申请/专利权人：福建省晋华集成电路有限公司

申请日：2020-09-30

公开（公告）日：2021-01-05

公开（公告）号：CN112185963A

主分类号：H01L27/108(20060101)

分类号：H01L27/108(20060101);H01L21/8242(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.06.03#授权;2021.01.22#实质审查的生效;2021.01.05#公开

摘要：本发明提供了一种存储器及其形成方法，下电极包括第一部分及第二部分，第一部分从基底向上延伸至所述一设定高度区域，第二部分从所述设定高度区域向上延伸，而金属氧化物层包括第一膜层及第二膜层，所述第一膜层覆盖第一部分的表面及基底的表面，第二膜层覆盖第二部分的表面以及第一膜层的表面，第一膜层可以弥补下电极的下半部分，提高金属氧化物层的厚度均匀性，改善了存储器的性能。

主权项：1.一种存储器，其特征在于，包括基底及形成于所述基底上的电容结构，其中，所述电容结构包括：下电极，包括第一部分及第二部分，所述第一部分从所述基底向上延伸至一设定高度区域，所述第二部分从所述设定高度区域向上延伸；金属氧化物层，包括第一膜层及第二膜层，所述第一膜层至少覆盖所述第一部分的表面及所述基底的表面，所述第二膜层覆盖所述第二部分的表面以及所述第一膜层的表面；上电极，位于所述金属氧化物层上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 福建省晋华集成电路有限公司 存储器及其形成方法

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