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【发明公布】一种MPI覆铜板的制备方法及其制备的MPI覆铜板_廖斌;广东省广新离子束科技有限公司_202011091520.X 

申请/专利权人:廖斌;广东省广新离子束科技有限公司

申请日:2020-10-13

公开(公告)日:2021-01-12

公开(公告)号:CN112210749A

主分类号:C23C14/02(20060101)

分类号:C23C14/02(20060101);C23C14/16(20060101);C23C14/20(20060101);C23C14/22(20060101);H05K3/02(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.05.16#授权;2021.01.29#实质审查的生效;2021.01.12#公开

摘要:本发明涉及一种电子材料制备领域,特别是涉及一种MPI覆铜板的制备方法及其制备的MPI覆铜板。本发明制备方法包括:1MPI薄膜表面预处理;2将表面预处理过的MPI薄膜放入银离子溶液中进行金属离子接枝改性;3将改性后的薄膜通过低能离子束系统沉积金属种子层;4将金属种子层通过低能离子束系统沉积金属层。本发明通过化学接枝法可以直接活化MPI薄膜表面,可在聚合物表面获得带有金属银离子的官能团,获得致密性高的覆铜层,大大提高了提高MPI薄膜与铜金属层的结合力。

主权项:1.一种MPI覆铜板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1MPI薄膜表面预处理;2将表面预处理过的MPI薄膜放入银离子溶液中进行金属离子接枝改性;3将改性后的薄膜通过低能离子束系统沉积金属种子层;4将金属种子层通过低能离子束系统沉积金属层。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 廖斌;广东省广新离子束科技有限公司 一种MPI覆铜板的制备方法及其制备的MPI覆铜板

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