申请/专利权人：洛克利光子有限公司

申请日：2019-02-26

公开（公告）日：2021-01-08

公开（公告）号：CN112204459A

主分类号：G02F1/017(20060101)

分类号：G02F1/017(20060101);G02F1/025(20060101)

优先权：["20180511 EP PCT/EP2018/062269","20180227 US 62/635955","20180522 US 62/675050"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.03.19#实质审查的生效;2021.01.08#公开

摘要：一种光电子设备，包括：绝缘体上硅（SOI）衬底，衬底包括：硅支撑层；在硅支撑层的顶部上的掩埋氧化物（BOX）层；以及在BOX层的顶部上的硅设备层；波导区，其中硅设备层的一部分和BOX层的在该设备层的该部分下方的一部分已经被去除，BOX层的该部分已经用在硅的顶部上的结晶氧化物的层和硅层替代；以及波导结构，其直接位于结晶氧化物层的顶部上，波导结构包括P掺杂区和N掺杂区，P掺杂区和N掺杂区中间具有本征区，从而产生PIN结，跨PIN结能够施加偏压以产生调制区。

主权项：1.一种电吸收调制器EAM，所述EAM包括：绝缘体上硅SOI衬底，所述衬底包括：硅支撑层；在所述硅支撑层的顶部上的掩埋氧化物BOX层；以及在所述BOX层的顶部上的硅设备层；波导区，其中所述硅设备层的一部分和所述BOX层的在所述设备层的所述部分下方的一部分已经被去除，所述BOX层的所述部分已经用在所述硅的顶部上的结晶氧化物的层和硅层替代；以及波导结构，所述波导结构直接位于所述结晶氧化物层的顶部上，所述波导结构包括P掺杂区和N掺杂区，所述P掺杂区和所述N掺杂区中间具有本征区，从而产生PIN结，跨所述PIN结能够施加偏压以产生调制区。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 洛克利光子有限公司 电吸收调制器

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