申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2018-03-01

公开（公告）日：2021-01-08

公开（公告）号：CN112201661A

主分类号：H01L27/11551(20170101)

分类号：H01L27/11551(20170101);H01L27/11524(20170101);H01L27/1157(20170101);H01L27/11578(20170101)

优先权：["20170307 CN 2017101340339"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.01.26#实质审查的生效;2021.01.08#公开

摘要：本公开涉及三维存储器设备的开口布局，并公开了半导体设备以及用于形成半导体设备的方法。用于形成设备开口的方法包括：在衬底200的第一区域I和第二区域II上形成材料层600，该第一区域I邻近第二区域II；在材料层上600形成掩模层500，该掩模层500覆盖第一区域I和第二区域II；以及在掩模层500上形成图案化层101。图案化层101覆盖第一区域I和第二区域II并且包括对应于第一区域I的开口。多个开口包括与第一区域I和第二区域II的交界相邻的第一开口110、以及离该交界较远的第二开口120。沿着与衬底200的顶面平行的平面，第一开口110的尺寸大于第二开口120的尺寸。

主权项：1.一种形成多个器件开口的方法，包括：在衬底的第一区域和第二区域上形成材料层，所述第一区域是与所述第二区域相邻的；在所述材料层上形成掩模层，所述掩模层覆盖所述第一区域和所述第二区域；在所述掩模层上形成图案化层，所述图案化层覆盖所述第一区域和所述第二区域，并且包括在所述第一区域中用来形成沟道通孔的多个开口，其中，所述第一区域中用来形成沟道通孔的所述多个开口包括与所述第一区域和所述第二区域之间的边界相邻的第一开口、以及比所述第一开口离所述边界要远的第二开口，并且其中，所述第一开口位于与所述边界相邻的第一行中，并且所述第二开口至少位于沿着第一方向离所述边界更远并且与所述第一行相邻的第二行中和沿着所述第一方向离所述边界更远并且与所述第二行相邻的第三行中，所述第一开口与所述第二行中的第二开口之间的距离大于所述第二行中的第二开口与所述第三行中的第二开口之间的距离；使用所述图案化层来图案化所述掩模层，以形成被图案化的掩模层；以及使用所述被图案化的掩模层来图案化所述材料层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 三维存储器设备的开口布局

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