申请/专利权人：三菱电机株式会社

申请日：2020-07-07

公开（公告）日：2021-01-12

公开（公告）号：CN112210827A

主分类号：C30B25/20(20060101)

分类号：C30B25/20(20060101);C30B25/12(20060101);C30B25/10(20060101);C30B28/14(20060101);C30B29/36(20060101);H01L21/02(20060101)

优先权：["20190712 JP 2019-129923"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.01.29#实质审查的生效;2021.01.12#公开

摘要：提供一种碳化硅外延生长装置以及碳化硅外延晶片的制造方法，其能够在碳化硅基板之上以成为均匀的载流子浓度的方式进行外延生长，得到稳定的良好的器件特性。将搭载了碳化硅基板1以及碳化钽部件4的晶片保持器2搭载于基座6内的旋转台5，通过基座6周围的感应加热线圈7进行加热，通过向基座6内供给生长气体、掺杂气体以及载气，从而在碳化硅基板1之上以成为均匀的载流子浓度的方式进行外延生长，能够得到稳定的良好的器件特性，并且能够提高碳化硅外延晶片工序的成品率。

主权项：1.一种碳化硅外延生长装置，其具有：晶片保持器，其对碳化硅基板进行搭载；旋转台，其对所述晶片保持器进行搭载；基座，其将所述碳化硅基板以及所述晶片保持器覆盖，被供给生长气体、掺杂气体以及载气；感应加热线圈，其设置于所述基座的周围；以及碳化钽部件，其载置于所述晶片保持器的上部的周缘部，位于所述碳化硅基板的外侧。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三菱电机株式会社 碳化硅外延生长装置及碳化硅外延晶片的制造方法

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