买专利,只认龙图腾
首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

【实用新型】真空蒸膜设备_成都晶砂科技有限公司_202020239745.4 

申请/专利权人:成都晶砂科技有限公司

申请日:2020-03-03

公开(公告)日:2021-01-08

公开(公告)号:CN212316238U

主分类号:C23C14/54(20060101)

分类号:C23C14/54(20060101);C23C14/24(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2021.01.08#授权

摘要:本实用新型公开一种真空蒸膜设备,包括真空室;蒸发源;第一晶振座;第一晶振;第一传感器;前反馈控制模块;基片;基片挡板;第一驱动装置;第二晶振座;第二晶振;第二传感器;后反馈控制模块;蒸发源挡板;第二驱动装置;总控制模块,用于将蒸发速率与预定蒸发速率比较得到第一比较结果并基于第一比较结果向前反馈控制模块发出控制第二驱动装置驱动蒸发源挡板沿与材料在气相时向第一晶振、基片流动的路径相交的轨迹往复移动和将该实际测量值与预定厚度值比较得到第二比较结果并基于第二比较结果向后反馈控制模块发出控制第一驱动装置驱动基片挡板的控制信号。它能监测蒸发源材料蒸发速率及沉积在基片上膜层厚度,精确控制沉积过程中膜层厚度。

主权项:1.一种真空蒸膜设备,其特征在于,包括:真空室,其包括提供真空环境的空腔;蒸发源,其设置于空腔内;第一晶振座,其设置于空腔内,其朝向蒸发源;第一晶振,其安装于第一晶振座;第一传感器,其安装于第一晶振座,其用于测量第一晶振的频率变化量并将所测量的第一晶振的频率变化量转换成第一电信号;前反馈控制模块,其用于获取第一电信号并对材料沉积在第一晶振上的时间进行计时得到沉积时间t,其用于基于所获取的第一电信号得到第一晶振的频率变化量,其用于基于第一晶振的频率变化量计算得到沉积在第一晶振上的材料的质量变化量,再基于沉积在第一晶振上的材料的质量变化量和沉积时间计算得到蒸发源中材料的蒸发速率V;基片,其设置于空腔内;基片挡板,其设置于空腔内,其能从基片与蒸发源之间位置之外的位置移动到基片与蒸发源之间位置或从基片与蒸发源之间位置移动到基片与蒸发源之间位置之外的位置;第一驱动装置,其用于驱动基片挡板从基片与蒸发源之间位置之外的位置移动到基片与蒸发源之间位置或从基片与蒸发源之间位置移动到基片与蒸发源之间位置之外的位置;第二晶振座,其设置于基片挡板;第二晶振,其安装于第二晶振座;第二传感器,其安装于第二晶振座,其用于测量第二晶振的频率变化量并将所测量的第二晶振的频率变化量转换成第二电信号;后反馈控制模块,其用于获取第二信号,其用于基于所获取的第二电信号得到第二晶振的频率变化量,其用于基于第二晶振的频率变化量换算得到蒸发成气态的材料沉积在基片上膜层厚度的实际测量值;蒸发源挡板,其设置于空腔内位于蒸发源与基片挡板、第一晶振之间的位置并能沿与蒸发源中的材料在气相时向第一晶振、基片流动的路径相交的轨迹往复移动使挡住蒸发源中的材料在气相时向第一晶振、基片流动的路径的面积增大、减小或保持不变;第二驱动装置,其用于驱动蒸发源挡板沿与蒸发源中的材料在气相时向第一晶振座、基片流动的路径相交的轨迹往复移动;总控制模块,其用于将蒸发速率与预定蒸发速率比较得到第一比较结果并基于第一比较结果向前反馈控制模块发出控制第二驱动装置驱动蒸发源挡板沿与蒸发源中的材料在气相时向第一晶振、基片流动的路径相交的轨迹往复移动使挡住蒸发源中的材料在气相时向第一晶振、基片流动的路径的面积增大、减小或保持不变的第一控制信号和将该实际测量值与预定厚度值比较得到第二比较结果并基于第二比较结果向后反馈控制模块发出控制第一驱动装置驱动基片挡板从基片与蒸发源之间位置之外的位置移动到基片与蒸发源之间位置或从基片与蒸发源之间位置移动到基片与蒸发源之间位置之外的位置的第二控制信号。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 成都晶砂科技有限公司 真空蒸膜设备

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。