申请/专利权人：株式会社迪思科

申请日：2020-07-03

公开（公告）日：2021-01-12

公开（公告）号：CN112216645A

主分类号：H01L21/683(20060101)

分类号：H01L21/683(20060101);H01L21/78(20060101)

优先权：["20190710 JP 2019-128123"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.04.26#实质审查的生效;2021.01.12#公开

摘要：提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚烯烃系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚烯烃系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚烯烃系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成改质层，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚烯烃系片赋予超声波，将器件芯片顶起，从该聚烯烃系片拾取该器件芯片。

主权项：1.一种晶片的加工方法，将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其特征在于，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚烯烃系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚烯烃系片配设在该晶片的背面或该正面上以及该框架的外周上；一体化工序，对该聚烯烃系片进行加热，通过热压接使该晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化；分割工序，将对于该晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于该晶片的内部，沿着该分割预定线对该晶片照射该激光束，在该晶片中形成改质层，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，在该聚烯烃系片的与各器件芯片对应的各个区域对该聚烯烃系片赋予超声波，从该聚烯烃系片侧将该器件芯片顶起，从该聚烯烃系片拾取该器件芯片。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社迪思科 晶片的加工方法

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