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【实用新型】一种基准电压产生电路_深圳知微创新技术有限公司_202022048659.8 

申请/专利权人:深圳知微创新技术有限公司

申请日:2020-09-17

公开(公告)日:2021-01-05

公开(公告)号:CN212302330U

主分类号:G05F1/567(20060101)

分类号:G05F1/567(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2021.01.05#授权

摘要:本实用新型涉及基准电压源领域,尤指一种基准电压产生电路,本实用新型提出了一种抗干扰能力强、温度系数低、输出电压可调、生产工艺简单以及价格成本低的薄膜晶体管集成基准电压源。该基准电压源主要由四个薄膜晶体管组成,两个单栅薄膜晶体管作为电流镜使得两支路电流相等,另外两个薄膜晶体管是漏极和栅极短接的双栅薄膜晶体管,对两个双栅薄膜晶体管的栅源电压进行差分以得到输出电压信号,有效地消除两支路间由工艺等因素造成的薄膜晶体管本身的差异;而双栅薄膜晶体管组成的基准电压源则能利用顶栅对底部阈值电压的调控作用来调节输出电压的大小,使得该基准电压电路更具灵活性和实用性。

主权项:1.一种基准电压产生电路,其特征在于:包括恒压源Vdd、正极VTG电压源、负极VTG电压源、第一单栅薄膜晶体管TFT1、第二单栅薄膜晶体管TFT2、第一双栅薄膜晶体管TFT3、第二双栅薄膜晶体管TFT4;第一双栅薄膜晶体管TFT3、第二双栅薄膜晶体管TFT4均设置有顶栅极、背栅极;其中恒压源Vdd的正极端通过两个支路连接到第一单栅薄膜晶体管TFT1以及第二单栅薄膜晶体管TFT2的漏极,其中第一单栅薄膜晶体管TFT1、第二单栅薄膜晶体管TFT2的栅极短接,其中第一单栅薄膜晶体管TFT1的源级与第一双栅薄膜晶体管TFT3的漏极连接,第二单栅薄膜晶体管TFT2的源级与第二双栅薄膜晶体管TFT4的漏极连接;第一双栅薄膜晶体管TFT3的背栅极分别与自身的漏极短接,第二双栅薄膜晶体管TFT4的背栅极分别与自身的漏极短接;第一双栅薄膜晶体管TFT3和第二双栅薄膜晶体管TFT4的源极连接到恒压源Vdd的负极端;正极VTG电压源输出正极顶栅电压VTG3到第一双栅薄膜晶体管TFT3的顶栅极,负极VTG电压源输出负极顶栅电压VTG4到第二双栅薄膜晶体管TFT4的顶栅极;第一双栅薄膜晶体管TFT3的栅源电压VGS3与第二双栅薄膜晶体管TFT4的栅源电压VGS4的差值则输出为基准电压Vout;通过调节恒压源Vdd的输出电压使第一单栅薄膜晶体管TFT1、第二单栅薄膜晶体管TFT2均工作于饱和区;同时通过调节正极顶栅电压VTG3以及负极顶栅电压VTG4,使得第一双栅薄膜晶体管TFT3、第二双栅薄膜晶体管TFT4均工作于亚阈值区。

全文数据:

权利要求:

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