申请/专利权人：株式会社村田制作所

申请日：2015-11-17

公开（公告）日：2021-01-05

公开（公告）号：CN110350296B

主分类号：H01Q1/22(20060101)

分类号：H01Q1/22(20060101);H01Q1/40(20060101);H01Q7/00(20060101);H01Q9/26(20060101);G06K19/077(20060101)

优先权：["20141127 JP 2014-239824","20150219 JP 2015-030318"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.01.05#授权;2019.11.12#实质审查的生效;2019.10.18#公开

摘要：本发明的RFIC芯片16具有第1输入输出端子16a和第2输入输出端子16b，且内置于多层基板中。供电电路18包含线圈导体20a～20c且内置于多层基板中。线圈导体20a具有与第1输入输出端子16a连接的另一端第1线圈端，线圈导体20b具有与第2输入输出端子16b连接的另一端第2线圈端。第1端子电极14a和第2端子电极14b分别与线圈导体20a的一端第1位置和线圈导体20b的一端第2位置连接。第1线圈部CIL1存在于从第1线圈端至第1位置的区间内，第2线圈部存在于从第2线圈端至第2位置的区间内。俯视多层基板时，第1线圈部CIL1和第2线圈部CIL2包夹RFIC芯片16。

主权项：1.一种RFIC模块，包括：挠性的基板；RFIC芯片，该RFIC芯片搭载于所述基板且具有第1输入输出端子和第2输入输出端子；供电电路，该供电电路包含具有第1线圈端和第2线圈端的线圈导体，所述第1线圈端和所述第2线圈端分别与所述第1输入输出端子和所述第2输入输出端子连接；以及第1端子电极和第2端子电极，该第1端子电极和第2端子电极设置于所述基板且与所述线圈导体连接，该RFIC模块的特征在于，所述线圈导体分别具有第1线圈部和第2线圈部，该第1线圈部和第2线圈部分别在与所述基板的主面交叉的方向上具有卷绕轴，所述第1线圈部、所述第1线圈部所具有的卷绕轴即第1卷绕轴、所述第1端子电极和所述第2线圈部、所述第2线圈部所具有的卷绕轴即第2卷绕轴、所述第2端子电极配置于俯视所述基板时包夹所述RFIC芯片的位置且与所述RFIC芯片不重叠的位置，所述第1端子电极和所述第2端子电极设置于分别与所述第1线圈部和所述第2线圈部重叠的位置，并与天线元件电连接，在俯视所述基板时，所述第1端子电极被配置为与所述第1线圈部的线圈开口的中心不重叠，所述第2端子电极被配置为与所述第2线圈部的线圈开口的中心不重叠。

全文数据：RFIC模块以及具备该RFIC模块的RFID标签本申请是发明名称为“RFIC模块以及具备该RFIC模块的RFID标签”、国际申请日为2015年11月17日、申请号为201580030142.5国际申请号为PCTJP2015082287的发明专利申请的分案申请。技术领域本发明涉及RFICRadioFrequencyIntegratedCircuit:射频集成电路模块以及具备该RFIC模块的RFIDRadioFrequencyIDentifier:射频识别标签，尤其涉及具备具有两个输入输出端子的RFIC芯片、和具有分别与两个输入输出端子连接的两个线圈端的线圈导体的RFIC模块以及RFID标签。背景技术近年来，作为物品的信息管理系统，利用磁场或电磁场使读写器与贴在物品上的RFID标签以非接触方式进行通信，从而传递规定信息的RFID系统逐渐得到实用。该RFID标签具备存储规定信息并对规定的无线信号进行处理的RFIC芯片、和进行高频信号的发送接收的天线元件发射体，并粘贴在作为管理对象的各种物品或者其包装材料上来使用。作为RFID系统，通常有利用13.56MHz频带的HF频带RFID系统、或者利用900MHz频带的UHF频带RFID系统。尤其是UHF频带RFID系统，由于通信距离较长，且能够一次性读取多个标签，因而有望作为物品管理的系统。作为UHF频带RFID标签，已知有专利文献1所公开的结构的标签。现有技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2010146944号发明内容发明所要解决的技术问题在专利文献1的RFID标签中，两个线圈导体在陶瓷多层基板内相邻配置，从而容易在该线圈导体间形成寄生电容。当这些线圈导体经由寄生电容而耦合时，通过寄生电容分量和各线圈导体的电感分量形成谐振电路，从而会导致通带宽度变窄。因此，本发明的主要目的在于，提供能够减小通频带宽度变窄的可能性的RFIC模块以及具备该RFIC模块的RFID标签。解决问题的技术方案本发明涉及的RFIC模块包括：RFIC芯片，该RFIC芯片搭载在基板上且具有第1输入输出端子和第2输入输出端子；供电电路，该供电电路内置于基板中，且包含具有第1线圈端和第2线圈端的线圈导体，该第1线圈端和第2线圈端分别与第1输入输出端子和第2输入输出端子连接；第1端子电极，该第1端子电极设置于基板的主面上且连接在线圈导体的第1位置上；以及第2端子电极，该第2端子电子设置于基板的主面上且连接在线圈导体的第2位置上，线圈导体具有：第1线圈部，该第1线圈部存在于从第1线圈端至第1位置的区间内，并在与基板的主面交叉的方向上具有第1卷绕轴；以及第2线圈部，该第2线圈部存在于从第2线圈端至第2位置的区间内，并在与基板的主面交叉的方向上具有第2卷绕轴，第1线圈部和第1卷绕轴、与第2线圈部和第2卷绕轴配置于俯视基板时包夹RFIC芯片的位置。对于第1线圈部和第2线圈部，RFIC芯片作为接地或屏蔽件而发挥作用，从而使第1线圈部和第2线圈部相互难以磁耦合或电容耦合。由此，能够减小通信信号的通频带变窄的可能性。优选地，RFIC芯片内置于基板中，供电电路配置于从垂直于基板的规定侧面的方向观察时与RFIC芯片重叠的位置。由此，RFIC芯片产生的屏蔽效果增大。优选地，基板是主面呈长方形的挠性基板，第1线圈部和第2线圈部分别配置于描绘长方形的长边的一端侧和另一端侧。由此，能够形成厚度薄、面积大的柔性RFIC芯片。优选地，第1线圈部和第2线圈部分别配置于俯视基板时远离RFIC芯片的位置。由此，RFIC芯片产生的屏蔽效果增大。优选地，第1线圈部和第2线圈部被连接、卷绕，使各线圈部中产生的磁场呈同相。由此，第1线圈部与第2线圈部难以经由磁场来耦合。优选地，在俯视基板时，第1端子电极被配置为与第1线圈部的线圈开口的中心不重叠，第2端子电极被配置为与第2线圈部的线圈开口的中心不重叠。由此，第1线圈部和第2线圈部产生的磁场难以被第1端子电极以及第2端子电极所妨碍。优选地，线圈导体还包含第3线圈部和第4线圈部，该第3线圈部和第4线圈部串联连接于第1位置和第2位置之间，并且在俯视基板时分别与第1线圈部和第2线圈部重叠。基于第1线圈部与第2线圈部之间的寄生电容追加的谐振，通过第3线圈部和第4线圈部与本来的谐振耦合。由此，能够得到宽频带的谐振频率特性。在某一方面中，供电电路还包含：第1连接导体，该第1连接导体在俯视基板时在与第1端子电极重叠的位置沿基板的厚度方向延伸，并将第1线圈部和第3线圈部串联连接；以及第2连接导体，该第2连接导体在俯视基板时在与第2端子电极重叠的位置沿基板的厚度方向延伸，并将第2线圈部和第4线圈部串联连接。第1连接导体和第2连接导体俯视时配置于刚性区域中。由此，能够避免RFIC模块的挠性降低。在另一方面，第1线圈部、第2线圈部、第3线圈部以及第4线圈部被卷绕并连接，使线圈导体中产生的磁场在第1线圈部、第2线圈部、第3线圈部以及第4线圈部之间呈同相。由此，磁场的强度增大。优选地，第3线圈部和第4线圈部设置于与形成有第1端子电极和第2端子电极的层相邻的层上，第1线圈部和第2线圈部设置于与设有第3线圈部和第4线圈部的层相邻，且与形成有第1端子电极和第2端子电极的层呈相反侧的层上。由此，与第3线圈部和第4线圈部相比，第1线圈部和第2线圈部设置于更加远离第1端子电极和第2端子电极的位置。由此，即便使第1线圈部和第2线圈部的电感值增大，第1线圈部和第2线圈部产生的磁场也难以被第1端子电极以及第2端子电极所妨碍。进而优选地，第1线圈部和第2线圈部的电感值分别大于第3线圈部和第4线圈部的电感值。该情况下，将第1线圈部和第2线圈部配置于远离第1端子电极和第2端子电极的位置的意义增大。本发明涉及的RFID标签具有RFIC模块和与RFIC模块连接的天线元件，RFIC模块包括：RFIC芯片，该RFIC芯片搭载在基板上且具有第1输入输出端子和第2输入输出端子；供电电路，该供电电路内置于基板中，且包含具有第1线圈端和第2线圈端的线圈导体，该第1线圈端和第2线圈端分别与第1输入输出端子和第2输入输出端子连接；第1端子电极，该第1端子电极设置于基板的主面上且连接在线圈导体的第1位置上；以及第2端子电极，该第2端子电子设置于基板的主面上且连接在线圈导体的第2位置上，线圈导体具有：第1线圈部，该第1线圈部存在于从第1线圈端至第1位置的区间内，并在与基板的主面交叉的方向上具有第1卷绕轴；以及第2线圈部，该第2线圈部存在于从第2线圈端至第2位置的区间内，并在与基板的主面交叉的方向上具有第2卷绕轴，第1线圈部以及第1卷绕轴、与第2线圈部以及第2卷绕轴配置于俯视基板时包夹RFIC芯片的位置。对于第1线圈部和第2线圈部，RFIC芯片作为接地或屏蔽件而发挥作用，从而使第1线圈部和第2线圈部相互难以磁耦合或电容耦合。由此，能够减小通信信号的通频带变窄的可能性。优选地，天线元件是双极型天线元件，该天线元件具有一端与第1端子电极连接的第1天线部，以及一端与第2端子电极连接的第2天线部。由此，能够容易地制造RFID标签。优选地，天线元件是环型天线元件，该天线元件一端与第1端子电极连接，另一端与第2端子电极连接。由此，天线特性不易根据作为粘贴RFID标签的对象的物品的介电常数而变动。本发明涉及的RFIC模块包括：RFIC芯片，该RFIC芯片搭载在基板上且具有第1输入输出端子和第2输入输出端子；供电电路，该供电电路内置于基板中，且包含具有第1线圈端和第2线圈端的线圈导体，该第1线圈端和第2线圈端分别与第1输入输出端子和第2输入输出端子连接，线圈导体具有第1线圈部和第2线圈部，该第1线圈部和第2线圈部配置于俯视基板时包夹RFIC芯片的位置，且串联连接，第1线圈部和第2线圈部分别具有第1卷绕轴和第2卷绕轴，俯视基板时该第1卷绕轴和第2卷绕轴隔着RFIC芯片在与主面交叉的方向上延伸。对于第1线圈部和第2线圈部，RFIC芯片作为接地或屏蔽件而发挥作用，从而使第1线圈部和第2线圈部相互难以磁耦合和电容耦合。由此，能够减小通信信号的通频带变窄的可能性。另外，第1线圈部和第2线圈部作为天线元件发挥作用，由此能够实现小型的RFID标签。优选地，线圈导体还包含第3线圈部和第4线圈部，该第3线圈部和第4线圈部串联连接于第1线圈部和第2线圈部之间，并且在俯视基板时分别与第1线圈部和第2线圈部重叠。基于第1线圈部与第2线圈部之间的寄生电容追加的谐振，通过第3线圈部和第4线圈部与本来的谐振耦合。由此，能够得到宽频带的谐振频率特性。发明效果根据本发明，通过使RFIC芯片作为接地或屏蔽件而发挥作用，能够减小通信信号的通频带变窄的可能性。本发明的上述目的、其他目的、特征以及优点，通过参照附图进行的以下实施例的详细说明将变得更加清楚。附图说明图1是表示从斜上方观察本实施例的RFIC模块的状态的立体图。图2是表示RFIC模块的等效电路的电路图。图3A是表示从正上方观察RFIC模块的状态的俯视图，图3B是表示从正侧方观察RFIC模块的状态的侧视图，图3C是表示从正下方观察RFIC模块的状态的仰视图。图4A是表示从正上方观察构成RFIC模块的多层基板的上层绝缘层的状态的俯视图，图4B是表示从正上方观察构成RFIC模块的多层基板的中层绝缘层的状态的俯视图，图4C是表示从正上方观察构成RFIC模块的多层基板的底层绝缘层的状态的俯视图。图5A是表示图4A所示的绝缘层的A-A剖面的剖视图，图5B是表示图4B所示的绝缘层的B-B剖面的剖视图，图5C是表示图4C所示的绝缘层的C-C剖面的剖视图。图6是表示等效电路中产生磁场的状态的一例的示意图。图7A是表示从斜上方观察本实施例的RFID器件的状态的立体图，图7B是表示将本实施例的RFID器件分解并从斜上方观察的状态的立体图。图8是表示RFIC模块中的刚性区域和柔性区域的分布状态的示意图。图9是表示安装于天线元件上的RFIC模块翘曲后的状态的示意图。图10是表示电流流经等效电路的状态的一例的示意图。图11是表示RFID器件的频率特性的一例的图表。图12是表示从斜上方观察另一实施例的RFID器件的状态的立体图。图13A是表示将另一实施例的RFID器件分解并从斜上方观察的状态的立体图，图13B是表示从斜上方观察另一实施例的RFID器件的状态的立体图。图14是表示从斜上方观察又一实施例的RFID器件的状态的立体图。图15是表示从斜上方观察另一实施例的RFID器件的状态的立体图。图16是表示将图15所示的RFID器件安装在圆筒状的物品上的状态的立体图。图17A是表示从正上方观察构成另一实施例的RFIC模块的多层基板的上层绝缘层的状态的俯视图，图17B是表示从正上方观察构成另一实施例的RFIC模块的多层基板的中层绝缘层的状态的俯视图，图17C是表示从正上方观察构成另一实施例的RFIC模块的多层基板的底层绝缘层的状态的俯视图。图18A是表示从正上方观察构成又一实施例的RFIC模块的多层基板的上层绝缘层的状态的俯视图，图18B是表示从正上方观察构成又一实施例的RFIC模块的多层基板的中层绝缘层的状态的俯视图，图18C是表示从正上方观察构成又一实施例的RFIC模块的多层基板的底层绝缘层的状态的俯视图。图19A是表示从正上方观察构成进再一实施例的RFIC模块的多层基板的上层绝缘层的状态的俯视图，图19B是表示从正上方观察构成再一实施例的RFIC模块的多层基板的中层绝缘层的状态的俯视图，图19C是表示从正上方观察构成再一实施例的RFIC模块的多层基板的底层绝缘层的状态的俯视图。图20A是表示从正上方观察构成另一实施例的RFIC模块的多层基板的上层绝缘层的状态的俯视图，图20B是表示从正上方观察构成另一实施例的RFIC模块的多层基板的中层绝缘层的状态的俯视图，图20C是表示从正上方观察构成另一实施例的RFIC模块的多层基板的底层绝缘层的状态的俯视图。图21是表示从斜上方观察另一实施例的RFIC模块的状态的立体图。图22是表示图21所示的RFIC模块的等效电路的电路图。图23A是表示从正上方观察构成又一实施例的RFIC模块的多层基板的上层绝缘层的状态的俯视图，图23B是表示从正上方观察构成又一实施例的RFIC模块的多层基板的中层绝缘层的状态的俯视图，图23C是表示从正上方观察构成又一实施例的RFIC模块的多层基板的底层绝缘层的状态的俯视图。具体实施方式[实施例1]参照图1，本实施例的RFIC模块10的代表例为与900MHz频带、即UHF频带的通信频率对应的RFIC模块，其具有主面呈长方形的多层基板12。多层基板12以由聚酰亚胺或液晶聚合物等挠性的树脂绝缘层层叠而成的层叠体作为坯体，多层基板12本身也示出挠性。上述材料构成的各绝缘层的介电常数，小于以LTCC为代表的陶瓷基材层的介电常数。此外，在本实施例中，X轴被分配为多层基板12的长度方向，Y轴被分配为多层基板12的宽度方向，Z轴被分配为多层基板12的厚度方向。进而参照图3A～图3C、图4A～图4C以及图5A～图5C，在多层基板12中内置有RFIC芯片16和供电电路18，在多层基板12的一侧主面上形成有第1端子电极14a和第2端子电极14b。具体而言，RFIC芯片16为超薄封装ultrathinpackage，具有在以硅等半导体为材料的硬质半导体基板中内置有各种元件的结构，其一侧主面和另一侧主面描绘出正方形。另外，在RFIC芯片16的另一侧主面上，形成有第1输入输出端子16a和第2输入输出端子16b之后详细说明。在多层基板12的内部，RFIC芯片16以正方形的各边沿着X轴或Y轴延伸，并且一侧主面和另一侧主面分别朝向Z轴方向的正侧和负侧的方式，位于X轴方向、Y轴方向以及Z轴方向各自的中央。供电电路18通过线圈导体20和层间连接导体24a、24b之后详细说明形成。另外，线圈导体20通过线圈图案20a～20c形成。第1线圈部CIL1构成线圈图案20a的一部分，第2线圈部CIL2构成线圈图案20b的一部分，第3线圈部CIL3和第4线圈部CIL4构成线圈图案20c的一部分。其中，第1线圈部CIL1、第3线圈部CIL3以及层间连接导体24a在X轴方向的负侧位置处排列在Z轴方向上，第2线圈部CIL2、第4线圈部CIL4以及层间连接导体24b在X轴方向的正侧位置处排列在Z轴方向上。在此基础上，分别从Z轴方向、Y轴方向观察多层基板12时，RFIC芯片16配置于第1线圈部CIL1与第2线圈部CIL2之间，且配置于第3线圈部CIL3与第4线圈部CIL4之间。第1端子电极14a配置于X轴方向负侧的位置上，第2端子电极14b配置于X轴方向正侧的位置上。第1端子电极14a和第2端子电极14b均以挠性的铜箔为材料且形成为长条状，并且各自的主面尺寸相互一致。长条的短边沿X轴延伸，长条的长边沿Y轴延伸。因此，在从各绝缘层的层叠方向俯视多层基板12时，RFIC芯片16被夹在供电电路18的一部分与供电电路18的另一部分之间。另外，在从X轴方向观察多层基板12时，RFIC芯片16与供电电路18重叠。进而，在俯视多层基板12时，供电电路18与第1端子电极14a和第2端子电极14b分别部分重叠。此外，构成层叠体的各绝缘层薄至10μm以上且100μm以下，因此，可以透过外侧观察到内置于多层基板12中的RFIC芯片16和供电电路18。因此，能够容易地确认RFIC芯片16和供电电路18的连接状态有无断线。尤其参照图4A～图4C以及图5A～图5C，多层基板12通过层叠的三个片状的绝缘层12a～12c形成。其中，绝缘层12a构成上层，绝缘层12b构成中层，绝缘层12c构成底层。在绝缘层12a的一侧主面上，形成有第1端子电极14a和第2端子电极14b。如上所述，第1端子电极14a配置于X轴方向的负侧，第2端子电极14b配置于X轴方向的正侧。在绝缘层12b的一侧主面的中央位置形成有到达另一侧主面的矩形的贯通孔HL1。在此，贯通孔HL1的尺寸与RFIC芯片16的尺寸吻合。另外，在绝缘层12b的一侧主面中的贯通孔HL1的周边，形成有以挠性的铜箔为材料且呈带状延伸的线圈图案20c。线圈图案20c的一端配置于俯视时与第1端子电极14a重叠的位置，且通过沿Z轴方向延伸的层间连接导体22a与第1端子电极14a连接。另外，线圈图案20c的另一端配置于俯视时与第2端子电极14b重叠的位置，且通过沿Z轴方向延伸的层间连接导体22b与第2端子电极14b连接。此外，层间连接导体22a、22b以及后述的层间连接导体24a、24b是以Sn为主要成分的硬质金属块metalbulk。在以线圈图案20c的一端作为起始端时，线圈图案20c沿逆时针方向绕其一端旋转两圈并延伸至Y轴方向负侧的端部附近，然后朝向X轴方向的正侧延伸。接着，线圈图案20c在X轴方向正侧的端部附近朝向Y轴方向的正侧弯曲，并沿逆时针方向绕另一端旋转两圈后到达另一端。在绝缘层12c的一侧主面上，形成有以挠性的铜箔为材料且呈带状延伸的线圈图案20a和20b。在俯视绝缘层12b和12c时，线圈图案20a的一端配置于比线圈图案20c的一端稍微靠近Y轴方向负侧的位置，线圈图案20a的另一端＝第1线圈端T1配置于与贯通孔HL1所描绘的矩形的四角中位于X轴方向负侧且Y轴方向正侧的角重叠的位置。另外，线圈图案20b的一端配置于比线圈图案20c的另一端稍微靠近Y轴方向负侧的位置，线圈图案20b的另一端＝第2线圈端T2配置于与贯通孔HL1所描绘的矩形的四角中位于X轴方向正侧且Y轴方向正侧的角重叠的位置。此外，在俯视绝缘层12c时，第1线圈端T1和第2线圈端T2均呈矩形。在以线圈图案20a的一端作为起点时，线圈图案20a绕其一端以顺时针方向旋转2.5圈，然后朝向Y轴方向负侧弯曲并到达另一端。同样地，在以线圈图案20b的一端作为起点时，线圈图案20b绕其一端以逆时针方向旋转2.5圈，然后朝向Y轴方向的负侧弯曲并到达另一端。进而，线圈图案20a的一端通过沿Z轴方向延伸的层间连接导体24a与线圈图案20c的一端连接，线圈图案20b的一端通过沿Z轴方向延伸的层间连接导体24b与线圈图案20c的另一端连接。在俯视绝缘层12b和12c时，线圈图案20a的一部分区间与线圈图案20c的一部分区间重叠，线圈图案20b的一部分区间也与线圈图案20c的另一部分区间重叠。供电电路18通过如此配置的线圈图案20a～20c以及层间连接导体24a和24b而形成。在本实施例中，将线圈图案20a和20c的重叠区间中的线圈图案20a侧的区域定义为“第1线圈部CIL1”，将线圈图案20c侧的区间定义为“第3线圈部CIL3”。另外，将线圈图案20b和20c的重叠区间中的线圈图案20b侧的区间定义为“第2线圈部CIL2”，将线圈图案20c侧的区间定义为“第4线圈部CIL4”。进而，将线圈图案20a的一端或者线圈图案20c的一端的位置定义为“第1位置P1”，将线圈图案20b的一端或者线圈图案20c的另一端的位置定义为“第2位置P2”。在绝缘层12c的一侧主面上，还形成有以挠性的铜箔为材料且呈矩形的虚拟导体26a和26b。在俯视绝缘层12b和12c时，虚拟导体26a和26b被配置为：分别与贯通孔HL1所描绘的矩形的四角中在Y轴方向负侧沿X轴方向排列的两个角重叠。RFIC芯片16安装于绝缘层12c上，使其另一侧主面的四角分别与第1线圈端T1、第2线圈端T2、虚拟导体26a、26b相对。第1输入输出端子16a配置于RFIC芯片16的另一侧主面上，使其俯视时与第1线圈端T1重叠。同样地，第2输入输出端子16b配置于RFIC芯片16的另一侧主面上，使其俯视时与第2线圈端T2重叠。由此，RFIC芯片16通过第1输入输出端子16a与第1线圈端T1连接，通过第2输入输出端子16b与第2线圈端T2连接。图2示出如此构成的RFIC模块10的等效电路。电感器L1对应于第1线圈部CIL1，电感器L2对应于第2线圈部CIL2。另外，电感器L3对应于第3线圈部CIL3，电感器L4对应于第4线圈部CIL4。供电电路18的阻抗匹配的特性根据电感器L1～L4的值而定。电感器L1的一端和电感器L2的一端分别与设置于RFIC芯片16的第1输入输出端子16a和第2输入输出端子16b连接。电感器L1的另一端与电感器L3的一端连接，电感器L2的另一端与电感器L4的一端连接。电感器L3的另一端与电感器L4的另一端连接。第1端子电极14a与电感器L1和L3的连接点连接，第2端子电极14b与电感器L2和L4的连接点连接。由该等效电路可知，第1线圈部CIL1、第2线圈部CIL2、第3线圈部CIL3以及第4线圈部CIL4进行卷绕且相互串联连接，使磁场呈同相。因此，磁场在某一时刻产生，朝向图6中箭头所示方向，而在其他时刻产生，朝向与该箭头相反的方向。另外，由图4B和图4C可知，第1线圈部CIL1和第3线圈部CIL3呈大致相同的环形状，且具有相同的第1卷绕轴，第2线圈部CIL2和第4线圈部CIL4也呈大致相同的环形状，且具有相同的第2卷绕轴。进而，第1卷绕轴和第2卷绕轴配置于包夹RFIC芯片16的位置。即，第1线圈部CIL1和第3线圈部CIL3磁耦合且电容耦合，第2线圈部CIL2和第4线圈部CIL4也磁耦合且电容耦合。由以上说明可知，RFIC芯片16具有第1输入输出端子16a和第2输入输出端子16b，且内置于多层基板12中。另外，供电电路18包含线圈图案20a～20c且内置于多层基板12中。其中，线圈图案20a具有与第1输入输出端子16a连接的另一端＝第1线圈端T1，线圈图案20b具有与第2输入输出端子16b连接的另一端＝第2线圈端T2。进而，第1端子电极14a和第2端子电极14b设置于多层基板12的一侧主面上，且分别与线圈图案20a的一端＝第1位置P1和线圈图案20b的一端＝第2位置P2连接。另外，第1线圈部CIL1存在于从第1线圈端T1至第1位置P1的区间内，且在与多层基板12的一侧主面交叉的方向上具有第1卷绕轴。第2线圈部CIL2存在于从第2线圈端T2至第2位置P2的区间内，且在与多层基板12的一侧主面交叉的方向上具有第2卷绕轴。第3线圈部CIL3被配置为俯视时与第1线圈部CIL1重叠，第4线圈部CIL4被配置为俯视时与第2线圈部CIL2重叠。进而，第1线圈部CIL1、第3线圈部CIL3与第2线圈部CIL2、第4线圈部CIL4配置于俯视多层基板12时包夹RFIC芯片16的位置。用于阻抗匹配的供电电路18内置于多层基板12中，多层基板12中还内置有RFIC芯片16，第1线圈部CIL1、第3线圈部CIL3与第2线圈部CIL2、第4线圈部CIL4配置于俯视多层基板12时包夹RFIC芯片16的位置。RFIC芯片16由半导体基板构成，因此，对于第1线圈部CIL1、第2线圈部CIL2、第3线圈部CIL3以及第4线圈部CIL4，RFIC芯片16作为接地ground或屏蔽件发挥作用，从而使第1线圈部CIL1和第2线圈部CIL2难以磁耦合和电容耦合，第3线圈部CIL3和第4线圈部CIL4也难以磁耦合和电容耦合。由此，能够减小通信信号的通频带变窄的可能性。[实施例2]图7A和图7B表示安装有该实施例的RFIC模块10的RFID标签的一例。该RFID标签是双极型的RFID标签，天线元件30a由天线基材32a和配置于该天线基材32a上的天线导体34a、34b构成。天线基材32a是以PET为材料且具有挠性的带状基材。另外，天线导体34a和34b分别是以铝箔或铜箔为材料且具有挠性的带状导体。在此，天线导体34a和34b具有共通的宽度和长度。但是，天线导体34a和34b各自的宽度小于天线基材32a的宽度，天线导体34a和34b各自的长度不足天线基材32a的长度的一半。天线导体34a和34b设置于天线基材32a的表面＝朝向Z轴方向负侧的面上。具体而言，天线导体34a以沿着天线基材32a的长度方向延伸的状态，设置于天线基材32a的表面中的X轴方向负侧的区域中。同样地，天线导体34b以沿着天线基材32a的长度方向延伸的状态，设置于天线基材32a的表面中的X轴方向正侧的区域中。进而，天线导体34a的一端＝X轴方向正侧的端部与天线导体34b的一端＝X轴方向负侧的端部之间的间隔，和设置于RFIC模块10中的第1端子电极14a与第2端子电极14b的间隔一致。RFIC模块10以其一侧主面与天线基材32a的表面相对置的状态，安装于天线基材32a的表面的中央位置。由此，第1端子电极14a与天线导体34a的一端连接，第2端子电极14b与天线导体34b的一端连接。此外，第1端子电极14a通过导电性接合材料36a被固定在天线导体34a上，第2端子电极14b通过导电性接合材料36b被固定在天线导体34b上参照图9。但是，也可以取代导电性接合材料36a和36b而采用绝缘性的接合材料，并经由电容进行连接。即，第1端子电极14a和第2端子电极14b只要与天线导体34a和34b电连接即可。如上所述，多层基板12以挠性的聚酰亚胺或液晶聚合物作为材料，线圈图案20a～20c、第1端子电极14a以及第2端子电极14b以挠性的铜箔作为材料。相对于此，层间连接导体22a、22b、24a、24b是以Sn为材料的硬质导体，RFIC芯片16的基板也是以硅为材料的硬质基板。另外，在面积大的第1端子电极14a和第2端子电极14b中，铜箔的挠性变小，进而通过实施NiAu或NiSn等的镀膜，其挠性消失。由此，如图8所示，RFIC模块10上形成有刚性区域和柔性区域。根据图8所示，分别配置有第1端子电极14a、第2端子电极14b以及RFIC芯片16的区域为刚性区域，其他区域为柔性区域。尤其是，由于俯视时第1端子电极14a和第2端子电极14b分别设置于远离RFIC芯片16的位置，因此，第1端子电极14a和第2端子电极14b各自与RFIC芯片16之间形成有柔性区域。此外，层间连接导体22a、22b、24a、24b配置于刚性区域中。因此，在将RFID标签粘贴在曲面上时，RFIC模块10例如如图9所示那样翘曲。参照图10，在第1输入输出端子16a和第2输入输出端子16b之间，存在RFIC芯片16本身所具有的寄生电容Cp，在RFIC模块10中产生两个谐振。第1个谐振是由天线导体34a～34b、电感器L3以及电感器L4构成的电流路径中产生的谐振，第2个谐振是由电感器L1～L4以及寄生电容Cp构成的电流路径电流回路中产生的谐振。该两个谐振通过各电流路径所共有的电感器L3～L4而被耦合，分别与两个谐振对应的两个电流I1和I2以图10所示的要点流动。另外，第1个谐振频率和第2个谐振频率均受到电感器L3～L4的影响。第1个谐振频率与第2个谐振频率之间产生数十MHz具体为5MHz～50MHz左右的差。这些谐振频率特性在图11中以曲线A和B表现。通过使具有上述谐振频率的两个谐振耦合，能够得到图11中曲线C所示那样的宽频带broadband的谐振频率特性。[实施例3]图12表示安装有该实施例的RFIC模块10的RFID标签的另一例。除了在天线基材32a的背面＝朝向Z轴方向正侧的面上形成有磁体36这一点之外，该RFID标签与图7中的A～B所示的RFID标签相同。因此，能够容易地将RFID标签粘贴在金属制成的物体上。[实施例4]图13A和图13B表示安装有该实施例的RFIC模块10的RFID标签的另一例。如图13A和图13B所示，天线元件30c由天线基材32b和配置于该天线基材32b上的天线导体34c构成。与上述同样地，天线基材32b是以PET作为材料且具有挠性的带状基材，天线导体34c是以铝箔或铜箔作为材料且具有挠性的带状导体。但是，在形成天线导体34c的带的长度方向中央，设置具有沿着带延伸的长边的长方形的贯通孔HL2，进而设置有从带的外边缘到达贯通孔HL2的切口CT1。贯通孔HL2的长度大于RFIC模块10的长度，而切口CT1的长度小于RFIC模块10的长度。通过形成贯通孔HL2和切口CT1，存在于贯通孔HL2周围的一部分导体作为用于阻抗匹配的环状导体34lp发挥作用。RFIC模块10以其一侧主面与天线基材32b的表面相对的状态，安装于覆盖切口CT1的位置。由此，第1端子电极14a与环状导体34lp的一端连接，第2端子电极14b与环状导体34lp的另一端连接。[实施例5]图14表示安装有该实施例的RFIC模块10的RFID标签的又一例。根据图14所示，天线元件30d由正方形的天线基材32c和配置于该天线基材32c上的天线导体34d构成。天线导体34d是将图13A～图13B所示的天线导体34c以环状耦合而形成的。由此，天线导体34d作为环形天线发挥作用。[实施例6]图15表示安装有该实施例的RFIC模块10的RFID标签的另一例。如图15所示，天线元件30e由正方形的天线基材32c和配置于该天线基材32c上的天线导体34e构成。天线导体34e是将图7A～图7B所示的天线导体34a和34b以环状耦合而形成的。由此，天线导体34e作为环形天线发挥作用。图14或图15所示的RFID标签以图16所示的要领点粘贴在圆筒状的物品40上。物品40是例如PET瓶或者静脉滴注用的柔性袋，图16表示粘贴图15所示的RFID标签的状态。在环形天线的情况下，不同于双极天线而不存在开放端。因此，天线特性难以受到作为粘贴对象的物品40的介电常数的影响。[实施例7]图17A～图17C表示构成RFIC模块10的多层基板12的另一例。与图4A～图4C所示的多层基板12的主要不同点在于，第1线圈部CIL11和第2线圈部CIL21各自的卷绕方向、第3线圈部CIL31和CIL41各自的匝数和卷绕方向、第1线圈部CIL11的开口中心与第1端子电极141a的俯视时的位置关系、以及第2线圈部CIL21的开口中心与第2端子电极141b的俯视时的位置关系。如图17A～图17C所示，多层基板12通过层叠的三个片状的绝缘层121a～121c形成。其中，绝缘层121a构成上层，绝缘层121b构成中层，绝缘层121c构成底层。在绝缘层121a的一侧主面上，形成有第1端子电极141a和第2端子电极141b。第1端子电极141a配置于X轴方向的负侧，第2端子电极141b配置于X轴方向的正侧。在绝缘层121b的一侧主面的中央位置，形成有到达另一侧主面的矩形的贯通孔HL11。在此，贯通孔HL11的尺寸与RFIC芯片161的尺寸一致。另外，在绝缘层121b的一侧主面中的贯通孔HL11的周围，形成有以挠性的铜箔为材料且呈带状延伸的线圈图案201c。线圈图案201c的一端配置于俯视时与第1端子电极141a重叠的位置，且通过沿Z轴方向延伸的层间连接导体221a而与第1端子电极141a连接。另外，线圈图案201c的另一端配置于俯视时与第2端子电极141b重叠的位置，且通过沿Z轴方向延伸的层间连接导体221b而与第2端子电极141b连接。此外，层间连接导体221a、221b以及后述的层间连接导体241a、241b是以Sn为主要成分的硬质金属块。在以线圈图案201c的一端作为起始端时，线圈图案201c以顺时针方向围绕其一端旋转一圈并延伸至Y轴方向正侧的端部附近，然后朝向X轴方向的正侧延伸。接着，线圈图案201c在X轴方向正侧的端部附近朝向Y轴方向的负侧弯曲，并以顺时针方向围绕另一端旋转一圈后到达另一端。在绝缘层121c的一侧主面上，形成有以挠性的铜箔为材料且呈带状延伸的线圈图案201a和201b。在俯视绝缘层121b和121c时，线圈图案201a的一端配置于相比线圈图案201c的一端稍微靠近Y轴方向正侧的位置处，线圈图案201a的另一端＝第1线圈端T11配置于贯通孔HL11所描绘的矩形内侧的X轴方向负侧的位置。另外，线圈图案201b的一端配置于相比线圈图案201c的另一端稍微靠近Y轴方向正侧的位置，线圈图案201b的另一端＝第2线圈端T21配置于贯通孔HL11所描绘的矩形内侧的X轴方向正侧的位置。此外，第1线圈端T11和第2线圈端T21在俯视绝缘层121c时均呈长边沿Y轴方向延伸的长方形。在以线圈图案201a的一端作为起点时，线圈图案201a沿逆时针方向围绕其一端旋转2.5圈，然后朝向Y轴方向正侧弯曲并到达另一端。同样地，在以线圈图案201b的一端作为起点时，线圈图案201b以顺时针方向围绕其一端旋转2.5圈，然后朝向Y轴方向的正侧弯曲并到达另一端。进而，线圈图案201a的一端通过沿Z轴方向延伸的层间连接导体241a而与线圈图案201c的一端连接，线圈图案201b的一端通过沿Z轴方向延伸的层间连接导体241b而与线圈图案201c的另一端连接。供电电路18通过如此配置的线圈图案201a～201c以及层间连接导体241a和241b而形成。在此，将线圈图案201a中除了第1线圈端T11之外的导体部分定义为“第1线圈部CIL11”，将线圈图案201b中除了第2线圈端T21之外的导体部分定义为“第2线圈部CIL21”。另外，将线圈图案201c中比贯通孔HL11更靠近X轴方向负侧的导体部分定义为“第3线圈部CIL31”，将线圈图案201c中比贯通孔HL11更靠近X轴方向正侧的导体部分定义为“第4线圈部CIL41”。此外，线圈图案201a的一端或者线圈图案201c的一端的位置对应于“第1位置P1”，线圈图案201b的一端或者线圈图案201c的另一端的位置对应于“第2位置P2”。在RFIC芯片161的另一侧主面上，设置第1输入输出端子161a和第2输入输出端子161b。具体而言，第1输入输出端子161a配置于X轴方向的负侧，第2输入输出端子161b配置于X轴方向的正侧。RFIC芯片161安装于绝缘层121c的一侧主面上，使这样配置的第1输入输出端子161a和第2输入输出端子161b与第1线圈端T11和第2线圈端T21连接。从第1端子电极141a至第1线圈部CIL11为止的距离大于从第1端子电极141a至第3线圈部CIL31为止的距离，从第2端子电极141b至第2线圈部CIL21为止的距离大于从第2端子电极141b至第4线圈部CIL41为止的距离。在此基础上，在该多层基板12中，第1线圈部CIL11的匝数多于第3线圈部CIL31的匝数，第2线圈部CIL21的匝数多于第4线圈部CIL41的匝数。换言之，第1线圈部CIL11的电感值大于第3线圈部CIL31的电感值，第2线圈部CIL21的电感值大于第4线圈部CIL41的电感值。另外，在从Z轴方向观察时，第1端子电极141a与第1线圈部CIL11和第3线圈部CIL31各自的开口中心不重叠，第2端子电极141b与第2线圈部CIL21和第4线圈部CIL41各自的开口中心不重叠。由此，第1线圈部CIL11和第3线圈部CIL31形成的磁场被第1端子电极141a妨碍的可能性减小，同样地，第2线圈部CIL21和第4线圈部CIL41形成的磁场被第2端子电极141b妨碍的可能性减小。此外，通过完全排除第1线圈部CIL11和第3线圈部CIL31各自的开口与第1端子电极141a的重叠，完全排除第2线圈部CIL21和第4线圈部CIL41各自的开口与第2端子电极141b的重叠，能够进一步减小对磁场的形成造成妨碍的可能性。[实施例8]图18A～图18C表示构成RFIC模块10的多层基板12的又一例。与图17A～图17C所示的多层基板12的主要不同点在于，第1线圈部CIL12和第2线圈部CIL22各自的匝数和开口面积、第3线圈部CIL32和第4线圈部CIL42各自的开口面积、以及层间连接导体221a～221b、241a～241b的配置。如图18A～图18C所示，多层基板12通过层叠的三个片状的绝缘层122a～122c形成。其中，绝缘层122a构成上层，绝缘层122b构成中层，绝缘层122c构成底层。在绝缘层122a的一侧主面上，形成有第1端子电极142a和第2端子电极142b。第1端子电极142a配置于X轴方向的负侧，第2端子电极142b配置于X轴方向的正侧。在绝缘层122b的一侧主面的中央位置，形成有到达另一侧主面的矩形的贯通孔HL12。在此，贯通孔HL12的尺寸与RFIC芯片162的尺寸一致。另外，在绝缘层122b的一侧主面中的贯通孔HL12的周围，形成有以挠性的铜箔为材料且呈带状延伸的线圈图案202c。线圈图案202c的一端配置于俯视时与第1端子电极142a重叠的位置，且通过沿Z轴方向延伸的层间连接导体222a与第1端子电极142a连接。另外，线圈图案202c的另一端配置于俯视时与第2端子电极142b重叠的位置，且通过沿Z轴方向延伸的层间连接导体222b与第2端子电极142b连接。此外，层间连接导体222a、222b以及后述的层间连接导体242a、242b是以Sn为主要成分的硬质金属块。在以线圈图案202c的一端作为起始端时，线圈图案202c以顺时针方向围绕其一端旋转一圈并延伸至Y轴方向正侧的端部附近，然后朝向X轴方向的正侧延伸。接着，线圈图案202c在X轴方向正侧的端部附近朝向Y轴方向的负侧弯曲，并以顺时针方向围绕另一端旋转一圈后到达另一端。在绝缘层122c的一侧主面上，形成有以挠性的铜箔为材料且呈带状延伸的线圈图案202a和202b。在俯视绝缘层122b和122c时，线圈图案202a的一端配置于与线圈图案202c的一端重叠的位置，线圈图案202a的另一端＝第1线圈端T12配置于贯通孔HL12所描绘的矩形内侧的X轴方向负侧的位置。另外，线圈图案202b的一端配置于与线圈图案202c的另一端重叠的位置，线圈图案202b的另一端＝第2线圈端T22配置于贯通孔HL12所描绘的矩形内侧的X轴方向正侧的位置。此外，第1线圈端T12和第2线圈端T22在俯视绝缘层122c时均呈长边沿Y轴方向延伸的长方形。在以线圈图案202a的一端作为起点时，线圈图案201a以逆时针方向围绕其一端旋转1.5圈，然后朝向Y轴方向正侧弯曲并到达另一端。同样地，在以线圈图案202b的一端作为起点时，线圈图案202b以顺时针方向围绕其一端旋转1.5圈，然后朝向Y轴方向的正侧弯曲并到达另一端。进而，线圈图案202a的一端通过沿Z轴方向延伸的层间连接导体242a而与线圈图案202c的一端连接，线圈图案202b的一端通过沿Z轴方向延伸的层间连接导体242b而与线圈图案202c的另一端连接。供电电路18通过如此配置的线圈图案202a～202c以及层间连接导体242a和242b形成。在此，将线圈图案202a中除了第1线圈端T12之外的导体部分定义为“第1线圈部CIL12”，将线圈图案202b中除了第2线圈端T22之外的导体部分定义为“第2线圈部CIL22”。另外，将线圈图案202c中相比贯通孔HL12更靠近X轴方向负侧的导体部分定义为“第3线圈部CIL32”，将线圈图案202c中相比贯通孔HL12更靠近X轴方向正侧的导体部分定义为“第4线圈部CIL42”。此外，线圈图案202a的一端或者线圈图案202c的一端的位置对应于“第1位置P1”，线圈图案202b的一端或者线圈图案202c的另一端的位置对应于“第2位置P2”。在RFIC芯片162的另一侧主面上，设置第1输入输出端子162a和第2输入输出端子162b。具体而言，第1输入输出端子162a配置于X轴方向的负侧，第2输入输出端子162b配置于X轴方向的正侧。RFIC芯片162安装于绝缘层122c的一侧主面上，使这样配置的第1输入输出端子162a和第2输入输出端子162b、与第1线圈端T12和第2线圈端T22连接。在该多层基板12中，第3线圈部CIL32的开口面积和开口中心，与第1线圈部CIL12的开口面积和开口中心大致一致。同样地，第4线圈部CIL42的开口面积和开口中心，与第2线圈部CIL22的开口面积和开口中心大致一致。进而，在从Z轴方向观察时，第1线圈部CIL12的开口中心和第3线圈部CIL32的开口中心与第1端子电极142a不重叠，同样地，第2线圈部CIL22的开口中心和第4线圈部CIL42的开口中心也与第2端子电极142b不重叠。由此，通过第1线圈部CIL12和第3线圈部CIL32形成的磁场稳定，同样地,通过第2线圈部CIL22和第4线圈部CIL42形成的磁场稳定。[实施例9]图19A～图19C表示构成RFIC模块10的多层基板12的进而又一例。与图17A～图17C所示的多层基板12的主要不同点在于，第3线圈部CIL32和第4线圈部CIL42各自的开口面积。根据图17A～图17C所示，多层基板12通过层叠的三个片状的绝缘层123a～123c形成。其中，绝缘层123a构成上层，绝缘层123b构成中层，绝缘层123c构成底层。在绝缘层123a的一侧主面上，形成有第1端子电极143a和第2端子电极143b。第1端子电极143a配置于X轴方向的负侧，第2端子电极143b配置于X轴方向的正侧。在绝缘层123b的一侧主面的中央位置，形成有到达另一侧主面的矩形的贯通孔HL13。在此，贯通孔HL13的尺寸与RFIC芯片163的尺寸一致。另外，在绝缘层123b的一侧主面中的贯通孔HL13的周围，形成有以挠性的铜箔为材料且呈带状延伸的线圈图案203c。线圈图案203c的一端配置于俯视时与第1端子电极143a重叠的位置，且通过沿Z轴方向延伸的层间连接导体223a与第1端子电极143a连接。另外，线圈图案203c的另一端配置于俯视时与第2端子电极143b重叠的位置，且通过沿Z轴方向延伸的层间连接导体223b与第1端子电极143b连接。此外，层间连接导体223a、223b以及后述的层间连接导体243a、243b是以Sn为主要成分的硬质金属块。在以线圈图案203c的一端作为起始端时，线圈图案203c以顺时针方向围绕其一端旋转一圈并延伸至Y轴方向正侧的端部附近，然后朝向X轴方向的正侧延伸。接着，线圈图案203c在X轴方向正侧的端部附近朝向Y轴方向的负侧弯曲，并以顺时针方向围绕另一端旋转一圈后到达另一端。在绝缘层123c的一侧主面上，形成有以挠性的铜箔为材料且呈带状延伸的线圈图案203a和203b。在俯视绝缘层123b和123c时，线圈图案203a的一端配置于比线圈图案203c的一端稍微靠近Y轴方向正侧的位置，线圈图案203a的另一端＝第1线圈端T13配置于贯通孔HL13所描绘的矩形内侧的X轴方向负侧的位置。另外，线圈图案203b的一端配置于比线圈图案203c的另一端稍微靠近Y轴方向正侧的位置处，线圈图案203b的另一端＝第2线圈端T23配置于贯通孔HL13所描绘的矩形内侧的X轴方向正侧的位置。此外，第1线圈端T13和第2线圈端T23在俯视绝缘层123c时均呈长边沿Y轴方向延伸的长方形。在以线圈图案203a的一端作为起点时，线圈图案203a以逆时针方向围绕其一端旋转2.5圈，然后朝向Y轴方向正侧弯曲并到达另一端。同样地，在以线圈图案203b的一端作为起点时，线圈图案203b以顺时针方向围绕其一端旋转2.5圈，然后朝向Y轴方向的正侧弯曲并到达另一端。进而，线圈图案203a的一端通过沿Z轴方向延伸的层间连接导体243a与线圈图案203c的一端连接，线圈图案203b的一端通过沿Z轴方向延伸的层间连接导体243b与线圈图案203c的另一端连接。供电电路18通过这样配置的线圈图案203a～203c以及层间连接导体243a和243b形成。在此，将线圈图案203a中除了第1线圈端T13之外的导体部分定义为“第1线圈部CIL13”，将线圈图案203b中除了第2线圈端T23之外的导体部分定义为“第2线圈部CIL23”。另外，将线圈图案203c中相比贯通孔HL13更靠近X轴方向负侧的导体部分定义为“第3线圈部CIL33”，将线圈图案203c中相比贯通孔HL13更靠近X轴方向正侧的导体部分定义为“第4线圈部CIL43”。此外，线圈图案203a的一端或者线圈图案203c的一端的位置对应于“第1位置P1”，线圈图案203b的一端或者线圈图案203c的另一端的位置对应于“第2位置P2”。在RFIC芯片163的另一侧主面上，设置第1输入输出端子163a和第2输入输出端子163b。具体而言，第1输入输出端子163a配置于X轴方向的负侧，第2输入输出端子163b配置于X轴方向的正侧。RFIC芯片163安装于绝缘层123c的一侧主面上，使这样配置的第1输入输出端子162a和第2输入输出端子163b与第1线圈端T13和第2线圈端T23连接。与图17A～图17C所示的多层基板12相比，在该多层基板12中，第1线圈部CIL13的电感值也大于第3线圈部CIL33的电感值，第2线圈部CIL23的电感值也大于第4线圈部CIL43的电感值。另外，从Z轴方向观察时，第1线圈部CIL13的开口中心和第3线圈部CIL33的开口中心与第1端子电极143a不重叠，同样地，第2线圈部CIL23的开口中心和第4线圈部CIL43的开口中心也与第2端子电极143b不重叠。但是，第3线圈部CIL33的开口面积大于图17B所示的第3线圈部CIL31的开口面积，第4线圈部CIL43的开口面积大于图17B所示的第4线圈部CIL41的开口面积。因此，与图17A～图17C所示的多层基板12相比，通过第1线圈部CIL11和第3线圈部CIL31形成的磁场、以及通过第2线圈部CIL21和第4线圈部CIL41形成的磁场较大。[实施例10]图20A～图20C表示构成RFIC模块10的多层基板12的又一例。与图17A～图17C所示的多层基板12的主要不同点在于，第1线圈部CIL14和第2线圈部CIL24各自的开口面积、第3线圈部CIL32和第4线圈部CIL42各自的匝数和开口面积、以及层间连接导体224a～224b、244a～244b的配置。如图20A～图20C所示，多层基板12通过层叠的三个片状的绝缘层124a～124c形成。其中，绝缘层124a构成上层，绝缘层124b构成中层，绝缘层124c构成底层。在绝缘层124a的一侧主面上，形成有第1端子电极144a和第2端子电极144b。第1端子电极144a配置于X轴方向的负侧，第2端子电极144b配置于X轴方向的正侧。在绝缘层124b的一侧主面的中央位置，形成有到达另一侧主面的矩形的贯通孔HL14。在此，贯通孔HL14的尺寸与RFIC芯片164的尺寸一致。另外，在绝缘层124b的一侧主面中的贯通孔HL14的周围，形成有以挠性的铜箔为材料且呈带状延伸的线圈图案204c。线圈图案204c的一端配置于俯视时与第1端子电极144a重叠的位置，且通过沿Z轴方向延伸的层间连接导体224a与第1端子电极144a连接。另外，线圈图案204c的另一端配置于俯视时与第2端子电极144b重叠的位置，且通过沿Z轴方向延伸的层间连接导体224b而与第2端子电极144b连接。此外，层间连接导体224a、224b以及后述的层间连接导体244a、244b是以Sn为主要成分的硬质金属块。在以线圈图案204c的一端作为起始端时，线圈图案204c以顺时针方向围绕其一端旋转两圈并延伸至Y轴方向正侧的端部附近，然后朝向X轴方向的正侧延伸。接着，线圈图案204c在X轴方向正侧的端部附近朝向Y轴方向的负侧弯曲，并以顺时针方向围绕另一端旋转两圈后到达另一端。在绝缘层124c的一侧主面上，形成有以挠性的铜箔为材料且呈带状延伸的线圈图案204a和204b。在俯视绝缘层124b和124c时，线圈图案204a的一端配置于与线圈图案204c的一端重叠的位置，线圈图案204a的另一端＝第1线圈端T14配置于贯通孔HL14所描绘的矩形内侧的X轴方向负侧的位置。另外，线圈图案204b的一端配置于与线圈图案204c的另一端重叠的位置，线圈图案204b的另一端＝第2线圈端T24配置于贯通孔HL14所描绘的矩形内侧的X轴方向正侧的位置。此外，第1线圈端T14和第2线圈端T24在俯视绝缘层124c时均呈长边沿Y轴方向延伸的长方形。在以线圈图案204a的一端作为起点时，线圈图案201a以逆时针方向围绕其一端旋转2.5圈，然后朝向Y轴方向正侧弯曲并到达另一端。同样地，在以线圈图案204b的一端作为起点时，线圈图案204b以顺时针方向围绕其一端旋转2.5圈，然后朝向Y轴方向的正侧弯曲并到达另一端。进而，线圈图案204a的一端通过沿Z轴方向延伸的层间连接导体244a与线圈图案204c的一端连接，线圈图案204b的一端通过沿Z轴方向延伸的层间连接导体244b与线圈图案204c的另一端连接。供电电路18通过如此配置的线圈图案204a～204c以及层间连接导体244a和244b形成。在此，将线圈图案204a中除了第1线圈端T12之外的导体部分定义为“第1线圈部CIL14”，将线圈图案204b中除了第2线圈端T24之外的导体部分定义为“第2线圈部CIL24”。另外，将线圈图案204c中相比贯通孔HL14更靠近X轴方向负侧的导体部分定义为“第3线圈部CIL34”，将线圈图案204c中相比贯通孔HL14更靠近X轴方向正侧的导体部分定义为“第4线圈部CIL44”。此外，线圈图案204a的一端或者线圈图案204c的一端的位置对应于“第1位置P1”，线圈图案204b的一端或者线圈图案204c的另一端的位置对应于“第2位置P2”。在RFIC芯片164的另一侧主面上，设置第1输入输出端子164a和第2输入输出端子164b。具体而言，第1输入输出端子164a配置于X轴方向的负侧，第2输入输出端子164b配置于X轴方向的正侧。RFIC芯片164安装于绝缘层124c的一侧主面上，使这样配置的第1输入输出端子164a和第2输入输出端子164b、与第1线圈端T14和第2线圈端T24连接。与图17A～图17C所示的多层基板12相比较可知，第3线圈部CIL34的匝数多于第3线圈部CIL31的匝数，第4线圈部CIL44的匝数多于第4线圈部CIL41的匝数。另外，第1线圈部CIL14的开口面积小于第1线圈部CIL11的开口面积，第2线圈部CIL24的开口面积小于第2线圈部CIL21的开口面积。进而，在从Z轴方向观察时，第1线圈部CIL14的开口中心和第3线圈部CIL34的开口中心与第1端子电极142a不重叠，第2线圈部CIL24的开口中心和第4线圈部CIL44的开口中心也与第2端子电极142b不重叠。结果，通过第1线圈部CIL14和第3线圈部CIL34形成的磁场稳定，同样地,通过第2线圈部CIL24和第4线圈部CIL44形成的磁场稳定。[实施例11]参照图21和图22，除了省略图4A所示的第1端子电极14a、第2端子电极14b以及层间连接导体22a、22b这一点之外，该实施例的RFIC模块10′与图1所示的RFIC模块10相同，故省略关于相同构成的重复说明。如上所述，电感器L1和L2对谐振频率造成影响，并且，与电感器L1和L2分别对应的第1线圈部CIL1和第2线圈部CIL2作为天线元件发挥作用。因此，在RFIC模块10′中，省略了用于与图7A～图7B所示的天线导体34a和34b连接的两个端子电极，进而也省略了从第1线圈部CIL1、第3线圈部CIL3的连接点延伸的层间连接导体、和从第2线圈部CIL2、第4线圈部CIL4的连接点延伸的层间连接导体。由此，能够得到小型的RFID标签。此外，RFIC模块10′也可以由从图17A～图17C所示的多层基板12中省略第1端子电极141a、第2端子电极141b以及层间连接导体221a、221b的基板构成，也可以由从图18A～图18C所示的多层基板12中省略第1端子电极142a、第2端子电极142b以及层间连接导体222a、222b的基板构成，也可以由从图19A～图19C所示的多层基板12中省略第1端子电极143a、第2端子电极143b以及层间连接导体223a、223b的基板构成，进而还可以由从图20A～图20C所示的多层基板12中省略第1端子电极144a、第2端子电极144b以及层间连接导体224a、2214的基板构成。作为参考，图23A～图23C表示从图17A～图17C所示的多层基板12中省略第1端子电极141a、第2端子电极141b以及层间连接导体221a、221b的多层基板。此外，上述多个实施例的构成可以在不矛盾的范围内适当地进行组合，这是毋庸置疑的。符号说明10…RFIC模块12…多层基板基板14a、141a～144a…第1端子电极14b、141b～144b…第2端子电极16a、161a～164a…第1输入输出端子16b、161a～164a…第2输入输出端子18…供电电路20…线圈导体20a～20c、201a～201c、202a～202c、203a～203c、204a～204c…线圈图案CIL1、CIL11～CIL14…第1线圈部CIL2、CIL21～CIL24…第2线圈部CIL3、CIL31～CIL34…第3线圈部CIL4、CIL41～CIL44…第4线圈部30a～30e…天线元件

权利要求：1.一种RFIC模块，包括：挠性的基板；RFIC芯片，该RFIC芯片搭载于所述基板且具有第1输入输出端子和第2输入输出端子；供电电路，该供电电路包含具有第1线圈端和第2线圈端的线圈导体，所述第1线圈端和所述第2线圈端分别与所述第1输入输出端子和所述第2输入输出端子连接；以及第1端子电极和第2端子电极，该第1端子电极和第2端子电极设置于所述基板且与所述线圈导体连接，该RFIC模块的特征在于，所述线圈导体分别具有第1线圈部和第2线圈部，该第1线圈部和第2线圈部分别在与所述基板的主面交叉的方向上具有卷绕轴，所述第1线圈部和所述第2线圈部配置于俯视所述基板时包夹所述RFIC芯片的位置且与所述RFIC芯片不重叠的位置，所述第1端子电极和所述第2端子电极设置于分别与所述第1线圈部和所述第2线圈部重叠的位置，在俯视所述基板时，所述第1端子电极被配置为与所述第1线圈部的线圈开口的中心不重叠，所述第2端子电极被配置为与所述第2线圈部的线圈开口的中心不重叠。2.一种RFIC模块，包括：挠性的基板；RFIC芯片，该RFIC芯片搭载于所述基板且具有第1输入输出端子和第2输入输出端子；供电电路，该供电电路包含具有第1线圈端和第2线圈端的线圈导体，所述第1线圈端和所述第2线圈端分别与所述第1输入输出端子和所述第2输入输出端子连接；以及第1端子电极和第2端子电极，该第1端子电极和第2端子电极设置于所述基板且与所述线圈导体连接，该RFIC模块的特征在于，所述线圈导体分别具有第1线圈部和第2线圈部，该第1线圈部和第2线圈部分别在与所述基板的主面交叉的方向上具有卷绕轴，所述第1线圈部和所述第2线圈部配置于俯视所述基板时包夹所述RFIC芯片的位置且与所述RFIC芯片不重叠的位置，所述第1端子电极和所述第2端子电极设置于分别与所述第1线圈部和所述第2线圈部重叠的位置，所述第1端子电极与所述线圈导体的第1位置连接，所述第2端子电极与所述线圈导体的第2位置连接，所述线圈导体还包含第3线圈部和第4线圈部，该第3线圈部和第4线圈部在所述第1位置和所述第2位置之间串联连接，并且在俯视所述基板时分别与所述第1线圈部和所述第2线圈部重叠。3.如权利要求1或2所述的RFIC模块，其特征在于，所述RFIC芯片内置于所述基板，且所述供电电路配置于从垂直于所述基板的规定侧面的方向观察时与所述RFIC芯片重叠的位置。4.如权利要求1至3的任一项所述的RFIC模块，其特征在于，所述基板是所述主面呈长方形的挠性基板，所述第1线圈部和所述第2线圈部分别配置于描绘所述长方形的长边的一端侧和另一端侧。5.如权利要求1至4的任一项所述的RFIC模块，其特征在于，所述第1端子电极和所述第2端子电极在俯视时与所述第1线圈部和所述第2线圈部中远离所述RFIC芯片的部分局部重叠。6.如权利要求1至5的任一项所述的RFIC模块，其特征在于，所述第1线圈部和所述第2线圈部被连接、卷绕，使各线圈部中产生的磁场呈同相。7.如权利要求2所述的RFIC模块，其特征在于，所述供电电路还包含：第1连接导体，该第1连接导体在俯视所述基板时在与所述第1端子电极重叠的位置沿所述基板的厚度方向延伸，并将所述第1线圈部和所述第3线圈部串联连接；以及第2连接导体，该第2连接导体在俯视所述基板时在与所述第2端子电极重叠的位置沿所述基板的厚度方向延伸，并将所述第2线圈部和所述第4线圈部串联连接。8.如权利要求2或7所述的RFIC模块，其特征在于，所述第1线圈部、所述第2线圈部、所述第3线圈部以及所述第4线圈部被卷绕并连接，使所述线圈导体中产生的磁场在所述第1线圈部、所述第2线圈部、所述第3线圈部以及所述第4线圈部之间呈同相。9.如权利要求2、7、8中的任一项所述的RFIC模块，其特征在于，所述第3线圈部和所述第4线圈部设置于与形成有所述第1端子电极和所述第2端子电极的层相邻的层上，所述第1线圈部和所述第2线圈部设置于与设有所述第3线圈部和所述第4线圈部的所述层相邻，且与形成有所述第1端子电极和所述第2端子电极的层呈相反侧的层上。10.如权利要求2、7至9中的任一项所述的RFIC模块，其特征在于，所述第1线圈部和所述第2线圈部的电感值分别大于所述第3线圈部和所述第4线圈部的电感值。11.一种RFID标签，具有RFIC模块和与所述RFIC模块连接的天线元件，其特征在于，所述RFIC模块包括：挠性的基板；RFIC芯片，该RFIC芯片搭载于所述基板且具有第1输入输出端子和第2输入输出端子；供电电路，该供电电路包含具有第1线圈端和第2线圈端的线圈导体，所述第1线圈端和所述第2线圈端分别与所述第1输入输出端子和所述第2输入输出端子连接；以及第1端子电极和第2端子电极，该第1端子电极和第2端子电极设置于所述基板且与所述线圈导体连接，所述线圈导体分别具有第1线圈部和第2线圈部，该第1线圈部和第2线圈部分别在与所述基板的主面交叉的方向上具有卷绕轴，所述第1线圈部和所述第2线圈部配置于俯视所述基板时包夹所述RFIC芯片的位置且与所述RFIC芯片不重叠的位置，所述第1端子电极和所述第2端子电极设置于分别与所述第1线圈部和所述第2线圈部重叠的位置，在俯视所述基板时，所述第1端子电极被配置为与所述第1线圈部的线圈开口的中心不重叠，所述第2端子电极被配置为与所述第2线圈部的线圈开口的中心不重叠。12.一种RFID标签，具有RFIC模块和与所述RFIC模块连接的天线元件，其特征在于，所述RFIC模块包括：挠性的基板；RFIC芯片，该RFIC芯片搭载于所述基板且具有第1输入输出端子和第2输入输出端子；供电电路，该供电电路包含具有第1线圈端和第2线圈端的线圈导体，所述第1线圈端和所述第2线圈端分别与所述第1输入输出端子和所述第2输入输出端子连接；以及第1端子电极和第2端子电极，该第1端子电极和第2端子电极设置于所述基板且与所述线圈导体连接，该RFIC模块的特征在于，所述线圈导体分别具有第1线圈部和第2线圈部，该第1线圈部和第2线圈部分别在与所述基板的主面交叉的方向上具有卷绕轴，所述第1线圈部和所述第2线圈部配置于俯视所述基板时包夹所述RFIC芯片的位置且与所述RFIC芯片不重叠的位置，所述第1端子电极和所述第2端子电极设置于分别与所述第1线圈部和所述第2线圈部重叠的位置，所述第1端子电极与所述线圈导体的第1位置连接，所述第2端子电极与所述线圈导体的第2位置连接，所述线圈导体还包含第3线圈部和第4线圈部，该第3线圈部和第4线圈部在所述第1位置和所述第2位置之间串联连接，并且在俯视所述基板时分别与所述第1线圈部和所述第2线圈部重叠。

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