【发明公布】红外焦平面探测器芯片及其制备方法_北京智创芯源科技有限公司_202011087144.7 

申请/专利权人：北京智创芯源科技有限公司

申请日：2020-10-12

发明/设计人：不公告发明人

公开（公告）日：2021-01-12

代理机构：北京聿宏知识产权代理有限公司

公开（公告）号：CN112216710A

代理人：吴大建;金淼

主分类号：H01L27/146(20060101)

地址：100176 北京市大兴区经济技术开发区经海三路106号1幢一层

分类号：H01L27/146(20060101);G01J5/20(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2021.01.12#公开

摘要：本公开提供一种红外焦平面探测器芯片及其制备方法，所述红外焦平面探测器芯片包括位于所述衬底表面内或表面上的呈阵列排列的若干第二导电类型掺杂区；其中，各个所述掺杂区的尺寸沿所述掺杂区阵列中心至所述掺杂区阵列边缘的方向逐渐增大；位于所述掺杂区上方且覆盖所述掺杂区表面和所述衬底表面的介质膜层；位于所述介质膜层上方且设置于所述掺杂区对应位置处的第一电极金属层；其中，所述第一电极金属层通过第一接触孔与其对应的所述掺杂区形成欧姆接触，以构成光敏元。在保证探测器芯片性能的基础上，只通过适当改变掺杂区尺寸光敏元尺寸，实现探测器芯片边缘与中心区域各光敏元的响应信号基本保持一致，可有效提升红外探测器响应均匀性。

主权项：1.一种红外焦平面探测器芯片，其特征在于，包括：第一导电类型衬底；位于所述衬底表面内或表面上的呈阵列排列的若干第二导电类型掺杂区；其中，位于所述衬底表面内的所述掺杂区与所述衬底之间形成平面PN结，位于所述衬底表面上的所述掺杂区与所述衬底之间形成台面PN结，所有所述掺杂区构成掺杂区阵列，各个所述掺杂区的尺寸沿所述掺杂区阵列中心至所述掺杂区阵列边缘的方向逐渐增大；位于所述掺杂区上方且覆盖所述掺杂区表面和所述衬底表面的介质膜层；位于所述介质膜层上方且设置于所述掺杂区对应位置处的第一电极金属层；其中，所述第一电极金属层通过第一接触孔与其对应的所述掺杂区形成欧姆接触，以构成光敏元。

全文数据：

权利要求：

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