申请/专利权人：国立大学法人九州大学;学校法人关西学院

申请日：2018-03-22

公开（公告）日：2021-01-05

公开（公告）号：CN110582905B

主分类号：H01S5/36(20060101)

分类号：H01S5/36(20060101);C09K11/06(20060101);H01L51/50(20060101)

优先权：["20170331 JP 2017-072935"]

专利状态码：失效-未缴年费专利权终止

法律状态：2023.03.07#未缴年费专利权终止;2020.01.10#实质审查的生效;2019.12.17#公开

摘要：包含下述通式所表示的化合物的有机半导体激光元件的激光束辐射的阈值低，且激光特性优异。A环、B环及C环为芳环或杂芳环，Y1为B、P、P＝O、P＝S、Al、Ga、As、Si‑R或Ge‑R，R为芳基或烷基，X1及X2为O、N‑R’、S或Se，R’为芳基、杂芳基或烷基。

主权项：1.一种有机半导体激光元件，其包含下述通式1所表示的化合物，[化学式1] 通式1中，A环、B环及C环分别独立地为芳环或杂芳环，这些环中的至少1个氢原子可以被取代，Y1为B、P、P＝O、P＝S、Al、Ga、As、Si-R或Ge-R，所述Si-R及Ge-R的R为芳基或烷基，X1及X2分别独立地为O、N-R、S或Se，所述N-R的R为可以被取代的芳基、可以被取代的杂芳基或烷基，且所述N-R的R可以通过连接基团或单键与所述A环、B环及C环中的至少1个键合，并且，通式1所表示的化合物或结构中的至少1个氢原子可以被卤素原子或氘原子取代。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 国立大学法人九州大学;学校法人关西学院 有机半导体激光元件

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