申请/专利权人：泗阳君子兰激光科技发展有限公司

申请日：2018-06-25

公开（公告）日：2021-01-08

公开（公告）号：CN109060160B

主分类号：G01K7/22(20060101)

分类号：G01K7/22(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.01.08#授权;2019.01.15#实质审查的生效;2018.12.21#公开

摘要：本案涉及一种耐高压的温度传感器，包括：绝缘性薄膜；薄膜热敏电阻部，以热敏电阻材料形成于绝缘性薄膜的表面；一对电极，形成于绝缘性薄膜上且连接于薄膜热敏电阻部；绝缘性薄膜由以下重量份的材料组成：碳化铝50重量份；氧化铁20～22重量份；氧化钴12～14重量份；氮化镁3～5重量份。本发明通过对温度传感器的绝缘性薄膜材料进行改进，使其具有良好的绝缘性能，本发明的温度传感器能同时满足高温高压的条件，使用寿命长，环境适应性以及检测的安全性和可靠性好。

主权项：1.一种耐高压的温度传感器，其特征在于，包括：绝缘性薄膜；薄膜热敏电阻部，以热敏电阻材料形成于所述绝缘性薄膜的表面；一对电极，形成于所述绝缘性薄膜上且连接于所述薄膜热敏电阻部；其中，绝缘性薄膜由以下重量份的材料组成： 所述热敏电阻材料还包括1～3重量份碳酸镧；所述热敏电阻材料还包括1～3重量份氧化钇；所述热敏电阻材料还包括1～3重量份硼砂；所述热敏电阻材料还包括2～4重量份Cr3AlC2。

全文数据：耐高压的温度传感器技术领域本发明涉及温度传感器元件，尤其涉及一种耐高压的温度传感器。背景技术传感器是由不同极性的导体材料装在有绝缘材料的金属套管中，被加工成可弯曲的坚实组合体。传感器主要用于高温高压高湿场合进行测温，如电站等，由于用于电站的温度传感器具有使用温度高350℃左右、使用压力大17.2MPa，采用常规绝缘材料作为传感器的密封材料，不能满足电站等特殊环境需要。目前使用的耐高温高压温度传感器全靠进口，其成本高，维修困难，严重制约了我国电站测温技术的发展。现有的耐高温高压温度不能满足的高温、高压的环境使用的可靠性的要求，测温精度不好，并使用寿命短。发明内容针对现有技术中存在的技术问题，本案提供一种温度传感器，其具有耐高温高压性能好，使用寿命长的优点。为实现上述目的，本案通过以下技术方案实现：一种耐高压的温度传感器，其中，包括：绝缘性薄膜；薄膜热敏电阻部，以热敏电阻材料形成于所述绝缘性薄膜的表面；一对电极，形成于所述绝缘性薄膜上且连接于所述薄膜热敏电阻部；其中，绝缘性薄膜由以下重量份的材料组成：优选的是，所述的耐高压的温度传感器，其中，所述热敏电阻材料还包括2～4重量份Cr3AlC2。优选的是，所述的耐高压的温度传感器，其中，所述热敏电阻材料还包括1～3重量份V0.5Cr0.53AlC2。优选的是，所述的耐高压的温度传感器，其中，所述热敏电阻材料还包括1～3重量份V2AlC。优选的是，所述的耐高压的温度传感器，其中，所述热敏电阻材料还包括1～3重量份碳酸镧。优选的是，所述的耐高压的温度传感器，其中，所述热敏电阻材料还包括1～3重量份氧化钇。优选的是，所述的耐高压的温度传感器，其中，所述热敏电阻材料还包括1～3重量份硼砂。本发明的有益效果是：1本发明通过对温度传感器的绝缘性薄膜材料进行改进，使其具有良好的绝缘性能，本发明的温度传感器能同时满足高温高压的条件，使用寿命长，环境适应性以及检测的安全性和可靠性好。2碳化铝作为绝缘性薄膜的主体，其耐热性能高，热稳定性能好；氧化铁、氧化钴、氮化镁作为一个整体，协同提高其耐老化、耐火、耐腐蚀和耐湿能力；通过加入Cr3AlC2提高抗大电流的能力及耐湿能力；通过加入V0.5Cr0.53AlC2提高其尺寸稳定性能；通过加入V2AlC提高其抗压强度和抗弯曲强度；通过加入碳酸镧提高其耐流耐压性能；通过加入氧化钇进一步提高其耐湿能力；通过加入硼砂提高其耐冲击强度和耐热性。具体实施方式下面结合实施例对本发明做进一步的详细说明，以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。本发明提供一种耐高压的温度传感器，其中，包括：绝缘性薄膜；薄膜热敏电阻部，以热敏电阻材料形成于绝缘性薄膜的表面；一对电极，形成于绝缘性薄膜上且连接于薄膜热敏电阻部；其中，绝缘性薄膜由以下重量份的材料组成：碳化铝作为绝缘性薄膜的主体，其耐热性能高，热稳定性能好；氧化铁、氧化钴、氮化镁作为一个整体，协同提高其耐老化、耐火、耐腐蚀和耐湿能力。作为本案又一实施例，其中，热敏电阻材料还包括2～4重量份Cr3AlC2。通过加入Cr3AlC2提高抗大电流的能力及耐湿能力。作为本案又一实施例，其中，热敏电阻材料还包括1～3重量份V0.5Cr0.53AlC2。通过加入V0.5Cr0.53AlC2提高其尺寸稳定性能。作为本案又一实施例，其中，所述热敏电阻材料还包括1～3重量份V2AlC。通过加入V2AlC提高其抗压强度和抗弯曲强度。作为本案又一实施例，其中，所述热敏电阻材料还包括1～3重量份碳酸镧。通过加入碳酸镧提高其耐流耐压性能。作为本案又一实施例，其中，热敏电阻材料还包括1～3重量份氧化钇。通过加入氧化钇进一步提高其耐湿能力。作为本案又一实施例，其中，热敏电阻材料还包括1～3重量份硼砂。通过加入硼砂提高其耐冲击强度和耐热性。下面列出一些具体的实施例和对比例及性能测试结果：尽管本发明的实施方案已公开如上，但其并不仅仅限于说明书和实施方式中所列运用，它完全可以被适用于各种适合本发明的领域，对于熟悉本领域的人员而言，可容易地实现另外的修改，因此在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念下，本发明并不限于特定的细节。

权利要求：1.一种耐高压的温度传感器，其特征在于，包括：绝缘性薄膜；薄膜热敏电阻部，以热敏电阻材料形成于所述绝缘性薄膜的表面；一对电极，形成于所述绝缘性薄膜上且连接于所述薄膜热敏电阻部；其中，绝缘性薄膜由以下重量份的材料组成：2.如权利要求1所述的耐高压的温度传感器，其特征在于，所述热敏电阻材料还包括2～4重量份Cr3AlC2。3.如权利要求2所述的耐高压的温度传感器，其特征在于，所述热敏电阻材料还包括1～3重量份V0.5Cr0.53AlC2。4.如权利要求3所述的耐高压的温度传感器，其特征在于，所述热敏电阻材料还包括1～3重量份V2AlC。5.如权利要求4所述的耐高压的温度传感器，其特征在于，所述热敏电阻材料还包括1～3重量份碳酸镧。6.如权利要求5所述的耐高压的温度传感器，其特征在于，所述热敏电阻材料还包括1～3重量份氧化钇。7.如权利要求5所述的耐高压的温度传感器，其特征在于，所述热敏电阻材料还包括1～3重量份硼砂。

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