申请/专利权人：山东大学

申请日：2020-09-29

公开（公告）日：2021-01-12

公开（公告）号：CN112213173A

主分类号：G01N1/32(20060101)

分类号：G01N1/32(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.01.29#实质审查的生效;2021.01.12#公开

摘要：本发明涉及一种KH2PO4晶体{101}晶面产生清晰位错蚀坑的方法，属于晶体表征技术领域。切割得到KDP晶面样品，对样品正反面进行抛光备用。配置74％～76％含水量的水‑乙醇混合溶液作为晶体腐蚀液，室温下将晶体样品置于该腐蚀液中并保持10～20s，取出后使用该腐蚀液对晶体表面抛光2～4s，抛光机转速设置在120～200rmin，将晶体表面的溶液擦拭干净并烘干，在光学显微镜和3D激光共聚焦显微镜下观察处理好的晶体表面，得到清晰的位错蚀坑照片。

主权项：1.一种在水溶液晶体表面产生清晰位错蚀坑的方法，包括步骤如下：将抛光后的水溶液晶体浸入到腐蚀液中，对晶体表面进行腐蚀，所述的腐蚀液为水-乙醇混合溶液，腐蚀液中水的质量含量为72～78％，对腐蚀后的晶体再次抛光，得到表面产生清晰位错蚀坑的晶体。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 山东大学 一种KH₂PO₄晶体{101}晶面产生清晰位错蚀坑的方法

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