申请/专利权人：国际商业机器公司

申请日：2019-06-14

公开（公告）日：2021-01-08

公开（公告）号：CN112204757A

主分类号：H01L33/00(20060101)

分类号：H01L33/00(20060101)

优先权：["20180629 US 16/022,969"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.01.26#实质审查的生效;2021.01.08#公开

摘要：半导体器件包括具有厚度和宽度的条带。所述条带的材料被构造成承载激子以及等离子体激元，并且所述宽度是波导值的反函数，在所述波导值处，所述材料中的等离子体激元的能级基本上等于所述材料中的激子的能级。条带中的等离子体激元和激子的基本相等的能量引起条带中的本征等离子体激元‑激子极化子IPEP的激发。第一接触体电耦合到条带上的第一位置，并且第二接触体电耦合到条带上的第二位置。

主权项：1.一种半导体器件，包括：具有厚度和宽度的条带，其中，所述条带的材料被配置为承载激子以及等离子体激元，并且其中，所述宽度是所述材料中的等离子体激元的能级基本上等于所述材料中的激子的能级时的波矢值的反函数，该条带中的等离子体激元与激子的基本上相等的能量引起该条带中的本征等离子体激元-激子极化子IPEP的激发；第一接触体，其电耦合到该条带上的第一位置；和第二接触体，其电耦合到该条带上的第二位置。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 国际商业机器公司 基于本征等离子体激元-激子极化子的光电器件

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD