申请/专利权人：徐州鑫晶半导体科技有限公司

申请日：2020-09-10

公开（公告）日：2021-01-12

公开（公告）号：CN112210820A

主分类号：C30B15/00(20060101)

分类号：C30B15/00(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.01.29#实质审查的生效;2021.01.12#公开

摘要：本发明公开了一种晶体生产工艺，包括以下步骤：S1、将初始原料装入坩埚组件内；S2、对坩埚组件进行加热以使初始原料熔化，并在设定时间后，坩埚组件以设定转速段内的转速转动；S3、在熔料完成后，将下料组件下降至坩埚组件内液面上方，且与液面上下相距h，下料组件包括原料下料管，原料下料管将再加入原料加至坩埚组件的原料下料区；S4、在原料下料区下料，在晶体生长区进行拉晶，在步骤S1中，将初始原料分别装入第一腔室、第二腔室和第三腔室内，第一腔室内的初始原料的颗粒直径大于第二腔室内的初始原料的颗粒直径和第三腔室内的初始原料的颗粒直径。根据本发明的晶体生产工艺，可以使得坩埚组件内熔汤更加均匀，有利于提升晶体品质。

主权项：1.一种晶体生产工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1、将初始原料装入坩埚组件100内；S2、对所述坩埚组件100进行加热以使初始原料熔化，并在设定时间后，所述坩埚组件100以设定转速段内的转速转动，以均匀所述坩埚组件100内部温度；S3、在熔料完成后，将下料组件101下降至所述坩埚组件100内液面上方，且与液面上下相距h，所述下料组件101包括原料下料管1011，所述原料下料管1011将再加入原料加至所述坩埚组件100的原料下料区Ω1；S4、在所述原料下料区Ω1下料，在晶体生长区Ω3进行拉晶，其中，所述坩埚组件100包括第一坩埚1、第二坩埚2和第三坩埚3，所述第一坩埚1内限定出盛放空间100a，所述盛放空间100a的顶侧敞开设置，所述第二坩埚2设在所述盛放空间100a内且与所述第一坩埚1共同限定出第一腔室R1，所述第三坩埚3设在所述第二坩埚2内且与所述第二坩埚2共同限定出第二腔室R2，所述第三坩埚3内限定出第三腔室R3，所述第二坩埚2上形成有第一连通孔20以连通所述第一腔室R1和所述第二腔室R2，所述第三坩埚3上形成有第二连通孔30以连通所述第二腔室R2和所述第三腔室R3，所述第一腔室R1适于构造成所述原料下料区Ω1，所述晶体生长区Ω3位于所述第三腔室R3内，在所述步骤S1中，将初始原料分别装入所述第一腔室R1、所述第二腔室R2和所述第三腔室R3内，所述第一腔室R1内的初始原料的颗粒直径大于所述第二腔室R2内的初始原料的颗粒直径和所述第三腔室R3内的初始原料的颗粒直径。

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权利要求：

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