申请/专利权人:株式会社村田制作所
申请日:2020-07-09
公开(公告)日:2021-01-12
公开(公告)号:CN112216469A
主分类号:H01F10/13(20060101)
分类号:H01F10/13(20060101);H01F17/04(20060101);H01F27/24(20060101);H01F27/34(20060101);H01F41/02(20060101);H01F41/30(20060101);H01F41/32(20060101)
优先权:["20190712 JP 2019-130327"]
专利状态码:有效-授权
法律状态:2023.01.17#授权;2021.01.29#实质审查的生效;2021.01.12#公开
摘要:本发明提供一种磁饱和进一步得到抑制且具有更高的直流叠加特性的磁性层叠体和包含该磁性层叠体的磁性结构体、包含磁性层叠体或磁性结构体的电子部件。所述磁性层叠体是交替层叠金属磁性体层和金属非磁性体层而成的磁性层叠体,在金属磁性体层彼此之间配置有金属非磁性体层,金属磁性体层含有非晶材料,金属非磁性体层含有选自Cr、Ru、Rh、Ir、Re和Cu中的至少1种元素,且平均厚度为0.4nm~1.5nm。
主权项:1.一种磁性层叠体,是交替层叠金属磁性体层和金属非磁性体层而成的磁性层叠体,在所述金属磁性体层彼此之间配置有所述金属非磁性体层,所述金属磁性体层含有非晶材料,所述金属非磁性体层含有选自Cr、Ru、Rh、Ir、Re和Cu中的至少1种元素,且平均厚度为0.4nm~1.5nm。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 株式会社村田制作所 磁性层叠体和含其的磁性结构体、含该层叠体或结构体的电子部件和磁性层叠体的制造方法
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