申请/专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司

申请日：2020-09-29

公开（公告）日：2021-01-05

公开（公告）号：CN112171513A

主分类号：B24B53/017(20120101)

分类号：B24B53/017(20120101);B24B57/02(20060101);C23F3/06(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2023.03.03#发明专利申请公布后的驳回;2021.01.22#实质审查的生效;2021.01.05#公开

摘要：本发明提供一种研磨垫处理方法以及一种化学机械研磨设备。所述研磨垫处理方法向需要处理的研磨垫表面提供氧化剂以及酸性清洗液，利用氧化剂来使铜以及铜的化合物生成易溶于水的铜离子而易于去除，利用酸性清洗液提供的负离子使包埋在沟槽内的研磨粒子被包裹并与研磨垫表面相斥从而易于被去除，然后再通过去离子水冲洗经过氧化剂以及酸性清洗液处理的研磨垫。该方法对研磨垫的清洁效果好，有助于延长研磨垫的寿命，避免研磨垫清洁不力导致后续研磨均一性差以及可能划伤晶圆的问题。所述化学机械研磨设备用于执行铜金属CMP工艺以及上述研磨垫处理方法，由于研磨垫的清洁效果好，有助于提高铜金属CMP工艺的质量以及产出。

主权项：1.一种研磨垫处理方法，用于对铜金属CMP工艺中使用的研磨垫进行清洁，其特征在于，所述研磨垫处理方法包括：第一步骤，向所述研磨垫表面提供氧化剂以及酸性清洗液，使所述氧化剂以及酸性清洗液在所述研磨垫上停留一段时间；第二步骤，利用去离子水冲洗所述研磨垫。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 合肥晶合集成电路股份有限公司 研磨垫处理方法及化学机械研磨设备

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD