的所述介电材料上,且所述连接件延伸穿过所述钝化材料中的开口,其中最靠近所述连接件的所述重布局层的所述介电材料和所述金属段彼此共面;及至少一个裸片,其使用所述连接件连接到最靠近所述连接件的所述重布局层的所述金属段,所述连接件中的每一者包括与所述至少一个裸片和最靠近所述连接件的所述重布局层的所述金属段直接接触的单个导电材料。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 美光科技公司 包括重布局层的微电子装置

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