申请/专利权人：深圳青铜剑技术有限公司

申请日：2020-06-22

公开（公告）日：2021-01-05

公开（公告）号：CN212304730U

主分类号：H02H7/20(20060101)

分类号：H02H7/20(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.01.05#授权

摘要：本实用新型公开了一种基于IGBT栅极驱动芯片的软关断系统，包括MOS管，MOS管的漏极用于连接IGBT的栅极，MOS管的源极接地。所述系统还包括电压获取模块、电压参考模块及比较控制模块。电压获取模块用于根据IGBT短路时的栅极电压输出第一电压信号。电压参考模块用于产生具有理想下降波形的第二电压信号。比较控制模块用于将第一电压信号与第二电压信号进行比较，并根据比较结果输出控制信号至IGBT的栅极，以控制MOS管的导通或截止，使得IGBT的栅极电压对地放电而减小或保持不变。如此，可保证IGBT的栅极电压能以理想速率下降直至关断IGBT，实现可靠且高效的软关断目的。

主权项：1.一种基于IGBT栅极驱动芯片的软关断系统，用于与IGBT栅极连接，以在IGBT发生短路时提供软关断保护，其特征在于，所述基于IGBT栅极驱动芯片的软关断系统包括MOS管Q1，所述MOS管Q1的漏极用于连接IGBT的栅极，所述MOS管Q1的源极接地，所述基于IGBT栅极驱动芯片的软关断系统还包括：电压获取模块，所述电压获取模块的输入端与所述MOS管Q1的漏极电连接，所述电压获取模块用于在所述IGBT发生短路时获取所述IGBT的栅极电压，并根据所述IGBT的栅极电压输出第一电压信号；电压参考模块，所述电压参考模块用于产生具有理想下降波形的第二电压信号；比较控制模块，所述比较控制模块的输入端与所述电压获取模块的输出端及所述电压参考模块的输出端电连接，所述比较控制模块的输出端电连接至所述MOS管Q1的栅极，所述比较控制模块用于将所述第一电压信号与所述第二电压信号进行比较，并根据比较结果输出对应的控制信号；当所述第一电压信号大于所述第二电压信号时，所述比较控制模块输出第一输出信号至所述IGBT的栅极，以控制所述MOS管Q1导通，进而使得所述IGBT的栅极电压对地放电而减小；当所述第一电压信号小于或等于所述第二电压信号时，所述比较控制模块输出第二输出信号至所述IGBT的栅极，以控制所述MOS管Q1截止，进而使得所述IGBT的栅极电压停止对地放电而保持不变。

全文数据：

权利要求：

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