申请/专利权人：三菱电机株式会社

申请日：2017-03-23

公开（公告）日：2021-01-08

公开（公告）号：CN110431720B

主分类号：H01S5/026(20060101)

分类号：H01S5/026(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.01.08#授权;2019.12.03#实质审查的生效;2019.11.08#公开

摘要：半导体激光器2具有n型半导体衬底1和在n型半导体衬底1之上依次层叠的n型包覆层4、有源层5以及p型包覆层6。光波导3具有芯层9和包覆层10，该芯层9位于n型半导体衬底1之上且设置于半导体激光器2的光输出侧，没有掺杂杂质，与有源层5相比禁带宽度大，该包覆层10设置于芯层9之上，与p型包覆层6相比载流子浓度低。半导体激光器2具有载流子注入区域X1以及在载流子注入区域X1和光波导3之间设置的非载流子注入区域X2。

主权项：1.一种光半导体元件，其特征在于，具备：半导体激光器，其具有n型半导体衬底和在所述n型半导体衬底之上依次层叠的n型包覆层、有源层以及p型包覆层；光波导，其具有芯层和包覆层，该芯层位于所述n型半导体衬底之上并且设置于所述半导体激光器的光输出侧，没有掺杂杂质，与所述有源层相比禁带宽度大，该包覆层设置于所述芯层之上，与所述p型包覆层相比载流子浓度低；以及电极，所述半导体激光器具有：载流子注入区域；以及非载流子注入区域，其设置于所述载流子注入区域和所述光波导之间，所述电极在所述n型半导体衬底的下表面设置于所述载流子注入区域，没有设置于所述非载流子注入区域以及所述光波导。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三菱电机株式会社 光半导体元件

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