申请/专利权人：采钰科技股份有限公司

申请日：2017-09-21

公开（公告）日：2021-01-05

公开（公告）号：CN108807431B

主分类号：H01L27/146(20060101)

分类号：H01L27/146(20060101);H01L31/09(20060101)

优先权：["20170501 US 15/583,569"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.01.05#授权;2018.12.07#实质审查的生效;2018.11.13#公开

摘要：提供的影像传感器包含基底，其具有彼此相邻的第一区和第二区，以及第一光电转换元件设置于基底的第一区上。第一光电转换元件包含第一金属层形成于基底上，第一光电转换层形成于第一金属层上，以及第二金属层形成于第一光电转换层上。

主权项：1.一种影像传感器，包括：一基底，具有彼此相邻的一第一区和一第二区；以及一第一光电转换元件，设置于该基底的该第一区上，其中该第一光电转换元件包括：一第一金属层，形成于该基底上；一第一光电转换层，形成于该第一金属层上；以及一第二金属层，形成于该第一光电转换层上，其中该第一金属层、该第一光电转换层和该第二金属层形成法布里-伯罗空腔；一第二光电转换元件，设置于该基底的该第二区内，其中该第二光电转换元件埋置于该基底内，且该第二光电转换元件与该第一光电转换元件的该第一金属层隔开；一高介电常数介电层，设置于该第二光电转换元件上；以及一透明层，设置于该高介电常数介电层上。

全文数据：影像传感器技术领域[0001]本公开实施例涉及影像传感器，且特别涉及具有第一光电转换元件的影像传感器。背景技术[0002]最近，影像传感器已在各式影像捕捉装置中被广泛使用，例如摄影机、数位相机及类似装置。影像传感器，例如电荷耦合装置charge-coupleddeviCe，CCD影像传感器或互补金属氧化物半导体（complementarymetal-oxidesemiconductor，CMOS影像传感器，具有光电转换器用于将入射光转换成电信号。影像传感器具有像素阵列，且每一个像素具有一个光电转换器。影像传感器也具有逻辑电路，用于传送和处理电信号。[0003]再者，影像传感器通常具有彩色滤光层，用来产生彩色影像。彩色滤光层可含有红R、蓝B和绿〇}区段的三原色滤光片堆叠在二维排列的光电转换器的光接收表面上方。彩色滤光层具有预定的排列方式，使得每一个颜色区段对应至一个光电转换器。[0004]在一些示范例中，红⑻、蓝⑻和绿⑹区段连接在一起，以形成连接的彩色滤光层。分别对应到连接的彩色滤光层的红、蓝和绿区段的影像传感器的像素具有各自不同的量子效率quantumefficiencies，QE。在一些其它示范例中，在红⑻、蓝⑻和绿⑹区段之间设置网格结构，以形成不连续的彩色滤光层。分别对应到不连续的彩色滤光层的红、蓝和绿区段的影像传感器的像素也具有各自不同的量子效率QE。[0005]然而，目前的影像传感器在各方面都尚未能让人满意。因此，亟需具有较佳的信号品质且可减少成本的影像传感器。发明内容[0006]本公开一些实施例提供的影像传感器包含基底，其具有彼此相邻的第一区和第二区，以及第一光电转换元件设置于基底的第一区上，且第一光电转换元件包含第一金属层形成于基底上，第一光电转换层形成于弟一金属层上，以及第二金属层形成于第一光电转换层上。[0007]本公开另一些实施例提供的影像传感器包含基底，其具有第一区和第二区，且第二区与第一区相邻;第一光电转换元件设置于基底的第一区上，第一光电转换元件包含第一底金属层形成于基底上，第一光电转换层形成于第一底金属层上，且第一光电转换层具有第一厚度，以及第一顶金属层形成于第一光电转换层上；以及第二光电转换元件设置于基底的第二区上，第二光电转换元件包含第二底金属层形成于基底上，第二光电转换层形成于第二底金属层上，且第二光电转换层具有第二厚度，以及第二顶金属层形成于第二光电转换层上，其中第一厚度大于第二厚度。附图说明[0008]本公开实施例可通过以下详细描述和范例配合所附附图而更充分了解，其中：[0009]图^是根据本公开的一些实施例所绘示的影像传感器的上视示意图。[0010]图18是根据本公开的一些实施例所绘示的影像传感器的剖面示意图。[0011]图2是根据本公开的一些实施例所绘不的量子效率对波长的光丨普图。[00!2]图3是根据本公开的一些实施例所绘示的信号强度对入射光的入射角的分析图。[0013]图4是根据本公开的一些实施例所绘示的信号^虽度对波长的分析图。[0014]图5是根据本公开的一些实施例所绘示的量子效率对波长的光丨普图。[0015]图6是根据本公开的另一些实施例所绘示的影像传感器的剖面示意图。[0016]图7是根据本公开的又一些实施例所绘示的影像传感器的剖面示意图。[0017]图8是量子效率对波长的光谱图。[0018]图9A是根据本公开的另一些实施例所绘示的影像传感器的剖面示意图。[0019]图gB是根据本公开的另一些实施例所绘示的影像传感器的剖面示意图。[0020]g1〇A是根据本公开的另一些实施例所绘示的影像传感器的剖面示意图。[0021]图10B是根据本公开的另一些实施例所绘示的影像传感器的剖面示意图。[0022]图^六是根据本公开的另一些实施例所绘示的影像传感器的上视示意图。[0023]图UB是根据本公开的又一些实施例所绘示的影像传感器的剖面示意图。[0024]图12是根据本公开的又一些实施例所绘示的影像传感器的剖面示意图。[0025]附图标记说明：[0026]1〇〇、600、700、900六、90013、100^、100013、1100、1200~影像传感器；[0027]102、302〜基底；[0028]104、304〜像素阵列；[0029]106-1〜第一区；[0030]106-2〜第二区；[0031]106-3〜第三区；[0032]106-4〜第四区；[0033]108、308A〜第一光电转换元件；[0034]110〜第一金属层；[0035]112〜第一光电转换层；[0036]114〜第二金属层；[0037]116、3163、316：、3160〜透明层；[0038]116A〜第一透明层；[0039]116B〜第二透明层；[0040]118A、318A〜第一微透镜；[0041]118B、318B〜第二微透镜；[0042]120、308B〜第二光电转换元件；[0043]122〜高介电常数介电层；[0044]124、126〜顶面；[0045]130〜第一额外层；[0046]132〜第三金属层；[0047]134〜垫；[0048]136〜第二额外层；[0049]138〜第四金属层；[0050]303B〜底面；[0051]303T〜顶面；[0052]306-1〜红外光像素区；[0053]306-2〜红像素区；[0054]306-3〜绿像素区；[0055]306-4〜蓝像素区；[0056]308C〜第三光电转换元件；[0057]308D〜第四光电转换元件；[0058]310A〜第一底金属层；[0059]310B〜第二底金属层；[0060]310C〜第三底金属层；[0061]310D〜第四底金属层；[0062]312A〜第一光电转换层；[0063]312B〜第二光电转换层；[0064]312C〜第三光电转换层；[0065]312D〜第四光电转换层；[0066]314A〜第一顶金属层；[0067]314B〜第二顶金属层；[0068]314C〜第三顶金属层；[0069]314D〜第四顶金属层；[0070]318C〜第三微透镜；[0071]318D〜第四微透镜；[0072]340A、340B、340C、340D〜导线；[0073]342A、342B、342C、342D〜导电垫；[0074]344〜隔离元件；[0075]IR〜红外光；[0076]SIR〜选择性红外光切割；[0077]T1、T2、T3〜厚度；[0078]B〜蓝；[0079]R〜红；[0080]G〜绿；[0081]A1〜第一厚度；[0082]A2〜第二厚度；[0083]A3〜第三厚度；[0084]A4〜第四厚度；[0085]P-1〜第一像素；[0086]p-2〜第二像素；[0087]P-B〜蓝像素；[0088]P-G〜绿像素；[0089]P-R〜红像素；[0090]P-IR〜红外光像素。具体实施方式[0091]以下针对本公开实施例的影像传感器作详细说明。应了解的是，以下的叙述提供许多不同的实施例或范例，用以实施本公开实施例的不同样态。以下所述特定的元件及排列方式是为了简单清楚地描述本公开实施例。当然，这些仅用以举例而并非用于限定本公开实施例。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号。然而，这些重复是为了简单清楚地叙述本公开实施例，并非用以表示所讨论的不同实施例及或结构之间的关连性。再者，当述及第一材料层位于第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触的实施例。或者，亦可能在第一材料层与第二材料层之间间隔有一或更多其它材料层的实施例，在此实施例中，第一材料层与第二材料层之间可能不直接接触。[0092]此外，在本说明书中可能使用相对性的用语，例如「较低」或「底部」及「较低」或「底部」以描述附图的一个元件相对于另一元件的空间关系。能理解的是，如果将附图的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在「较低」侧的元件将会成为在「较高」侧的元件。[0093]除非另外定义，在此使用的技术及科学用语通常具有与本领域技术人员所理解的相同涵义。能理解的是，在每个实施例中，这些技术及科学用语，例如在通常使用的字典中定义的用语，应被解读成具有与相关技术领域及本公开的背景或上下文一致的意思，而不应以理想化或过度正式的方式解读，除非在此特别定义。[0094]在本公开实施例中，相对性的用语例如「下」「上」、「水平」、「垂直」、「之下」、「之上」、「顶部」、「底部」等等应被理解为该实施例以及相关附图中所绘示的方位。此相对性的用语是为了方便说明之用，并不表示所叙述的装置需以特定方位来制造或运作。此外，关于接合、连接的用语，例如「连接」、「互连」等，除非特别定义，否则可表示两个结构直接接触，或者亦可表示两个结构并非直接接触，而是有其它结构设置于此两个结构之间。另外，关于接合、连接的用语，亦可包含两个结构都可移动，或者两个结构都固定的实施例。[0095]应注意的是，在后文中「基底」一词可包括半导体晶片上已形成的元件与覆盖在晶片上的各种膜层，其上方可以已形成任何所需的半导体元件，不过此处为了简化附图，仅以平整的基底表示之。此外，「基底表面」包含半导体晶片之上最上方且暴露出的膜层，例如硅表面、绝缘层及或金属线。[0096]本公开的实施例使用第一光电转换元件，其可同时作为彩色滤光片和光二极管。因此，彩色滤光片和光二极管不需要在影像传感器内分开形成。因此，在影像传感器内形成的元件数量可以减少，且成本也可因此降低。此外，在本公开的一些实施例中，由于第一光电转换元件的使用，本公开实施例可减少或防止像素之间的串音cross-talk。因此，可改善信号品质。在本公开的一些实施例中，影像传感器的倾斜光源的效能表现（〇bliquesourceperformance也可得到改善。[0097]本公开实施例可配合附图更加理解，在此公开的附图亦被视为公开说明的一部分。需了解的是，在此公开的附图并未必按照实际装置及元件的比例绘示。在附图中可能夸大实施例的形状与厚度以便清楚表现出本公开实施例的特征。此外，附图中的结构及装置是以示意的方式绘示，以便清楚表现出本公开实施例的特征。[0098]图1A是根据本公开的一些实施例所绘示的影像传感器的上视图，且图1B是根据本公开的一些实施例，沿着图1A中的1B-1B线所绘示的影像传感器的剖面图。参阅图1A和图1B，影像传感器1〇〇包含基底102。如图1A所示，基底102包含像素阵列104。如图1A和图1B所不，基底102包含第一区106-1、第二区106-2、第二区106_3以及第四区106-4。在本公开的一'些实施例中，第一区106-1是红外光（IR像素区，且第二区106-2、第三区106-3及第四区106-4是选择性红外光SIR截止cut像素区。如图1B所示，第一区106-1与第二区106-2相邻。[0099]能理解的是，虽然在此可使用”第一”、”第二”、”第三”等用语来叙述各种元件、组件、区域、层、及或部分，这些元件、组件、区域、层、及或部分不应被这些用语限定，且这些用语仅是用来区别不同的元件、组件、区域、层、及或部分。因此，以下讨论的”第一”元件、组件、区域、层、及或部分可在不偏离本公开实施例的教示的情况下被称为”第二”元件、组件、区域、层、及或部分。[0100]图1B显示基底102的第一区106-1例如为红外光像素区）和第二区106-2例如为选择性红外光截止SIRcut像素区）。在本公开的一些实施例中，第三区106-3和第四区106-4的结构与第二区106-2的结构相同。因此，为了简化图示，仅绘出第一区106-1和第二区106-2。[0101]在本公开的一些实施例中，基底102是主体bulk半导体基底，例如半导体晶片。举例而言，基底102是硅晶片。基底102可包含硅或另一元素半导体材料，例如锗。在一些其它实施例中，基底102包含化合物半导体。化合物半导体可包含砷化镓、碳化硅、砷化铟、磷化铟、另一合适的材料或前述的组合。[0102]在一些实施例中，基底102包含绝缘体上的半导体（semiconductor-on-insulator，S0I基底，可使用植氧分离（separationbyimplantationofoxygen，SIMOX工艺、晶片接合工艺、另一合适的方法或前述的组合来制造绝缘体上的半导体SOI基底。在一些实施例中，基底102是未掺杂的基底。[0103]在本公开的一些实施例中，参阅图1B，影像传感器100包含第一像素P-1，例如红外光（IR像素。此外，影像传感器100包含第二像素P-2,例如选择性红外光截止SIRcut像素。[0104]如图1B所示，在本公开的一些实施例中，第一像素P-1包含基底102的第一区106-1，以及第一光电转换元件108设置于基底102的第一区106-1上。在本公开的一些实施例中，如图1B所示，第一光电转换元件108包含第一金属层110设置于基底102的第一区106-1上，第一光电转换层112设置于第一金属层110上，以及第二金属层114设置于第一光电转换层112上。[0105]在本公开的一些实施例中，第一金属层110的材料包含Ag、Au、Cu、W、Al、Mo、Ti、Pt、Ir、Ni、Cr、Rh、前述的合金、任何其它合适的导电材料或前述的组合。在一些实施例中，通过使用化学气相沉积chemicalvapordeposition，CVD、溅镀（sputtering、电阻热蒸镀resistivethermalevaporation、电子束蒸镀（electronbeamevaporation或另一合适的方法沉积第一金属层110。在本公开的一些实施例中，化学气相沉积可包含，但不限于，低压化学气相沉积（low-pressurechemicalvapordeposition，LPCVD、低温化学气相沉积（low-temperaturechemicalvapordeposition，LTCVD、快速加热化学气相沉积rapidthermalchemicalvapordeposition，（RTCVD、等尚子体增强化学气相沉积plasmaenhancedchemicalvapordeposition，PECVD、原子层沉积法（atomiclayerdeposition，ALD或任何其它合适的方法。[0106]在本公开的一些实施例中，第一光电转换层112的材料包含掺杂的半导体层、量子膜或另一光电转换材料。在本公开的一些实施例中，掺杂的半导体层的材料包含硅或另一元素半导体材料，例如锗。在一些其它实施例中，掺杂的半导体层包含化合物半导体。化合物半导体可包含砷化镓、碳化硅、砷化铟、磷化铟、另一合适的材料或前述的组合。[0107]在本公开的一些实施例中，掺杂的半导体层可通过外延成长步骤形成，例如，金属有机化学气相沉积metalorganicchemicalvapordeposition，MOCVD、金属有机气相外延metalorganicvaporphaseepitaxy，M0VPE、等离子体增强化学气相沉积plasma-enhancedchemicalvapordeposition，PECVD、远距等离子体增强化学气相沉积remoteplasma-enhancedchemicalvapordeposition，RP-CVD、分子束夕卜延molecularbeamepitaxy，MBE、氢化物气相外延（hydridevaporphaseepitaxy，HVPE、液相外延（liquidphaseepitaxy，LPE、氯化物气相外延（chloridevaporphaseepitaxy，Cl_VPE或任何其它合适的方法。[0108]在本公开的一些实施例中，掺杂的半导体层为P型半导体层。当沉积掺杂的半导体层时，可通过添加硼烷BH3或三溴化硼BBr3至反应气体中，以执行原位（in-situ掺杂来形成P型半导体层。或者，可先沉积未掺杂的半导体层，然后用离子注入将硼离子或铟离子注入未掺杂的半导体层。[0109]在本公开的一些其它实施例中，掺杂的半导体层为N型半导体层。当沉积掺杂的半导体层时，可通过添加磷化氢PH3或砷化氢AsH3至反应气体中，以执行原位in-situ掺杂来形成N型半导体层。或者，可先沉积未掺杂的半导体层，然后用离子注入将磷离子或砷离子注入未掺杂的半导体层。[0110]在本公开的一些实施例中，量子膜包含混合量子点的有机层或混合量子点的无机层。在本公开的一些实施例中，量子点的材料包含ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgSe、HgTe、BN、BP、Bas、BSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InAs、InN、InP、InSb、任何其它合适的量子点材料或前述的组合。有机层包含环氧树脂epoxyresin、聚亚酰胺树脂polyimideresin、任何其它合适的有机材料或前述的组合。[0111]在本公开的一些实施例中，第二金属层114的材料包含Ag、Au、Cu、W、Al、Mo、Ti、Pt、Ir、Ni、Cr、Rh、前述的合金、任何其它合适的导电材料或前述的组合。在一些实施例中，通过使用化学气相沉积、溅镀、电阻热蒸镀、电子束蒸镀或另一合适的方法沉积第二金属层114。在本公开的一些实施例中，化学气相沉积可包含，但不限于，低压化学气相沉积、低温化学气相沉积、快速加热化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、原子层沉积法或任何其它合适的方法。[0112]在本公开的一些实施例中，如图1B所示，第一像素P-1更包含第一透明层116A设置于第二金属层114上。第一透明层116A的材料可包含，但不限于，有机透明材料、介电材料、半导体材料，例如硅、任何其它合适的透明材料或前述的组合。在本公开的一些实施例中，介电材料包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、任何其它合适的介电材料或前述的组合。[0113]在本公开的一些实施例中，第一透明层116A可通过化学气相沉积或旋转涂布形成。化学气相沉积可包含，但不限于，低压化学气相沉积、低温化学气相沉积、快速加热化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、原子层沉积法或任何其它合适的方法。然而，本公开的实施例并不限于以上所述。在一些其它实施例中，第一像素P-1不包含第一透明层。[0114]在本公开的一些实施例中，如图1B所示，第一像素P-1更包含第一微透镜118A设置于第一透明层116A和或第一光电转换元件1〇8上。然而，本公开的实施例并不限于以上所述。在一些其它实施例中，第一像素P-1不包含第一微透镜。t〇115]参阅图1B，第一光电转换元件108的第一光电转换层112可作为第一像素P-1的光二极管。因此，第一光电转换层112可检测红外光。在一些其它实施例中，第一光电转换层112可检测红光、绿光或蓝光。此外，因为第一光电转换元件1〇8包含两个金属层110、114和一个设置在这两个金属层110、114之间的第一光电转换层112,所以第一光电转换元件108可作为法布里-伯罗空腔Fabry-Perotcavity。因此，第一光电转换元件108可选择性检测具有特定波长的光。因此，第一光电转换元件108可作为彩色滤光片。此外，要被检测的光的波长可通过微调第一光电转换元件108的第一光电转换层112的厚度而改变。[0116]因此，本公开的一些实施例使用第一光电转换元件108同时作为彩色滤光片和光二极管。因此，在本公开的一些实施例中，彩色滤光片和光二极管不需要在影像传感器内分开形成。因此，在影像传感器内形成的元件数量可以减少，且制造成本也可因此降低。[0117]在本公开的一些实施例中，如图1B所示，第一金属层110的厚度T1大于第二金属层114的厚度T3。然而，本公开的一些实施例不限于以上所述。在一些其它实施例中，第一金属层110的厚度T1大致上与第二金属层114的厚度T3相等。[0118]在本公开的一些实施例中，第一金属层110的厚度T1可在约50nm到200nm的范围内，例如约l〇〇nm到150nm。在本公开的一些实施例中，第一光电转换层112的厚度T2可在约10nm到200nm的范围内，例如约70nm到150nm。在本公开的一些实施例中，第二金属层114的厚度T3可在约30nm到100nm的范围内，例如约55nm到70nm。[0119]在此，「约」、「大约」、「大抵」的用语通常表示在一给定值的+-20%之内，较佳是+-10%之内，且更佳是+-5%之内，或+-3%之内，或+-2%之内，或+-1%之内，或0.5%之内。在此给定的数值为大约的数值，亦即在没有特定说明「约」、「大约」、「大抵」的情况下，此给定的数值仍可隐含「约」、「大约」、「大抵」的含义。[0120]在本公开的一些实施例中，如图1B所示，第二像素P-2包含基底102的第二区106-2,以及第二光电转换元件120设置于基底102的第二区106-2内。第二光电转换元件120嵌入基底102。在本公开的一些实施例中，第二像素P-2更包含高介电常数介电层122设置于基底102上或于第二光电转换元件120上，以及第二透明层116B设置于高介电常数介电层122上。[0121]在本公开的一些实施例中，第二光电转换元件120可通过离子注入形成。例如，当第二光电转换元件120为N型时，用于第二光电转换元件120的顶定区可注入磷离子或砷离子，以形成第二光电转换元件120。在一些其它实施例中，当第二光电转换元件120为P型时，用于第二光电转换元件120的顶定区可注入硼离子、铟离子或氟化硼离子BF2+，以形成第二光电转换元件120。[0122]在本公开的一些实施例中，高介电常数介电层122的材料可包含，但不限于，高介电常数材料、任何其它合适的高介电常数介电材料或前述的组合。高介电常数材料可包含，但不限于，金属氧化物、金属氮化物、金属硅化物、过渡金属氧化物、过渡金属氮化物、过渡金属硅化物、过渡金属氮氧化物、金属铝酸盐、锆硅酸盐、锆铝酸盐。举例而言，高介电常数材料可包含，但不限于，La0、A10、Zr0、Ti0、Ta205、Y203、SrTi03ST0、BaTi03BT0、BaZr0、Hf02、Hf03、HfZr0、HfLa0、HfSi0、HfSi0N、LaSi0、AlSi0、HfTa0、HfTi0、HfTaTi0、HfA10N、®a、SrTi03BST、Al2〇3、任何其它合适的高介电常数介电材料或前述的组合。高介电常数介电层122可通过化学气相沉积或旋转涂布形成。化学气相沉积可包含，但不限于，低压化学气相沉积、低温化学气相沉积、快速加热化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、原子层沉积法或任何其它合适的方法。[0123]在本公开的一些实施例中，第二透明层116B的材料可包含，但不限于，有机透明材料、介电材料、半导体材料例如硅、任何其它合适的透明材料或前述的组合。在本公开的一些实施例中，介电材料包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、任何其它合适的介电材料或前述的组合。本公开的一些实施例中，第二透明层116B可通过化学气相沉积或旋转涂布形成。化学气相沉积可包含，但不限于，低压化学气相沉积、低温化学气相沉积、快速加热化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、原子层沉积法或任何其它合适的方法。然而，本公开的一些实施例并不限于以上所述。在一些其它实施例中，第二像素P-2不包含第二透明层。[0124]在本公开的一些实施例中，如图1B所示，第一透明层116A和第二透明层116B是单一的透明层。这个单一的透明层延伸至第一光电转换元件108和高介电常数介电层122上方。然而，本公开的一些实施例并不限于以上所述。在一些其它实施例中，这个单一的透明层未延伸至第一光电转换元件108上方。[0125]在本公开的一些实施例中，第二像素P-2更包含第二微透镜118B设置于第二透明层116B上。然而，本公开的一些实施例并不限于以上所述。在一些其它实施例中，第二像素P-2未包含第二微透镜。[0126]在本公开的一些实施例中，如图1B所示，第二像素P-2的第二光电转换元件120未接触第一像素P-1的第一光电转换元件108的第一金属层110。换句话说，第二像素P-2的第二光电转换元件120与第一像素P-1的第一光电转换元件108的第一金属层110隔开。由于第二光电转换元件120未接触第一光电转换元件108的第一金属层110,本公开的一些实施例可减少或防止第一像素P-1和第二像素P-2之间的串音cross-talk。因此，可改善信号品质。[0127]图2是量子效率对波长的光谱图。具体地说，在本公开的一些实施例中，以实线表示的光谱代表来自影像传感器的第一像素P-1第一区106-1的光谱。此外，以虚线表示的光谱代表来自传统影像传感器的光谱。如图2所示，来自本公开的一些实施例的影像传感器的信号比来自传统的影像传感器的信号好且清楚。[0128]此外，由于本公开的一些实施例可减少或防止第一像素P-1和第二像素P-2之间的串音cross-talk，本公开的一些实施例的影像传感器100在第一像素P-1和第二像素P-2之间不需要隔离结构。因此，可降低制造成本，且可改善影像传感器1〇〇的结构稳定度。[0129]此外，第一光电转换元件108可减少入射光的入射角对信号的影响。图3是信号强度对入射光的入射角的分析图。具体地说，以实线表示的信号代表来自本公开的一些实施例的影像传感器的第一像素P-1第一区106-1的信号。此外，以虚线表示的信号代表来自传统影像传感器的信号。如图3所示，来自本公开的一些实施例的影像传感器的信号强度大致上不随着入射光的入射角变化，此入射光的入射角从30度变化至_30度。相反地，来自传统影像传感器的信号强度随着入射光的入射角显著变化，此入射光的入射角从30度变化至一30度。因此，在本公开的一些实施例中，本公开的影像传感器100的倾斜源表现obliquesourceperformance可受到改善。[0130]图4是根据本公开的P-1l〇6-1的一些实施例所绘示的信号强度对波长的分析图。具体地说，实线所示的信号代表当入射光的入射角为0度时，由本公开的一些实施例的影像传感器产生的信号。此外，虚线所示的信号代表当入射光的入射角为30度时，由本公开的一些实施例的影像传感器产生的信号。如图4所示，当入射光的入射角为0度时，由影像传感器产生的信号与当入射光的入射角为30度时，由影像传感器产生的信号大致上重叠。因此，在本公开的一些实施例中，影像传感器100的倾斜源表现可受到改善。[0131]图5是根据本公开的一些实施例所绘示的量子效率对波长的光谱。具体地说，实线所示的光谱代表本公开的一些实施例的影像传感器的第一像素P—1产生的光谱。此外，以虚线表示的光谱是来自于第二像素P-2所检测到的光谱减去第一像素P-1所检测到的光谱。因此，以虚线表示的光谱代表选择性红外光截止SIRcut信号。[0132]在本公开的一些实施例中，本公开的一些实施例的影像传感器1〇〇可应用于光感测装置、距离感测proximitysensor装置、飞行时间（Time-〇f-Flight，TOF装置、光谱计spectrometer、物联网（internetofthingsdevice，IoT装置或任何其它合适的装置。[0133]图6是根据本公开的一些其它实施例所绘示的影像传感器6〇〇的剖面图。应注意的是，与影像传感器100对应的相同或类似的元件或层皆由类似的参考数字标记。在一些实施例中，由类似的参考数字标记的相同或类似的元件或层具有相同的意义，且为了简洁而不会再复述。[0134]图6和图1B所示的实施例之间的差异在于高介电常数介电层122延伸至第一区106-1上，且设置在基底102和第一光电转换元件108之间。换句话说，第一像素P-1更包含一部分的高介电常数介电层122设置于第一区106-1上且介于基底102和第一光电转换元件108之间。[0135]此外，在本公开的一些实施例中，如图6所示，透明层116未延伸至第一区106-1上。换句话说，在本公开的一些实施例中，如图6所示，第一像素P-1未包含透明层。[0136]在本公开的一些实施例中，如图6所示，第一光电转换元件108的顶面124高于透明层116的第二透明层116B的顶面126。在本公开的一些实施例中，如图6所示，第一微透镜118六高于第二微透镜1183。[0137]图7是根据本公开的一些其它实施例所绘示的影像传感器700的剖面图。应注意的是，与影像传感器100对应的相同或类似的元件或层皆由类似的参考数字标记。在一些实施例中，由类似的参考数字标记的相同或类似的元件或层具有相同的意义，且为了简洁而不会再复述。[0138]图7和图1B所示的实施例之间的差异在于第一像素P-1更包含被覆层128设置在第一光电转换元件108上。在本公开的一些实施例中，如图7所示，被覆层128设置在第一光电转换元件108和第一透明层116A之间。在本公开的一些实施例中，被覆层128可被用来抑制光谱中不想要的尖峰，例如蓝尖峰。[0139]被覆层128的材料包含半导体材料、介电材料、任何其它合适的材料或前述的组合。半导体材料可包含硅或另一元素半导体材料，例如锗。在一些其它实施例中，半导体材料包含化合物半导体。化合物半导体可包含砷化镓、碳化硅、砷化铟、磷化铟、另一合适的材料或前述的组合。在本公开的一些实施例中，半导体材料可通过外延成长步骤形成，例如，金属有机化学气相沉积、金属有机气相外延、等离子体增强化学气相沉积、远距等离子体增强化学气相沉积、分子束外延、氢化物气相外延、液相外延、氯化物气相外延或任何其它合适的方法。[0140]介电材料包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、任何其它合适的介电材料或前述的组合。在本公开的一些实施例中，介电材料可通过化学气相沉积或旋转涂布形成。化学气相沉积可包含，但不限于，低压化学气相沉积、低温化学气相沉积、快速加热化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、原子层沉积法或任何其它合适的方法。[0141]图8是来自不具有被覆层的影像传感器装置的量子效率对波长的光谱图。如图8所示，在一些情况下，检测到不想要的尖峰，例如图8所示的蓝尖峰BP。在本公开的一些实施例中，被覆层128可减少或抑制光谱中不想要的尖峰。因此，影像传感器装置的信号品质可通过形成被覆层128得到改善。[0142]图9A是根据本公开的一些其它实施例所绘示的影像传感器900A的剖面图。应注意的是，与影像传感器100对应的相同或类似的元件或层皆由类似的参考数字标记。在一些实施例中，由类似的参考数字标记的相同或类似的元件或层具有相同的意义，且为了简洁而不会再复述。[0143]图9A和图1B所示的实施例之间的差异在于第一光电转换元件108更包含第一额外层130设置于第二金属层114上，以及第三金属层132设置于第一额外层130上。[0144]在本公开的一些实施例中，第一额外层130的材料包含掺杂的半导体层、量子膜、未掺杂的半导体层、介电层或另一光电转换材料。在本公开的一些实施例中，掺杂或未掺杂的半导体层的材料包含硅或另一元素半导体材料，例如锗。在一些其它实施例中，掺杂或未掺杂的半导体层的材料包含化合物半导体。化合物半导体可包含砷化镓、碳化硅、砷化铟、鱗化铟、另一合适的材料或前述的组合。[0145]在本公开的一些实施例中，掺杂或未掺杂的半导体层可通过外延成长步骤形成，例如，金属有机化学气相沉积、金属有机气相外延、等离子体增强化学气相沉积、远距等离子体增强化学气相沉积、分子束外延、氢化物气相外延、液相外延、氯化物气相外延或任何其它合适的方法。[0146]在本公开的一些实施例中，量子膜包含混合量子点的有机层或混合量子点的无机层。在本公开的一些实施例中，量子点的材料包含ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgSe、HgTe、BN、BP、Bas、BSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InAs、InN、InP、InSb、任何其它合适的量子点材料或前述的组合。在本公开的一些实施例中，量子膜可通过旋转涂布或任何其它合适的方法形成。[0147]在本公开的一些实施例中，介电层包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、任何其它合适的介电材料或前述的组合。在本公开的一些实施例中，介电材料可通过化学气相沉积或旋转涂布形成。化学气相沉积可包含，但不限于，低压化学气相沉积、低温化学气相沉积、快速加热化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、原子层沉积法或任何其它合适的方法。[0148]在本公开的一些实施例中，第一额外层130亦可被称为第一额外的光电转换层。[0149]在本公开的一些实施例中，第三金属层1：32的材料包含Ag、Au、Cu、W、Al、Mo、Ti、Pt、Ir、Ni、Cr、Rh、前述的合金、任何其它合适的导电材料或前述的组合。在一些实施例中，通过使用化学气相沉积、濺镀、电阻热蒸镀、电子束蒸镀或另一合适的方法沉积第三金属层I32。在本公开的一些实施例中，化学气相沉积可包含，但不限于，低压化学气相沉积、低温化学气相沉积、快速加热化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、原子层沉积法或任何其它合适的方法。[0150]在本公开的一些实施例中，第二金属层114、第一额外层130和第三金属层132在第一光电转换元件108内形成另一法布里-伯罗空腔Fabry-Perotcavity。因此，可进一步改善影像传感器的信号品质。[0151]在本公开的一些实施例中，如图9A所示，在第一光电转换元件108中，只有第一光电转换层112与垫134电性连接且被用来传送信号。[0152]图9B是根据本公开的一些其它实施例所绘示的影像传感器900B的剖面图。应注意的是，与影像传感器100对应的相同或类似的元件或层皆由类似的参考数字标记。在一些实施例中，由类似的参考数字标记的相同或类似的元件或层具有相同的意义，且为了简洁而不会再复述。[0153]图9B和图9A所示的实施例之间的差异在于在第一光电转换元件108中，第一光电转换层112和第一额外层130两者皆与垫134电性连接，且两者皆被用来传送信号。[0154]图10A是根据本公开的一些其它实施例所绘示的影像传感器1000A的剖面图。应注意的是，与影像传感器900A和900B对应的相同或类似的元件或层皆由类似的参考数字标记。在一些实施例中，由类似的参考数字标记的相同或类似的元件或层具有相同的意义，且为了简洁而不会再复述。[0155]图10A与图9A和图9B所示的实施例之间的差异在于第一光电转换元件108更包含第二额外层136设置于第三金属层132上，以及第四金属层138设置于第二额外层136上。[0156]在本公开的一些实施例中，第二额外层136的材料包含掺杂的半导体层、量子膜、未掺杂的半导体层、介电层或另一光电转换材料。在本公开的一些实施例中，掺杂或未掺杂的半导体层的材料包含硅或另一元素半导体材料，例如锗。在一些其它实施例中，掺杂或未掺杂的半导体层的材料包含化合物半导体。化合物半导体可包含砷化镓、碳化硅、砷化铟、磷化铟、另一合适的材料或前述的组合。[0157]在本公开的一些实施例中，掺杂或未掺杂的半导体层可通过外延成长步骤形成，例如，金属有机化学气相沉积、金属有机气相外延、等离子体增强化学气相沉积、远距等离子体增强化学气相沉积、分子束外延、氢化物气相外延、液相外延、氯化物气相外延或任何其它合适的方法。[0158]在本公开的一些实施例中，量子膜包含混合量子点的有机层或混合量子点的无机层。在本公开的一些实施例中，量子点的材料包含ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgSe、HgTe、BN、BP、Bas、BSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InAs、InN、InP、InSb、任何其它合适的量子点材料或前述的组合。在本公开的一些实施例中，量子膜可通过旋转涂布或任何其它合适的方法形成。[0159]在本公开的一些实施例中，介电层包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、任何其它合适的介电材料或前述的组合。在本公开的一些实施例中，介电材料可通过化学气相沉积或旋转涂布形成。化学气相沉积可包含，但不限于，低压化学气相沉积、低温化学气相沉积、快速加热化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、原子层沉积法或任何其它合适的方法。[0160]在本公开的一些实施例中，第二额外层136亦可被称为第二额外的光电转换层。[0161]在本公开的一些实施例中，第四金属层138的材料包含Ag、Au、Cu、W、Al、Mo、Ti、Pt、Ir、Ni、Cr、Rh、前述的合金、任何其它合适的导电材料或前述的组合。在一些实施例中，通过使用化学气相沉积、溅镀、电阻热蒸镀、电子束蒸镀或另一合适的方法沉积第四金属层138。在本公开的一些实施例中，化学气相沉积可包含，但不限于，低压化学气相沉积、低温化学气相沉积、快速加热化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、原子层沉积法或任何其它合适的方法。[0162]在本公开的一些实施例中，第三金属层132、第二额外层136和第四金属层138在第一光电转换元件108中形成另一法布里-伯罗空腔Fabry-Perotcavity。因此，可进一步改善影像传感器的信号品质。[0163]在本公开的一些实施例中，如图10A所示，在第一光电转换元件108中，只有第一光电转换层112与垫134电性连接且被用来传送信号。[0164]图10B是根据本公开的一些其它实施例所绘示的影像传感器1000B的剖面图。应注意的是，与影像传感器1000A对应的相同或类似的元件或层皆由类似的参考数字标记。在一些实施例中，由类似的参考数字标记的相同或类似的元件或层具有相同的意义，且为了简洁而不会再复述。[0165]图10B和图10A所示的实施例之间的差异在于在第一光电转换元件108中，第一光电转换层112、第一额外层130和第二额外层136全部皆与垫134电性连接，且全部皆被用来传送信号。[0166]图11A是根据本公开的一些其它实施例所绘示的影像传感器1100的上视图。图11B是根据本公开的一些其它实施例所绘示的影像传感器11〇〇的剖面图。应注意的是，与影像传感器100对应的相同或类似的元件或层皆由类似的参考数字标记。在一些实施例中，由类似的参考数字标记的相同或类似的元件或层具有相同的意义，且为了简洁而不会再复述。[0167]参阅图11A-图11B，影像传感器1100包含基底302。如图11A所示，基底302包含像素阵列304,其包含红外光（IR像素区3〇6_1、红⑻像素区306-2、绿⑹像素区306-3和蓝⑻像素306-4。如图11B所示，蓝⑻像素区3〇6_4与绿⑹像素306-3相邻。绿⑹像素区3〇6-3与红⑻像素306-2相邻。红⑻像素区306-2与红外光（IR像素区306-1相邻。[0168]图11B显示基底302的红外光（IR像素区306-1、红R像素区306-2、绿⑹像素区306-3和蓝⑻像素306-4。在本公开的一些实施例中，基底302是承载基底。在本公开的一些实施例中，基底302可包含，但不限于，玻璃基底、陶瓷基底ceramicsubstrate、塑胶基底或任何其它合适的透明基底。在本公开的一些实施例中，基底302为绝缘基底。[0169]在本公开的一些实施例中，参阅图11B，影像传感器1100包含红外光像素P-IR和红像素P-R。此外，影像感测1100更包含绿像素P-G和蓝像素P-B。[0170]如图11B所示，在本公开的一些实施例中，红外光像素P-IR包含基底302的红外光像素区306-1，以及第一光电转换元件308A设置在基底302的顶面3〇3T上，且设置在红外光像素区306-1上。[0171]如图11B所示，在本公开的一些实施例中，红外光像素P-IR更包含第一微透镜31從设置于第一光电转换元件308A上。然而，本公开的一些实施例并不限于以上所述。在一些其它实施例中，红外光像素P-IR未包含微透镜。[0172]如图11B所示，在本公开的一些实施例中，第一光电转换元件3〇8A包含第一底金属层310A设置于基底302的红外光像素区306-1上，第一光电转换层312A设置于第一底金属层310A上，以及第一顶金属层314A设置于第一光电转换层31以上。在本公开的一些实施例中，如图11B所示，第一光电转换层312A具有第一厚度A1。[0173]在本公开的一些实施例中，第一底金属层310A的材料及形成方法与先前所述的第一金属层110相同或类似。在本公开的一些实施例中，第一光电转换层312A的材料及形成方法与先前所述的第一光电转换层112相同或类似。在本公开的一些实施例中，第一顶金属层314A的材料及形成方法与先前所述的第二金属层114相同或类似。[0174]在本公开的一些实施例中，如图11B所示，第一底金属层310A的厚度大致上与第一顶金属层314A的厚度相等。然而，本公开的一些实施例并不限于以上所述。在一些其它实施例中，第一底金属层310A的厚度大于第一顶金属层314A的厚度。[0175]在本公开的一些实施例中，如图11B所示，第一光电转换元件308A的第一底金属层310A通过导线340A与导电垫342A电性连接。在本公开的一些实施例中，如图11B所示，导电垫342A设置于基底302的底面303B上，且导线340A设置于基底302内。[0176]在本公开的一些实施例中，导线340A和导电垫342A的材料各自独立地包含Ag、Au、Cu、W、Al、Mo、Ti、Pt、Ir、Ni、Cr、Rh、前述的合金、任何其它合适的导电材料或前述的组合。[0177]如图11B所示，在本公开的一些实施例中，红像素P-R包含基底302的红像素区306-2,以及第二光电转换元件308B设置于基底302的顶面303T上，且设置于红像素区306-2上。[0178]如图11B所示，在本公开的一些实施例中，红像素P-R更包含第二微透镜31部设置于第二光电转换元308B上。然而，本公开的一些实施例并不限于以上所述。在一些其它实施例中，红像素P-R未包含微透镜。[0179]如图11B所示，在本公开的一些实施例中，第二光电转换元件308B包含第二底金属层310B设置于基底302的红像素区306-2上，第二光电转换层312B设置于第二底金属310B上，以及第二顶金属层314B设置于第二光电转换层312B上。在本公开的一些实施例中，如图11B所示，第二光电转换层312B具有第二厚度A2。[0180]在本公开的一些实施例中，第二底金属层310B的材料及形成方法与先前所述的第一金属层110相同或类似。在本公开的一些实施例中，第二光电转换层312B的材料及形成方法与先前所述的第一光电转换层112相同或类似。在本公开的一些实施例中，第二顶金属层314B的材料及形成方法与先前所述的第二金属层114相同或类似。[0181]在本公开的一些实施例中，如图11B所示，第二底金属层310B的厚度大致上与第二顶金属层314B的厚度相等。然而，本公开的一些实施例并不限于以上所述。在一些其它实施例中，第二底金属层310B的厚度大于第二顶金属层314B的厚度。[0182]在本公开的一些实施例中，如图11B所示，第二光电转换元件308B的第二底金属层310B通过导线340B与导电垫342B电性连接。在本公开的一些实施例中，如图11B，导电垫342B设置于基底302的底面303B上，且导线340B设置于基底302内。[0183]在本公开的一些实施例中，导线340B和导电垫342B的材料各自独立地包含Ag、Au、Cu、W、Al、Mo、Ti、Pt、Ir、Ni、Cr、Rh、前述的合金、任何其它合适的导电材料或前述的组合。[0184]在本公开的一些实施例中，第一光电转换层312A的第一厚度A1大于第二光电转换层312B的第二厚度A2。[0185]在本公开的一些实施例中，由于第一光电转换元件308A和第二光电转换元件308B中的每一个都包含两个金属层和一个设置于这两个金属层之间的光电转换层，第一光电转换元件308A和第二光电转换元件308B中的每一个可作为法布里-伯罗空腔Fabry-Perotcavity。因此，第一光电转换元件308A和第二光电转换元件308B可选择性地检测具有特殊波长的光。此外，要检测的光的波长可通过微调第一光电转换元件308A和第二光电转换元件308B的光电转换层的厚度而改变。因此，在本公开的一些实施例中，通过第一厚度A1大于第二厚度A2,红外光像素P-IR的第一光电转换元件308A可选择性地检测红外光，且红像素P-R的第二光电转换元件308B可选择性地检测红光而不使用彩色滤光片。因此，影像传感器的制造成本可减少。[0186]在本公开的一些实施例中，如图11B所示，第一光电转换元件308A的第一顶金属层314A的顶面高于第二光电转换元件308B的第二顶金属层314B的顶面。[0187]如图11B所示，在本公开的一些实施例中，绿像素P-G包含基底302的绿像素区306-3，以及第三光电转换元件308C设置于基底302的顶面303T上，且设置于绿像素区306-3上。[0188]如图11B所示，在本公开的一些实施例中，绿像素P-G更包含第三微透镜318C设置于第三光电转换元件308C上。然而，本公开的一些实施例并不限于以上所述。在一些其它实施例中，绿像素P-G未包含微透镜。[0189]如图11B所示，在本公开的一些实施例中，第三光电转换元件308C包含第三底金属层310C设置于基底302的绿像素区306-3上，第三光电转换层312C设置于第三底金属层310C上，以及第三顶金属层314C设置于第三光电转换层312C上。在本公开的一些实施例中，如图11B所示，第三光电转换层312C具有第三厚度A3。[0190]在本公开的一些实施例中，第三底金属层310C的材料及形成方法与先前所述的第一金属层110相同或类似。在本公开的一些实施例中，第三光电转换层312C的材料及形成方法与先前所述的第一光电转换层112相同或类似。在本公开的一些实施例中，第三顶金属层314C的材料及形成方法与先前所述的第二金属层114相同或类似。[0191]在本公开的一些实施例中，如图11B所示，第三底金属层310C的厚度大致上与第三顶金属层314C的厚度相等。然而，本公开的一些实施例并不限于以上所述。在一些其它实施例中，第三底金属层310C的厚度大于第三顶金属层314C的厚度。[0192]在本公开的一些实施例中，如图11B所示，第三光电转换元件308C的第三底金属层310C通过导线340C与导电垫342C电性连接。在本公开的一些实施例中，如图11B，导电垫342C设置于基底302的底面303B上，且导线340C设置于基底302内。[0193]在本公开的一些实施例中，导线340C和导电垫342C的材料各自独立地包含Ag、Au、Cu、W、Al、Mo、Ti、Pt、Ir、Ni、Cr、Rh、前述的合金、任何其它合适的导电材料或前述的组合。[0194]在本公开的一些实施例中，第二光电转换层312B的第二厚度A2大于第三光电转换层312C的第三厚度A3。[0195]在本公开的一些实施例中，由于第二光电转换元件308B和第三光电转换元件3〇SC中的每一个都包含两个金属层和一个设置于这两个金属层之间的光电转换层，第二光电转换元件308B和第三光电转换元件308C中的每一个可作为法布里-伯罗空腔Fabry-Perotcavity。因此，第二光电转换元件308B和第三光电转换元件308C可选择性地检测具有特殊波长的光。此外，要检测的光的波长可通过微调第二光电转换元件308B和第三光电转换元件308C的光电转换层的厚度而改变。因此，在本公开的一些实施例中，通过具有第二厚度A2大于第三厚度A3，红像素P-R的第二光电转换元件308B可选择性地检测红光，且绿像素P-G的第三光电转换元件308C可选择性地检测绿光，而不使用彩色滤光片。因此，可减少影像传感器的制造成本。[0196]在本公开的一些实施例中，如图11B所示，第二光电转换元件308B的第二顶金属层314B的顶面高于第三光电转换元件308C的第三顶金属层314C的顶面。[0197]如图11B所示，在本公开的一些实施例中，蓝像素P-B包含部分的基底302的蓝像素区306-4,以及第四光电转换元件308D设置于基底302的顶面303T上，且设置于蓝像素区306-4上。[0198]如图11B所示，在本公开的一些实施例中，蓝像素P-B更包含第四微透镜318D设置于第四光电转换元件308D上。然而，本公开的一些实施例并不限于以上所述。在一些其它实施例中，蓝像素P-B未包含微透镜。[0199]如图11B所示，在本公开的一些实施例中，第四光电转换元件308D包含第四底金属层310D设置于基底302的蓝像素区306-4上，第四光电转换层312D设置于第四底金属层310D上，以及第四顶金属层314D设置于第四光电转换层312D上。在本公开的一些实施例中，如图11B所示，第四光电转换层312D具有第四厚度A4。[0200]在本公开的一些实施例中，第四底金属层310D的材料及形成方法与先前所述的第一金属层110相同或类似。在本公开的一些实施例中，第四光电转换层312D的材料及形成方法与先前所述的第一光电转换层112相同或类似。在本公开的一些实施例中，第四顶金属层314D的材料及形成方法与先前所述的第二金属层114相同或类似。[0201]在本公开的一些实施例中，如图11B所示，第四底金属层310D的厚度大致上与第四顶金属层314D的厚度相等。然而，本公开的一些实施例并不限于以上所述。在一些其它实施例中，第四底金属层310D的厚度大于第四顶金属层314D的厚度。[0202]在本公开的一些实施例中，如图11B所示，第四光电转换元件308D的第四底金属层310D通过导线340D与导电垫342D电性连接。在本公开的一些实施例中，如图11B，导电垫342D设置于基底302的底面303B上，且导线340D设置于基底302内。[0203]在本公开的一些实施例中，导线340D和导电垫342D的材料各自独立地包含Ag、Au、Cu、W、Al、Mo、Ti、Pt、Ir、Ni、Cr、Rh、前述的合金、任何其它合适的导电材料或前述的组合。[0204]在本公开的一些实施例中，第三光电转换层312C的第三厚度A3大于第四光电转换层312D的第四厚度A4。[0205]在本公开的一些实施例中，由于第三光电转换元件308C和第四光电转换元件308D中的每一个都包含两个金属层和一个光电转换层设置于这两个金属层之间，第三光电转换元件308C和第四光电转换元件308D中的每一个可作为法布里-伯罗空腔（Fabry-Perotcavity。因此，第三光电转换元件308C和第四光电转换元件308D可选择性地检测具有特殊波长的光。此外，要检测的光的波长可通过微调第三光电转换元件308C和第四光电转换元件308D的光电转换层的厚度而改变。因此，在本公开的一些实施例中，通过具有第三厚度A3大于第四厚度A4,绿像素P-G的第三光电转换元件308C可选择性地检测绿光，且蓝像素P-B的第四光电转换元件30SD可选择性地检测蓝光，而不使用彩色滤光片。[0206]在本公开的一些实施例中，如图11B所示，第三光电转换元件3〇SC的第三顶金属层314C的顶面高于第四光电转换元件308D的第四顶金属层314D的顶面。[0207]在本公开的一些实施例中，如图11B所示，影像传感器1100更包含多个隔离元件344设置为邻近第一光电转换元件308A、第二光电转换元件308B、第三光电转换元件308C和第四光电转换元件308D的侧壁。[0208]在本公开的一些实施例中，如图11B所示，这些隔离元件344中的一个隔离元件344设置在第一光电转换元件308A和第二光电转换元件308B之间。此外，另一个隔离元件344设置在第二光电转换元件308B和第三光电转换元件308C之间。此外，又另一个隔离元件344设置在第三光电转换元件308C和第四光电转换元件308D之间。[0209]在本公开的一些实施例中，隔离元件344的材料可包含，但不限于，绝缘介电材料、绝缘高分子材料、掺杂的半导体材料、任何其它合适的绝缘材料或前述的组合。[0210]在本公开的一些实施例中，绝缘介电材料包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、任何其它合适的介电材料或前述的组合。在本公开的一些实施例中，掺杂的半导体材料包含硅且具有与第一光电转换层312A、第二光电转换层312B、第三光电转换层312C和或第四光电转换层312D不同的导电型态。[0211]图12是根据本公开的一些其他实施例所绘示的影像传感器1200的剖面图。应注意的是，与影像传感器1100对应的相同或类似的元件或层皆由类似的参考数字标记。在一些实施例中，由类似的参考数字标记的相同或类似的元件或层具有相同的意义，且为了简洁而不会再复述。[0212]图12和图11B所示的实施例之间的差异在于第二光电转换元件308B更包含透明层316B设置于第二光电转换层312B和第二顶金属层314B之间。在本公开的一些实施例中，透明层316B的材料可包含，但不限于，有机透明材料、介电材料、半导体材料，例如硅、任何其它合适的透明材料或前述的组合。在本公开的一些实施例中，介电材料包含氧化硅、氮化桂、氮氧化娃、任何其它合适的介电材料或前述的组合。[0213]此外，在本公开的一些实施例中，第三光电转换元件308C更包含透明层316C设置于第三光电转换层312C和第三顶金属层314C之间。在本公开的一些实施例中，透明层316C的材料可包含，但不限于，有机透明材料、介电材料、半导体材料，例如硅、任何其它合适的透明材料或前述的组合。在本公开的一些实施例中，介电材料包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、任何其它合适的介电材料或前述的组合。[0214]此外，在本公开的一些实施例中，第四光电转换元件308D更包含透明层316D设置于第四光电转换层312D和第四顶金属层314D之间。在本公开的一些实施例中，透明层316D的材料可包含，但不限于，有机透明材料、介电材料、半导体材料，例如硅、任何其它合适的透明材料或前述的组合。在本公开的一些实施例中，介电材料包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、任何其它合适的介电材料或前述的组合。[0215]在本公开的一些实施例中，如图12所示，第一光电转换元件308A的第一顶金属层314A的顶面大致上与第二光电转换元件308B的第二顶金属层314B的顶面、第三光电转换元件30%的第三顶金属层314C的顶面和第四光电转换元件308D的第四顶金属层314D的顶面为共平面。[0216]综上所述，本公开的一些实施例使用第一光电转换元件，其可同时作为彩色滤光片和光二极管。因此，彩色滤光片和光二极管不需要在影像传感器内分开形成。因此，在影像传感器内形成的元件数量可以减少，且成本也可因此降低。再者，由于第一光电转换元件的使用，本公开的一些实施例可减少或防止像素之间的串音cross_talk。因此，可改善信号品质。在本公开的一些实施例中，影像传感器的倾斜光源的效能表现obliquesourceperformance也可受到改善。[0217]值得注意的是，以上所述的元件尺寸、元件参数、以及元件形状皆非为本公开的限制条件。本领域技术人员可以根据不同需要调整这些设定值。另外，本公开实施例的影像传感器及其制造方法并不仅限于图1A-图12所示的状态。本公开实施例可以仅包含图1A-图12中任何一个或更多个实施例的任何一个或更多部件。换言之，并非所有图示的部件均须同时实施于本公开实施例的影像传感器及其制造方法中。[0218]虽然本公开的实施例及其优点已公开如上，但应该了解的是，本领域技术人员，在不脱离本公开的精神和范围内，当可作更动、替代与润饰。此外，本公开的保护范围并未局限于说明书内所述特定实施例中的工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，本领域技术人员可从本公开实施例内容中理解，现行或未来所发展出的工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，只要可以与在此处所述实施例中实现大抵相同功能或获得大抵相同结果者皆可根据本公开实施例使用。因此，本公开的保护范围包括上述工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤。此外，本公开的保护范围当视后附的权利要求所界定为准。

权利要求：1.一种影像传感器，包括：一基底，具有彼此相邻的一第一区和一第二区；以及一第一光电转换元件，设置于该基底的该第一区上，其中该第一光电转换元件包括：一第一金属层，形成于该基底上；一第一光电转换层，形成于该第一金属层上；以及一第二金属层，形成于该第一光电转换层上。2.如权利要求1所述的影像传感器，其中该第一光电转换层包括一掺杂的半导体层或—量子膜，且该第一金属层和该第二金属层各自独立地包括Ag、Au、Cu、W、A1、Mo、Ti、Pt、Ir、Ni、Cr、Rh、前述的合金或前述的组合。3.如权利要求1所述的影像传感器，其中该第一金属层的厚度大于或等于该第二金属层的厚度。4.如权利要求1所述的影像传感器，还包括：一第二光电转换元件，设置于该基底的该第二区内，其中该第二光电转换元件埋置于该基底内；一高介电常数介电层，设置于该第二光电转换元件上；以及一透明层，设置于该高介电常数介电层上。5.如权利要求4所述的影像传感器，其中该第二光电转换元件与该第一光电转换元件的该第一金属层隔开，该透明层延伸至该第一光电转换元件上方，且该第一光电转换元件的一顶面比该透明层的一顶面高。6.如权利要求4所述的影像传感器，其中该高介电常数介电层形成于该基底的该第一区和该第二区上。7.如权利要求1所述的影像传感器，还包括：一被覆层，设置于该第一光电转换元件上，其中该被覆层包括一半导体材料或一介电材料;以及一微透镜，设置于该第一光电转换元件上。8.如权利要求1所述的影像传感器，其中该第一光电转换元件还包括：一第一额外的光电转换层，设置于该第二金属层上；一第三金属层，设置于该第一额外的光电转换层上；一第二额外的光电转换层，设置于该第三金属层上；以及一第四金属层，设置于该第二额外的光电转换层上。9.一种影像传感器，包括：一基底，具有一第一区和一第二区，其中该第二区与该第一区相邻；一第一光电转换元件，设置于该基底的该第一区上，其中该第一光电转换元件包括：一第一底金属层，形成于该基底上；一第一光电转换层，形成于该第一底金属层上，其中该第一光电转换层具有一第一厚度；以及一第一顶金属层，形成于该第一光电转换层上；以及一第二光电转换元件，设置于该基底的该第二区上，其中该第二光电转换元件包括：一第二底金属层，形成于该基底上；一第二光电转换层，形成于该第二底金属层上，其中该第二光电转换层具有一第二厚度；以及一第二顶金属层，形成于该第二光电转换层上，其中该第一厚度大于该第二厚度。10.如权利要求9所述的影像传感器，还包括：一第三光电转换元件，设置于该基底的一第三区上，其中该第三区与该第二区相邻，且该第三光电转换元件包括：一第三底金属层，形成于该基底上；一第三光电转换层，形成于该第三底金属层上，其中该第三光电转换层具有一第三厚度；以及一第三顶金属层，形成于该第三光电转换层上，其中该第二厚度大于该第三厚度。11.如权利要求10所述的影像传感器，还包括：一第四光电转换元件，设置于该基底的一第四区上，其中该第四区与该第三区相邻，且该第四光电转换元件包括：一第四底金属层，形成于该基底上；一第四光电转换层，形成于该第四底金属层上，其中该第四光电转换层具有一第四厚度；以及一第四顶金属层，形成于该第四光电转换层上，其中该第三厚度大于该第四厚度。12.如权利要求11所述的影像传感器，还包括：一第一微透镜，设置于该第一光电转换元件上；一第二微透镜，设置于该第二光电转换元件上；一第三微透镜，设置于该第三光电转换元件上；以及一第四微透镜，设置于该第四光电转换元件上。13.如权利要求9所述的影像传感器，其中该第二光电转换元件还包括一透明层设置于该第二光电转换层和该第二顶金属层之间，其中该第一光电转换元件的该第一顶金属层的一顶面与该第二光电转换元件的该第二顶金属层的一顶面共平面，或该第一光电转换元件的该第一顶金属层的一顶面比该第二光电转换元件的该第二顶金属层的一顶面高。

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