申请/专利权人:三星电子株式会社
申请日:2020-02-18
公开(公告)日:2021-01-12
公开(公告)号:CN112216677A
主分类号:H01L23/525(20060101)
分类号:H01L23/525(20060101);H01L27/11524(20170101);H01L27/11551(20170101);H01L27/1157(20170101);H01L27/11578(20170101)
优先权:["20190710 KR 10-2019-0083230"]
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2022.07.08#实质审查的生效;2021.01.12#公开
摘要:公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括:基底,具有单元区、外围区和边界区;堆叠结构,位于单元区上并包括交替地堆叠的绝缘层和互连层;模制层,位于外围区和边界区上;选择线隔离图案,延伸到堆叠结构中;单元沟道结构,穿过堆叠结构;第一虚设图案,延伸到外围区上的模制层中,其中,第一虚设图案的上表面、选择线隔离图案的上表面和单元沟道结构的上表面是共面的,并且第一虚设图案中的至少一个从第一虚设图案的上表面、选择线隔离图案的上表面和单元沟道结构的上表面朝向基底平行于选择线隔离图案或单元沟道结构延伸。
主权项:1.一种半导体装置,所述半导体装置包括:基底,具有单元区、外围区以及在单元区与外围区之间的边界区;堆叠结构,位于基底的单元区上,堆叠结构包括交替地堆叠的多个绝缘层和多个互连层;模制层,位于基底的外围区和边界区上;选择线隔离图案,延伸到堆叠结构中;单元沟道结构,穿过堆叠结构;以及多个第一虚设图案,延伸到外围区上的模制层中,其中:所述多个第一虚设图案的上表面、选择线隔离图案的上表面和单元沟道结构的上表面基本上共面,并且所述多个第一虚设图案中的至少一个从所述多个第一虚设图案的上表面、选择线隔离图案的上表面和单元沟道结构的上表面朝向基底基本上平行于选择线隔离图案或单元沟道结构延伸。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 三星电子株式会社 包括虚设图案的半导体装置
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