申请/专利权人：极光先进雷射株式会社

申请日：2015-11-13

公开（公告）日：2021-01-12

公开（公告）号：CN108141000B

主分类号：H01S3/036(20060101)

分类号：H01S3/036(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.01.12#授权;2018.11.02#实质审查的生效;2018.06.08#公开

摘要：提供了激光气体精制系统和激光系统。激光气体精制系统是对从激光装置排出的激光气体进行精制，并使精制后的激光气体返回到激光装置的激光气体精制系统，该激光气体精制系统可以具有：第一配管，其导入从激光装置排出的激光气体；精制装置，其与第一配管连接，对从激光装置排出的激光气体进行精制；第二配管，其与精制装置连接，使被精制装置精制后的激光气体返回到激光装置；以及排气装置，其设置在第一配管、精制装置以及第二配管中的至少一个上。

主权项：1.一种激光气体精制系统，其对从激光装置排出的激光气体进行精制，并使精制后的激光气体返回到所述激光装置，其中，该激光气体精制系统具有：第一配管，其导入从激光装置排出的激光气体；精制装置，其与所述第一配管连接，对从所述激光装置排出的激光气体进行精制；第二配管，其与所述精制装置连接，使被所述精制装置精制后的激光气体返回到所述激光装置；以及第一排气装置，其设置在所述第一配管上；第二排气装置，其设置在所述精制装置上；以及气体精制控制部，其根据所述激光气体的气体参数对所述第二排气装置进行控制，在所述激光气体的气体参数达到规定的值时，所述气体精制控制部使所述第二排气装置进行所述精制装置内的激光气体的排气，所述气体参数是通过所述精制装置后的激光气体的累计流量和所述精制装置的运转时间中的一个。

全文数据：激光气体精制系统和激光系统技术领域[0001]本公开涉及激光气体精制系统和激光系统。背景技术[0002]近年来，在半导体曝光装置（以下称为“曝光装置”）中，随着半导体集成电路的微细化和高集成化，要求分辨率的提高。因此，从曝光用光源放出的光的短波长化正在推进。一般来说，在曝光用光源中代替现有的水银灯而使用气体激光装置。例如，作为曝光用的气体激光装置，使用输出波长为248nm的紫外线的激光的KrF准分子激光装置、以及输出波长为193nm的紫外线的激光的ArF准分子激光装置。[0003]作为下一代的曝光技术，曝光装置侧的曝光用镜头与晶片之间被液体充满的液浸曝光被实用化。在该液浸曝光中，由于曝光用镜头与晶片之间的折射率发生变化，因此曝光用光源的表观的波长缩短。在将ArF准分子激光装置作为曝光用光源而进行液浸曝光的情况下，在晶片上照射有水中的波长为134nm的紫外光。将该技术称为ArF液浸曝光或ArF液浸光刻）。[0004]KrF准分子激光装置和ArF准分子激光装置的自然振荡幅度较宽，约为350〜400pm。因此，若由透射KrF和ArF激光那样的紫外线的材料构成投影镜头，则有时会产生色差。其结果是，分辨率可能降低。因此，需要进行窄带化，直到使从气体激光装置输出的激光的谱线宽度为能够忽略色差的程度为止。因此，为了使谱线宽度窄带化，有时在气体激光装置的激光谐振器内设置具有窄带化元件（标准具、光栅等）的窄带化模块（LineNarrowModule:LNM。以下，将谱线宽度被窄带化的激光装置称为窄带化激光装置。[0005]现有技术文献[0006]专利文献[0007]专利文献1:国际公开第2015075840号[0008]专利文献2:美国专利申请公开第20100086459号[0009]专利文献3:美国专利第4958356号[0010]专利文献4:美国专利第5111473号[0011]专利文献5:日本特开平05-308170号公报[0012]专利文献6:日本特开平06-283781号公报[0013]专利文献7:日本特开平〇7_106675号公报发明内容[0014]本公开的一个观点的激光气体精制系统是对从激光装置排出的激光气体进行精制，并使精制后的激光气体返回到激光装置的激光气体精制系统，该激光气体精制系统可以具有:第一配管，其导入从激光装置排出的激光气体;精制装置，其与第一配管连接，对从激光装置排出的激光气体进行精制;第二配管，其与精制装置连接，使被精制装置精制后的激光气体返回到激光装置;以及排气装置，其设置在第一配管、精制装置以及第二配管中的至少一个上。[0015]本公开的一个观点的激光系统可以具有激光装置和激光气体精制系统。激光气体精制系统可以具有:第一配管，其导入从激光装置排出的激光气体;精制装置，其与第一配管连接，对从激光装置排出的激光气体进行精制;第二配管，其与精制装置连接，被精制装置精制后的激光气体通过该第二配管;第三配管，其与收纳激光气体的气瓶连接;第一阀，其配置在第二配管上;第二阀，其配置在第三配管上；以及气体精制控制部，其对精制装置、第一阀以及第二阀进行控制。激光装置可以具有:腔室;气体提供管，其与第二配管和第三配管这两者连接，将被精制装置精制后的激光气体或从气瓶提供的激光气体提供给腔室；第三阀，其配置在气体提供管上；以及气体控制部，其对第三阀进行控制。[0016]本公开的另一观点的激光系统可以具有:第一腔室和第二腔室;精制装置，其对从第一腔室或第二腔室排出的激光气体进行精制;第一配管，其与精制装置连接，精制装置所生成的精制气体通过该第一配管;第二配管，其与收纳激光气体的气瓶连接，收纳在气瓶中的激光气体通过该第二配管；第一分支管，其连接在第一配管与第一腔室之间；第二分支管，其连接在第二配管与第一腔室之间；第三分支管，其连接在第一配管与第二腔室之间；第四分支管，其连接在第二配管与第二腔室之间；以及第一阀、第二阀、第三阀和第四阀，它们分别配置在第一分支管〜第四分支管上。附图说明[0017]下面，参照附图将本公开的几个实施方式仅作为例子进行说明。[0018]图1概略性地示出比较例的激光装置30和激光气体精制系统50的结构。[0019]图2是示出比较例的激光装置30中的气体控制部47的处理的流程图。[0020]图3是示出图2所示的S190的处理的详细的流程图。[0021]图4概略性地示出本公开的第一实施方式的激光装置30和激光气体精制系统50a的结构。[0022]图5是示出第一实施方式的激光气体精制系统50a中的气体精制控制部51的处理的流程图。[0023]图6是示出图5所示的S410的处理的详细的流程图。[0024]图7A是概念性地示出应用第一实施方式的激光气体精制系统50a时在激光气体精制系统50a中无法去除的杂质类型的浓度的变化的曲线图。[0025]图7B是概念性地示出应用第一实施方式的第一变形例的激光气体精制系统5〇a时在激光气体精制系统5〇a中无法去除的杂质类型的浓度的变化的曲线图。[0026]图8是示出在第一实施方式的第一变形例中将气体排出的处理的流程图。[0027]图9是示出第一实施方式的第二变形例中的气体的精制处理的流程图。[0028]图10是示出第一实施方式的第三变形例中的气体的精制处理的流程图。[0029]图11是示出第一实施方式的第三变形例中的判定标志F的生成处理的流程图。[0030]图12概略性地示出本公开的第二实施方式的激光装置30和激光气体精制系统5〇c的结构。[0031]图13是示出第二实施方式的激光气体精制系统50c中的气体精制控制部51的处理的流程图。[0032]图14是示出图13所示的S410c的处理的详细的流程图。[0033]图15是示出第二实施方式的变形例中的气体的精制处理的流程图。[0034]图16是示出图15所示的S410d的处理的详细的流程图。[0035]图17是概念性地不出应用第二实施方式的激光气体精制系统时在激光气体精制系统50c中无法去除的杂质类型的浓度的变化的曲线图。[0036]图18概略性地示出本公开的第三实施方式的激光装置3〇e和激光气体精制系统50e的结构。[0037]图19概略性地示出氙添加装置61的结构例。[0038]图20是示出第三实施方式的激光气体精制系统50e中的气体精制控制部51的处理的流程图。[0039]图21概略性地示出本公开的第四实施方式的激光装置30和激光气体精制系统50f的结构。[0040]图22是示出第四实施方式的激光气体精制系统50f中的气体精制控制部51的处理的流程图。[0041]图23是示出图22所示的S410f的处理的详细的流程图。[0042]图24概略性地示出本公开的第五实施方式的激光装置30a、30b以及激光气体精制系统50g的结构。[0043]图25概略性地示出本公开的第六实施方式的激光装置30a、30b以及激光气体精制系统50g的结构。~[0044]图26是示出第六实施方式的激光装置30a或3〇b中的气体控制部47的处理的第一例的流程图。咖一[0045]图27是示出第六实施方式的激光装置30a或30b中的气体控制部47的处理的第二例的流程图。_[0046]图28是示出第六实施方式中的气体控制部47的处理的第二例中的判定标志?的生成处理的流程图。[0047]图29是示出控制部的概略结构的框图。具体实施方式[0048]内容[0049]1•概要[0050]2.比较例的准分子激光装置和激光气体精制系统[0051]2.1结构[0052]2.1.1准分子激光装置[0053]2.1.1.1激光振荡系统[0054]2.1.1.2激光气体控制系统[0055]2.1.2激光气体精制系统[0056]2.2动作[0057]2.2.1准分子激光装置的动作[0058]2.2.1.1激光振荡系统的动作[0059]2.2.1.2激光气体控制系统的动作[0060]2.2.2激光气体精制系统的动作[0061]2.3课题[0062]3.包含排气装置的激光气体精制系统[0063]3.1结构[0064]3•2动作[0065]3.3气体精制控制部的处理[0066]3.4补充[0067]3.5作用[0068]3.6变形例[0069]3.6.1经由止回阀78的排气[0070]3.6.2基于精制装置的运转时间的排气[0071]3.6.3基于激光参数的排气[0072]4.导入新气体的激光气体精制系统[0073]4.1结构[0074]4.2动作[0075]4.3气体精制控制部的处理[0076]4.4作用[0077]4.5抑制升压罐59的压力上升的例子[0078]5.ArF准分子激光装置和激光气体精制系统[0079]5.1结构[0080]5.2动作[0081]5.3气体精制控制部的处理[0082]6.进行气体吹扫的激光气体精制系统[0083]6.1结构[0084]6.2动作[0085]7.与多个激光装置连接的激光气体精制系统[0086]7.1结构[0087]7.2动作[0088]7.3作用[0089]8.能够按激光变更提供气体的激光气体精制系统[0090]8.1结构[0091]8.2动作[0092]9.控制部的结构_[0093]下面，参照附图对本公开的实施方式进行详细地说明。以下说明的实施方式示出本公开的一个例子，但并未限定本公开的内容。另外，各实施方式中说明的全部结构和动作作为本公开的结构和动作并不一定是必须的。另外，对相同的构成要素标注相同的参照标号而省略重复的说明。[0094]1•概要[0095]本公开的实施方式也可以涉及激光气体精制系统。另外，本公开的实施方式也可以涉及包含激光气体精制系统在内的激光系统。激光气体精制系统也可以与激光装置一起使用。激光装置也可以是放电激励式气体激光装置。放电激励式气体激光装置也可以是如下的装置:构成为通过对配置在腔室中的一对电极施加规定的电压而进行放电来激励腔室内的激光气体。[0096]在本公开的实施方式中，放电激励式气体激光装置也可以是准分子激光装置。准分子激光装置中所使用的激光气体也可以包含稀有气体和齒素气体。当在准分子激光装置中进行长时间激光振荡时，可能会在收纳在激光装置的腔室中的激光气体中生成杂质。激光气体中的杂质例如可以包含卤素化合物。在激光气体中生成的杂质可能吸收脉冲激光或使放电的状态恶化。因在激光气体中生成的杂质而可能使具有期望的能量的脉冲激光难以输出或不能输出。[0097]为了输出具有期望的能量的脉冲激光，提出了减少从腔室排出的排出气体所包含的杂质并使杂质少的精制气体返回到腔室内的精制装置。精制装置可以包含吸附杂质的捕集器等。从精制装置返回到腔室内的精制气体主要可以包含稀有气体。通过对该精制气体和新提供的卤素气体进行混合而提供到腔室内，可以使激光性能稳定化。[0098]可是，在从腔室排出的激光气体中可能存在多种杂质。在多种杂质中也可能存在未被精制装置去除干净的杂质类型。未被精制装置去除千净的杂质类型有时并非立即对激光性能造成影响。然而，在反复进行激光气体从腔室的排气、精制、向腔室的提供的过程中，未被精制装置去除干净的杂质类型可能会蓄积在激光气体中而影响激光性能。[0099]本公开的实施方式的激光气体精制系统也可以具有:第一配管，其导入从激光装置排出的激光气体;精制装置，其与第一配管连接，对从激光装置排出的激光气体进行精制;第二配管，其与精制装置连接，使被精制装置精制后的激光气体返回到激光装置；以及排气装置，其设置在第一配管、精制装置以及第二配管中的至少一个上。通过排气装置对激光气体精制系统的内部进行排气，从而可以抑制在精制装置中无法去除的杂质的蓄积。[0100]2.比较例的准分子激光装置和激光气体精制系统[0101]2.1结构[0102]图1概略性地示出比较例的激光装置30和激光气体精制系统50的结构。[0103]2.1.1准分子激光装置[0104]激光装置30也可以包含激光控制部31、激光振荡系统32、激光气体控制系统40。[0105]激光装置30也可以与曝光装置1〇〇—起使用。从激光装置30输出的激光也可以入射到曝光装置100。曝光装置1〇〇也可以包含曝光装置控制部11〇。曝光装置控制部110也可以构成为对曝光装置100进行控制。曝光装置控制部11〇也可以构成为对激光装置30所包含的激光控制部31发送目标脉冲能量的设定信号、或者发送发光触发信号。[0106]激光控制部31也可以构成为对激光振荡系统32和激光气体控制系统40进行控制。激光控制部31也可以从激光振荡系统32所包含的功率监视器17和腔室压力传感器I6接收测定数据。[0107]2.1.1.1激光振荡系统[0108]激光振荡系统32也可以包含腔室10、充电器12、脉冲功率模块13、窄带化模块14、输出耦合镜15、腔室压力传感器16、功率监视器17。[0109]腔室10也可以配置在由窄带化模块14和输出耦合镜15构成的激光谐振器的光路上。也可以在腔室10中设置有两个窗口l〇a和10b。腔室10也可以收纳一对放电电极11a和lib。腔室10也可以收纳激光气体。[0110]充电器12也可以对用于提供给脉冲功率模块13的电能进行保持。脉冲功率模块13也可以包含开关13a。脉冲功率模块13也可以构成为对一对放电电极11a和lib之间施加脉冲电压。[0111]窄带化模块14也可以包含棱镜14a和光栅14b。输出耦合镜I5也可以是部分反射镜。[0112]腔室压力传感器16也可以构成为对腔室10内的激光气体的压力进行测定。腔室压力传感器16所测定的激光气体的压力也可以是激光气体的总压力。腔室压力传感器I6也可以构成为将压力的测定数据发送给激光控制部31和激光气体控制系统4〇所包含的气体控制部47。[0113]功率监视器17也可以包含分束器17a、聚光透镜17b、光传感器17c。分束器17a也可以配置在从输出耦合镜15输出的激光的光路上。分束器17a也可以构成为使从输出耦合镜15输出的激光的一部分朝向曝光装置1〇〇以较高的透射率透射并且使另一部分反射。聚光透镜17b和光传感器17c也可以配置在被分束器17a反射后的激光的光路上。聚光透镜1%也可以构成为使被分束器17a反射后的激光集束到光传感器l?c。光传感器17c也可以构成为将与被聚光透镜17b集束后的激光的脉冲能量对应的电信号作为测定数据发送给激光控制部31。[0114]2.1.1.2激光气体控制系统[0115]激光气体控制系统40也可以包含气体控制部47、气体提供装置42、排气装置43。气体控制部47也可以与激光控制部31之间收发信号。气体控制部47也可以构成为接收从激光振荡系统32所包含的腔室压力传感器16输出的测定数据。气体控制部价也可以构成为对气体提供装置42和排气装置43进行控制。气体控制部47也可以构成为对阀F2_V1、B-V1、_EX-V1、EX-V2、C-V1以及排气泵46进行控制，其中，阀F2-V1和B-VI包含于气体提供装置42,阀EX-VI、EX-V2、C-V1以及排气栗46包含于排气装置43。[0116]气体提供装置42也可以包含与含氟气体提供源172连接的配管28的一部分和与激光振荡系统32所包含的腔室10连接的配管29的一部分。也可以是，通过配管狀与配管29连接，含氟气体提供源F2能够向腔室10提供含氟气体。含氟气体提供源F2也可以是收纳含氟气体的气瓶。在激光装置30是KrF准分子激光装置的情况下，含氟气体也可以是混合了氟气、氪气以及氖气而成的激光气体。从含氟气体提供源F2向配管28提供的激光气体的提供压力也可以由调节器44进行设定。气体提供装置42也可以包含设置在配管狀上的阀F2_V1。含氟气体从含氟气体提供源F2经由配管29向腔室1〇的提供也可以通过阀F2-V1的开闭来进行控制。阀F2-V1的开闭也可以由气体控制部47进行控制。、[0117]气体提供装置42还可以包含连接在激光气体精制系统50与配管29之间的配管27的一部分。也可以是，通过配管27与配管29连接，激光气体精制系统50能够向腔室10提供缓冲气体。在激光装置30是KrF准分子激光装置的情况下，缓冲气体也可以是包含氪气和氖气在内的激光气体。缓冲气体可以是从后述的缓冲气体提供源B提供的新气体，也可以是在激光气体精制系统50中减少了杂质后的精制气体。气体提供装置42也可以包含设置在配管27上的阀B-V1。缓冲气体从激光气体精制系统50经由配管29向腔室10的提供也可以通过阀B-VI的开闭来进行控制。阀B-V1的开闭也可以由气体控制部47进行控制。[0118]排气装置43也可以包含与激光振荡系统32所包含的腔室10连接的配管21的一部分和与装置外部的未图示的排气处理装置等连接的配管22的一部分。也可以是，通过配管21与配管22连接，能够将从腔室10排出的排出气体排出到装置外部。[0119]排气装置43也可以包含设置在配管21上的阀EX-V1和设置在配管21上的氟捕集器45。也可以从腔室10侧起依次配置阀EX-VI和氟捕集器45。排出气体从腔室10向氟捕集器45的提供也可以通过阀EX-VI的开闭来进行控制。阀EX-V1的开闭也可以由气体控制部47进行控制。[0120]氟捕集器45也可以构成为对从腔室10排出的排出气体所包含的氟气和氟的化合物进行捕捉。对氟气和氟的化合物进行捕捉的处理剂例如也可以是包含沸石和氧化钙的组合在内的处理剂。由此，也可以是，氟气和氧化钙发生反应而生成氟化钙和氧气。氟化钙也可以吸附在沸石上。氧气也可以利用后述的氧捕集器56来进行捕捉。[0121]排气装置43也可以包含设置在配管22上的阀EX-V2和设置在配管22上的排气泵46。也可以从腔室10侧起依次配置阀EX-V2和排气栗46。排出气体从氟捕集器45的出口向装置外部的排出也可以通过阀EX-V2的开闭来进行控制。阀EX-V2的开闭也可以由气体控制部47进行控制。也可以是，排气泵46在阀EX-VI和EX-V2打开的状态下，能够将腔室10内的激光气体强制地排气到大气压以下的压力。排气栗46的动作也可以由气体控制部47进行控制。也可以代替排气泵46,而使用真空发生器。真空发生器也可以利用通过将氮气或空气等工作气体从喷嘴高速地喷射而吸引喷嘴周边的流体从而使压力降低的现象。[0122]排气装置43也可以包含旁通配管23,该旁通配管23连接在排气泵46的入口侧的配管22与排气泵46的出口侧的配管22之间。排气装置43也可以包含设置在旁通配管23上的止回阀48。也可以是，止回阀48在阀EX-V1和EX-V2打开时，能够将被填充到大气压以上的腔室10内的激光气体的一部分排气到大气压左右。[0123]排气装置43还可以包含配管24的一部分。配管24也可以连接在激光气体精制系统50与配管21和配管22的连接部分之间。也可以是，通过配管24与配管21和配管22的连接部分连接，能够将从腔室10排出的排出气体提供给激光气体精制系统50。排气装置43也可以包含设置于配管24上的阀C-V1。排出气体从氟捕集器45的出口向激光气体精制系统50的提供也可以通过阀C-V1的开闭来进行控制。阀C-V1的开闭也可以由气体控制部47进行控制。[0124]2.1.2激光气体精制系统[0125]激光气体精制系统50也可以包含气体精制控制部51。气体精制控制部51也可以构成为与激光气体控制系统40所包含的气体控制部47之间收发信号。气体精制控制部51也可以构成为对激光气体精制系统50的各构成要素进行控制。[0126]激光气体精制系统5〇也可以包含与激光气体控制系统40的排气装置43连接的配管24的一部分、与激光气体控制系统40的气体提供装置42连接的配管27的一部分、连接在配管24与配管27之间的配管25。[0127]也可以在配管24和配管25上配置有以下的精制装置。也可以是，在配管24上，从排气装置43侧起依次配置过滤器52、回收罐53、升压栗55、氧捕集器56、净化器58。也可以是，在配管25上，从净化器58侧起依次配置升压罐59、调节器65、过滤器63、阀C-V2。也可以由配管24和配管25构成从阀C-V1到阀C-V2的气体精制流路。[0128]激光气体精制系统50还可以包含与缓冲气体提供源B连接的配管26的一部分。配管26也可以与配管25和配管27的连接部分连接。缓冲气体提供源B也可以是收纳缓冲气体的气瓶。在本公开中，有时将从缓冲气体提供源B提供且还未到达腔室10的缓冲气体与从配管24和配管25提供的精制气体进行区分而称为新气体。新气体从缓冲气体提供源B向配管26的提供压力也可以由调节器64进行设定。激光气体精制系统50也可以包含设置于配管26上的阀B-V2。[0129]激光气体精制系统50所包含的过滤器52也可以是用于对排出气体所包含的粒子进行捕捉的过滤器。[0130]回收罐53也可以是对排出气体进行收纳的容器。也可以在回收罐53上安装有压力传感器54。压力传感器54也可以构成为将压力的测定数据发送给气体精制控制部51。[0131]升压泵55也可以是构成为对排出气体进行升压而输出的泵。升压栗55也可以是油混入少的隔膜泵。升压栗55也可以由气体精制控制部51进行控制。[0132]氧捕集器56也可以构成为对氧气进行捕捉。对氧气进行捕捉的处理剂也可以是包含镍Ni类催化剂、铜Cu类催化剂、以及它们的复合物中的至少一个的处理剂。氧捕集器56也可以包含未图示的加热装置和温度调节装置。氧捕集器56的加热装置和温度调节装置也可以由气体精制控制部51进行控制。[0133]净化器58也可以是包含金属吸气剂的金属过滤器。金属吸气剂也可以是锆Zr类合金。净化器58也可以构成为从激光气体中捕集杂质气体。[0134]配置在配管25上的升压罐59也可以是收纳在从氟捕集器45到净化器58的路径通过的精制气体的容器。也可以在升压罐59上安装有压力传感器60。压力传感器60也可以构成为将压力的测定数据发送给气体精制控制部51。[0135]调节器65也可以是将压力减压到一定值的减压阀。[0136]过滤器63也可以是用于从精制气体中捕捉粒子的过滤器。[0137]2.2动作[0138]2.2.1准分子激光装置的动作[0139]2.2.1.1激光振荡系统的动作[0140]激光控制部31也可以从曝光装置控制部110接收目标脉冲能量的设定信号和发光触发信号。激光控制部31也可以根据从曝光装置控制部110接收的目标脉冲能量的设定信号将充电电压的设定信号发送给充电器12。另外，激光控制部31也可以根据从曝光装置控制部110接收的发光触发信号将发光触发发送给脉冲功率模块PPM13所包含的开关13a。[0141]脉冲功率模块13的开关13a也可以当从激光控制部31接收发光触发时处于接通状态。脉冲功率模块13也可以在开关13a处于接通状态时，根据充电器12所充的电能而生成脉冲状的高电压，并将该高电压施加给一对放电电极1la和1lb。[0142]当对一对放电电极11a和11b之间施加高电压时，可能会在一对放电电极11a和11b之间引起放电。通过该放电的能量，能够对腔室10内的激光气体进行激励而转移到高能量能级。然后，在被激励的激光气体转移到低能量能级时，可能放出与该能量能级差对应的波长的光。[0143]在腔室10内产生的光也可以经由窗口10a和10b射出到腔室10的外部。从腔室10的窗口10a射出的光通过棱镜14a而扩大了射束宽度从而可以入射到光栅14b。从棱镜14a入射到光栅14b的光可以被光栅14b的多个槽反射并且在与光的波长对应的方向上衍射。光栅14b也可以进行利特罗配置，使得从棱镜14a入射到光栅14b的光的入射角与期望波长的衍射光的衍射角一致。由此，期望波长附近的光可以经由棱镜14a返回到腔室10。[0144]输出耦合镜15也可以使从腔室10的窗口l〇b射出的光中的一部分透射而进行输出，使另一部分反射而返回到腔室10。[0145]这样，从腔室10射出的光可以在窄带化模块14与输出耦合镜15之间往复，每当通过一对放电电极11a和lib之间的放电空间时被放大，进行激光振荡。该光可以每当在窄带化模块14中折返时被窄带化。这样，被放大且被窄带化的光可以从输出耦合镜15作为激光输出。[0146]功率监视器17也可以对从输出耦合镜15输出的激光的脉冲能量进行检测。功率监视器17也可以将所检测的脉冲能量的数据发送给激光控制部31。[0147]激光控制部31也可以根据从功率监视器17接收的脉冲能量的测定数据和从曝光装置控制部110接收的目标脉冲能量的设定信号，对设定在充电器12中的充电电压进行反馈控制。[0148]2.2.1.2激光气体控制系统的动作[0149]图2是示出比较例的激光装置30中的气体控制部47的处理的流程图。激光装置30的激光气体控制系统40也可以通过气体控制部47的以下处理来进行部分气体更换。[0150]首先，在S100中，气体控制部47也可以读取各种控制参数。控制参数例如可以包含部分气体更换的周期Tpg、每单位脉冲的缓冲气体注入量Kpg、以及每单位脉冲的含氟气体注入量Khg。[0151]接下来，在S110中，气体控制部47也可以将脉冲计数器N设定为初始值0。[0152]接下来，在S120中，气体控制部47也可以使用于判定部分气体更换的周期的计时器T复位以及开始。[0153]接下来，在S130中，气体控制部47也可以对是否进行了激光振荡进行判定。是否进行了激光振荡的判定也可以通过从激光控制部31接收发光触发或通过从激光控制部31接收功率监视器17的测定数据来进行。[0154]在进行了激光振荡的情况下（S130:“是”），气体控制部47也可以在S140中对脉冲计数器N的值加上1而更新N的值，并将处理前进到S150。在规定时间内未进行激光振荡的情况下S130:“否”），气体控制部47也可以跳过S140而将处理前进到S150。[0155]在S150中，气体控制部47也可以对计时器T的值是否达到部分气体更换的周期Tpg进行判定。在计时器T的值达到周期Tpg的情况下，（S150:“是”），气体控制部47也可以将处理前进到S160。在计时器T的值未达到周期Tpg的情况下S150:“否”）、气体控制部47也可以将处理返回到S130,反复进行脉冲数的计数和周期Tpg的判定。[0156]在S160中，气体控制部47也可以根据从气体精制控制部51接收的气体精制准备0K信号或气体精制停止信号，对气体精制系统的准备是否OK进行判定。根据该判定结果，气体控制部47也可以选择是进行关闭阀C-V1并打开阀EX-V2的第一控制还是进行关闭阀EX-V2并打开阀C-V1的第二控制。即，在气体精制系统的准备不OK的情况下（S160:“否”），气体控制部47可以在S170中进行上述第一控制，并将处理前进到S190。在气体精制系统的准备0K的情况下（S160:“否”），气体控制部47可以在S180中进行上述第二控制，并将处理前进到S190〇[0157]在S190中，气体控制部47也可以执行部分气体更换。关于S190的处理的详细，参照图3在后面说明。[0158]在执行部分气体更换之后，气体控制部47也可以在S200中对是否中止部分气体更换控制进行判定。在中止部分气体更换控制的情况下S200:“是”），气体控制部47也可以结束本流程图的处理。在不中止部分气体更换控制的情况下S200:“否”），气体控制部47也可以将处理返回到上述的S110,将脉冲计数器N和计时器T返回到原来，重新进行脉冲数的计数和周期Tpg的判定。[0159]图3是示出图2所示的S190的处理的详细的流程图。气体控制部47也可以像以下那样执行部分气体更换。[0160]首先，在S191中，气体控制部47也可以通过以下的式子来计算缓冲气体注入量APpg。[0161]APpg=Kpg•N[0162]这里，Kpg是上述的每单位脉冲的缓冲气体注入量，N是脉冲计数器的值。[0163]接下来，在S192中，气体控制部47也可以通过打开阀B-V1，将从激光气体精制系统50提供的缓冲气体注入到腔室10内。从激光气体精制系统50提供的缓冲气体也可以是从缓冲气体提供源B经由阀B-V2提供的新气体、或在激光气体精制系统50中减少了杂质而经由阀C-V2提供的精制气体。[0164]气体控制部47也可以从腔室压力传感器16接收测定数据，在腔室10内的激光气体的压力的增加量为相当于缓冲气体注入量APpg的增加量之后，关闭阀B-V1。[0165]接下来，在S193中，气体控制部47也可以通过以下的式子来计算含氟气体注入量APhg〇[0166]APhg=Khg•N[0167]这里，Khg也可以是上述的每单位脉冲的含氟气体注入量。[0168]接下来，在S194中，气体控制部47也可以通过打开阀F2-V1，将从含氟气体提供源F2提供的含氟气体注入到腔室10内。[0169]气体控制部47也可以从腔室压力传感器16接收测定数据，在腔室10内的激光气体的压力的增加量为相当于含氟气体注入量APhg的增加量之后，关闭阀F2-V1。[0170]接下来，在S195中，气体控制部47也可以通过对阀EX-V1进行开闭，将腔室10内的激光气体的一部分排出到排气装置43。在气体控制部47通过上述的S170而进行第一控制的情况下，从腔室10排出到排气装置43的排出气体也可以经由阀EX-V2排出到装置外部。在气体控制部47通过上述的S180而进行第二控制的情况下，从腔室10排出到排气装置43的排出气体也可以经由阀C-V1提供给激光气体精制系统50。[0171]气体控制部47也可以从腔室压力传感器16接收测定数据。气体控制部47也可以反复进行阀EX-V1的开闭，直到腔室10内的激光气体的压力的减少量为相当于缓冲气体注入量APpg和含氟气体注入量APhg的总计量的减少量为止。[0172]在S195之后，气体控制部47也可以结束本流程图的处理，并返回到图2所示的处理。[0173]也可以通过以上的部分气体更换，将杂质少的规定的量的气体提供给腔室i〇,并将腔室10内的气体排出与该提供的气体的量相等的量。由此，能够减少腔室10内的氟化氢OF、四氟化碳CF4、四氟化硅SiF4、三氟化氮NF3、六氟乙烷C2p6等杂质。[0174]2.2.2激光气体精制系统的动作、[0175]过滤器52也可以从通过氟捕集器45后的排出气体中捕捉在腔室10中由于放电而生成的粒子。[0176]回收罐53也可以收纳通过过滤器52后的排出气体。压力传感器54也可以测定回收罐53的内部的压力。压力传感器54也可以将所测定的气压的数据发送给气体精制控制部51。_[0177]升压泵55也可以对收纳在回收罐53中的排出气体进行升压并朝向氧捕集器56输出。气体精制控制部51也可以以如下方式进行控制:在从压力传感器54接收的回收罐53的压力为大气压以上的情况下，使升压泵55进行动作。[0178]氧捕集器56也可以捕捉在氟捕集器妨中通过氟气和氧化钙的反应而生成的氧气。[0179]净化器58也可以从通过氧捕集器56后的排出气体中捕集微量的水蒸气、氧气、—氧化碳气体、二氧化碳气体、氮气等杂质气体。[0180]升压罐59也可以收纳通过净化器58后的精制气体。压力传感器60也可以测定升压罐59的内部的压力。压力传感器60也可以将所测定的气压的数据发送给气体精制控制部51〇[0181]调节器65也可以将从升压罐59提供的精制气体的压力减压到规定的值。[0182]过滤器63也可以从由调节器65提供的精制气体中捕捉在激光气体精制系统50中生成的粒子。[0183]精制气体从气体精制流路经由配管27向气体提供装置42的提供也可以通过阀C-V2的开闭来进行控制。阀C-V2的开闭也可以由气体精制控制部51进行控制。[0184]新气体从缓冲气体提供源B经由配管27向气体提供装置42的提供也可以通过阀B-V2的开闭来进行控制。阀B-V2的开闭也可以由气体精制控制部51进行控制。[0185]气体精制控制部51也可以选择是关闭阀C-V2并打开阀B-V2还是关闭阀B-V2并打开阀C-V2,来控制这些阀。[0186]2.3课题[0187]如上所述，在从腔室排出的激光气体中可能存在多种杂质。在多种杂质中也可能存在未被精制装置去除干净的杂质类型。未被精制装置去除干净的杂质类型有时并非立即对激光性能造成影响。[0188]然而，在反复进行激光气体从腔室的排气、精制、向腔室的提供的过程中，未被精制装置去除千净的杂质类型可能会蓄积在激光气体中，影响激光性能。可是，为了去除多种杂质，必须另外设置用于去除各个杂质类型的捕集器等，因而可能需要大型的精制装置。另外，可能很难独立地鉴别多种杂质。_[0189]在以下说明的实施方式中，也可以设置有对激光气体精制系统的内部进行排气的排气装置。通过排气装置对激光气体精制系统的内部进行排气，从而可以抑制在激光气体精制系统50中无法去除的杂质的蓄积。另外，在本公开中，所谓杂质的“去除”并不意味着必须使杂质的浓度为〇。减少杂质的浓度的情况也是可以的。[0190]3.包含排气装置的激光气体精制系统[0191]3.1结构[0192]图4概略性地示出本公开的第一实施方式的激光装置30和激光气体精制系统5〇a的结构。在第一实施方式中，激光气体精制系统50a也可以包含配管33、旁通配管34、阀EX-V3、排气泵76、止回阀78、流量计75。[0193]配管33也可以连接在配置有净化器58的配管24与配置有升压罐59的配管25之间。也可以是，在配管33上，从净化器58侧起依次配置阀EX-V3和排气泵76。[0194]旁通配管34也可以连接在排气泵76的入口侧的配管33与排气栗76的出口侧的配管33之间。止回阀78也可以设置在旁通配管34上。[0195]流量计75也可以配置在调节器65与过滤器63之间的配管25上。[0196]关于其他点，可以与参照图1进行了说明的比较例的结构相同。[0197]3.2动作[0198]气体精制控制部51也可以对阀EX-V3的开闭进行控制。也可以是，止回阀78在阀EX-V3打开时，能够将包含配管24的气体精制流路上填充到大气压以上的激光气体的一部分排气到大气压左右。[0199]气体精制控制部51也可以对排气栗76进行控制。也可以是，排气栗76在阀EX-V3打开的状态下，能够将包含配管24的气体精制流路内的激光气体的一部分强制地排气到大气压以下的压力。[0200]流量计75也可以对在配管25内流动的气体的每单位时间的流量Q进行计测，并将所计测的流量Q的数据发送给气体精制控制部51。[0201]3.3气体精制控制部的处理[0202]图5是示出第一实施方式的激光气体精制系统50a中的气体精制控制部51的处理的流程图。激光气体精制系统5〇a也可以通过气体精制控制部51的以下处理来进行气体的精制处理。另外，在第一实施方式中，与图5所示的处理不同，气体控制部47也可以通过参照图2和图3进行了说明的处理来进行部分气体更换的控制。[0203]首先，在S300中，气体精制控制部51也可以进行气体精制准备。此时，也可以是，阀C-V2关闭，阀B-V2打开。另外，在输出后述的气体精制准备0K信号之前，气体控制部47也可以关闭阀C-VI。气体精制准备例如也可以包含用激光气体充满激光气体精制系统50a中的配管和罐、或通过排气栗76而排气到大气压以下的情况。另外，气体精制准备也可以包含将氧捕集器56加热到用于促进氧捕集器56中的氧吸附反应的最佳温度的情况。[0204]在气体精制准备完成之后，气体精制控制部51也可以在S3〇5中将激光气体的累计流量Qsum的值设为初始值0〇[0205]接下来，在S310中，气体精制控制部51也可以将气体精制准备〇K信号输出给气体控制部47。[0206]接下来，在S320中，气体精制控制部51也可以对是否从气体控制部47接收到气体精制OK信号进行判定。气体精制控制部51也可以待机到从气体控制部47接收到气体精制OK信号为止。[0207]气体控制部47也可以在输出气体精制〇K信号之后通过图2的Sl8〇的处理而关闭阀EX-V2并打开阀C-VlS330。由此，从腔室1〇排出到排气装置43的排出气体也可以流入激光气体精制系统50a。[0208]接下来，在S340中，气体精制控制部51也可以控制升压栗55,以使回收罐53的压力P2处于以下的范围内。[0209]P2min彡P2彡P2max[0210]P2min例如是大气压，P2max也可以是比大气压高的值。[0211]接下来，在S350中，气体精制控制部51也可以对升压罐59的压力P3与阈值P3max进行比较。阈值P3maX也可以是比腔室10内的压力高的值。阈值P3max也可以与缓冲气体提供源B的调节器64的压力相等。[0212]在升压罐59的压力P3不为阈值P3max以上的情况下（S350:“否”）气体精制控制部51也可以将处理返回到S330,通过接下来的S340的处理而继续升压泵55的驱动。另外，S33〇中的阀EX-V2和阀C-V1的控制可以保持原样。在升压罐59的压力P3为阈值P3max以上的情况下S350:“是”），气体精制控制部51也可以将处理前进到S370。[0213]在S370中，气体精制控制部51也可以关闭阀B-V2并打开阀C-V2。由此，也可以是，不仅能够从缓冲气体提供源B将新气体提供给激光装置30,还能够将在激光气体精制系统50a中减少了杂质后的精制气体提高给激光装置30。[0214]气体控制部47也可以通过图3的S192的处理来控制阀B-VlS390。在图3的S192的处理在S370之后进行的情况下，精制气体可以经由阀C-V2提供给激光装置30。另外，在图3的S192的处理在S370之前进行的情况下，新气体可以经由阀B-V2提供给激光装置30。[0215]接下来，在S400中，气体精制控制部51也可以计算在配管25内流动的精制气体的累计流量Qsum。累计流量Qsum也可以通过对从流量计75接收的每单位时间的流量Q进行时间积分来计算。累计流量Qsum可以相当于本公开中的气体参数。[0216]气体精制控制部51也可以对计算出的累计流量Qsum与阈值Qsumt进行比较。在累计流量Qsum不为阈值Qsumt以上的情况下S400:“否”），气体精制控制部51也可以将处理返回到S330。另外，S330中的阀EX-V2和阀C-V1的控制可以保持原样。在累计流量Qsum为阈值Qsumt以上的情况下S400:“是”），气体精制控制部51也可以将处理前进到S410。[0217]在S410中，气体精制控制部51也可以对气体精制系统内的激光气体进行排气。在对气体精制系统内的激光气体进行排气时，也可以暂时停止气体的精制。关于S41〇的详细，参照图6在后面说明。_[0218]在S410之后，在S430中，气体精制控制部51也可以对是否结束气体的精制进行判定。在未结束气体的精制的情况下（S430:“否”），气体精制控制部51也可以将处理返回到S305，将累计流量返回到初始值。而且，每当累计流量Qsum达到阈值Qsurat时，气体精制控制部51也可以对气体精制系统内的激光气体进行排气。另一方面，在结束气体的精制的情况下S430:“是”），气体精制控制部51也可以结束气体的精制而结束本流程图的处理。[0219]图6是示出图5所示的S410的处理的详细的流程图。气体精制控制部51也可以像以下那样对气体精制系统内的激光气体进行排气。^[0220]首先，在S411中，气体精制控制部5丨也可以向激光装置3〇发送气体精制停止信号。气体精制停止信号也可以是抵消参照图5进行了说明的气体精制准备0K信号的信号。[0221]接下来，在S412中，气体精制控制部5丨也可以对是否从气体控制部47接收到气体精制停止OK信号进行判定。气体精制控制部51也可以待机到从气体控制部47接收到气体精制停止OK信号为止。[0222]气体控制部47也可以通过图2的S170的处理而关闭阀C-V1并打开阀EX-V2S413。由此，从腔室10排出到排气装置43的排出气体也可以不流入激光气体精制系统50a而排出到装置外部。[0223]接下来，在S414中，气体精制控制部51也可以关闭阀C-V2并打开阀B-V2。由此，来自缓冲气体提供源B的新气体也可以提供给激光装置30。[0224]接下来，在S415中，气体精制控制部51也可以开始排气泵76的驱动。[0225]接下来，在S416中，气体精制控制部51也可以打开阀EX-V3。由此，也可以开始气体精制系统内的激光气体的排气。[0226]接下来，在S417中，气体精制控制部51也可以对回收罐53的压力P2和升压罐59的压力P3进行计测。这些压力P2和P3的值也可以分别从压力传感器54和压力传感器60接收。[0227]接下来，在S418中，气体精制控制部51也可以对所计测的压力P2和压力P3的值与阈值Pmin进行比较。阈值Pmin也可以是不足大气压的压力。在所计测的压力P2和压力P3的值均为阈值Pmin以下的情况下，（S418:“是”），气体精制控制部51也可以将处理前进到S419。在所计测的压力P2和压力P3的值均不为阈值Pmin以下的情况下S418:“否”），气体精制控制部51也可以将处理返回到S417,继续排气直到压力P2和压力P3的值为阈值Pmin以下为止。[0228]在S419中，气体精制控制部51也可以关闭阀EX-V3。[0229]接下来，在S420中，气体精制控制部51也可以停止排气栗76的驱动。由此，也可以停止气体精制系统内的激光气体的排气。[0230]在S420之后，气体精制控制部51也可以结束本流程图的处理，返回到图5所示的处理。[0231]3.4补充[0232]在第一实施方式中，通过排气泵76对精制气体的流路进行排气，直到压力P2和P3的值为阈值Pmin以下为止，但本公开不限定于此。也可以通过打开阀EX-V3而经由止回阀78进行排气，将气体精制流路内的激光气体排气到大气压附近。关于此，参照图8在后面说明。[0233]在第一实施方式中，在气体控制部47与气体精制控制部51之间直接进行信号的收发，但本公开不限定于此。气体控制部47也可以经由激光控制部31接收来自气体精制控制部51的信号。气体精制控制部51也可以经由激光控制部31接收来自气体控制部47的信号。[0234]在第一实施方式中，在配管21上配置有氟捕集器45,但本公开不限定于此。也可以代替氟捕集器45,而在配管22和配管24这两者上分别配置有未图示的氟捕集器。配置在配管22上的氟捕集器也可以位于比旁通配管23与排气泵46的入口侧的配管22的连接部分靠上游侧的位置。配置在配管24上的氟捕集器也可以位于比过滤器52靠上游侧的位置。[0235]在第一实施方式中，作为填充到氟捕集器45中的处理剂，也可以使用沸石和氧化钙的组合，但本公开不限定于此。作为填充到氟捕集器45中的处理剂，也可以使用沸石和氢氧化钙的组合。[0236]另外，作为填充到氟捕集器45中的处理剂，也可以使用钙等碱土金属。在作为填充到氟捕集器45中的处理剂而使用碱土金属的情况下，也可以在氟捕集器45中设置加热装置。在作为填充到氟捕集器45中的处理剂而使用碱土金属的情况下，也可以代替氧捕集器56而配置填充了锆（Zr类金属的容器。也可以在填充了该锆类金属的容器中设置加热装置。[0237]在第一实施方式中，对激光装置30是KrF准分子激光装置的情况进行了说明，但本公开不限定于此。激光装置30例如也可以是ArF准分子激光装置、XeF准分子激光装置、XeCl准分子激光装置。[0238]在XeF准分子激光装置中，含氟气体提供源F2也可以提供混合了氟气和氖气而成的激光气体。缓冲气体提供源B也可以提供混合了氙气和氖气而成的激光气体。[0239]在XeCl准分子激光装置中，也可以代替含氟气体提供源F2,而使用混合了氯气、氙气以及氖气而成的含卤素气体的提供源。缓冲气体提供源B也可以提供混合了氙气和氖气而成的激光气体。[0240]关于ArF准分子激光装置，参照图18在后面说明。[0241]在第一实施方式中，在净化器58与升压罐59之间的配管上配置有包含排气栗76和止回阀78的排气装置，但本公开不限定于此。也可以在阀C-V1与阀C-V2之间的气体精制流路的任意位置配置排气装置。[0242]3.5作用[0243]图7A是概念性地示出应用第一实施方式的激光气体精制系统50a时在激光气体精制系统50a中无法去除的杂质类型的浓度的变化的曲线图。若反复进行激光气体的精制，则在激光气体精制系统50a中无法去除的杂质可能会蓄积在激光气体中。根据第一实施方式，由于每当累计流量Qsum达到规定的阈值Qsumt时，对激光气体精制系统50a内的激光气体进行排气，因此可以抑制在激光气体精制系统50a中无法去除的杂质类型的浓度持续上升。[0244]在第一实施方式中，激光气体精制系统50a也可以包含配置在精制气体的流路上的阀C-V2和配置在从缓冲气体提供源B提供的新气体的流路上的阀B-V2。阀C-V2和阀B-V2也可以由气体精制控制部51进行控制。另外，激光装置30也可以包含配置在从激光气体精制系统50a提供的精制气体或新气体的流路上的阀B-V1。阀B-V1也可以由激光装置30所包含的气体控制部47进行控制。如上所述，是否能够提供精制气体可以依赖于激光气体精制系统50a的状态。根据第一实施方式，不需要激光装置30或气体控制部47对激光气体精制系统50a的状态进行判断，气体精制控制部51能够进行判断从而控制阀C-V2和阀B-V2。只要气体控制部47对阀B-V1进行控制，激光装置30就能够将新气体或具有与其相同的成分的精制气体提供给腔室10。[0245]并且，优选阀C-V2由常闭阀构成，阀B-V2由常开阀构成。所谓常闭阀可以是在电源被切断的情况下关闭的阀，所谓常开阀可以是在电源被切断的情况下打开的阀。由此，即使停止激光气体精制系统50a的一部分或全部而无法进行阀等的控制，也能经由作为常开阀的阀B-V2提供新气体。因此，可以抑制激光装置30的运转出现故障。[0246]3.6变形例[0247]下面，对第一实施方式的变形例进行说明。在以下的说明中，以与上述第一实施方式不同的点为中心进行说明。对与上述第一实施方式相同的部分，有时省略说明。[0248]3.6.1经由止回阀78的排气[0249]图8是示出在第一实施方式的第一变形例中对气体进行排气的处理的流程图。在第一变形例中，激光装置30和激光气体精制系统50a的结构可以与参照图4进行了说明的结构相同。关于气体的精制处理，可以与参照图5进行了说明的处理相同。[0250]在第一变形例中，气体精制控制部51也可以像以下那样对气体精制系统内的激光气体进行排气。[0251]S411〜S414的处理、S416以及S419的处理可以与参照图6进行了说明的处理相同。在第一变形例中，参照图6进行了说明的驱动排气栗的处理（S415和停止的处理（S420也可以不进行。在第一变形例中，也可以通过阀EX-V3的开闭（S416、S419来进行经由止回阀78的排气。[0252]在S416之后，在S417a中，气体精制控制部51也可以对升压罐59的压力P3进行计测。或者，也可以对回收罐53的压力P2进行计测。即，也可以仅对压力P2和压力P3中的一方进行计测。[0253]接下来，在S418a中、气体精制控制部51也可以对升压罐59的压力P3或回收罐53的压力P2是否大致为大气压进行判定。在压力P3或压力P2为大气压附近的情况下（S41Sa:“是”），气体精制控制部51也可以将处理前进到S419。在压力P3或压力P2不为大气压附近的情况下S418a:“否”），气体精制控制部51也可以将处理返回到S417a，继续排气直到压力P3或压力P2大致为大气压为止。[0254]图7B是概念性地示出应用第一实施方式的第一变形例的激光气体精制系统50a时在激光气体精制系统50a中无法去除的杂质类型的浓度的变化的曲线图。在第一变形例中，由于将激光气体精制系统50a内的激光气体排气到大气压附近，因此也可以存在杂质的浓度不会变为〇附近的情况。但是，在累计流量Qsum达到规定的阈值Qsumt时，由于将激光气体精制系统50a内的激光气体排气到大气压附近，因此可以抑制杂质的浓度持续上升。[0255]3.6.2基于精制装置的运转时间的排气[0256]图9是示出第一实施方式的第二变形例中的气体的精制处理的流程图。在第二变形例中，激光装置30和激光气体精制系统50a的结构可以与参照图4进行了说明的结构相同。但是，在第二变形例中，也可以不设置流量计75。[0257]在第二变形例中，气体精制控制部51也可以像以下那样进行气体的精制处理。[0258]S300的处理、S310〜S390的处理、S410以及S430的处理可以与参照图5进行了说明的处理相同。在第二变形例中，也可以代替参照图5进行了说明的对累计流量进行初始设定的处理S305以及对累计流量进行计算并与阈值进行比较的处理S400，而分别进行以下的S305a和S400a的处理。[0259]在S305a中，气体精制控制部51也可以使示出精制装置的运转时间的计时器T2复位以及开始。精制装置的运转时间可以相当于本公开中的气体参数。[0260]在开始气体的精制之后，在S400a中，气体精制控制部51也可以对计时器T2的值是否达到气体排气的周期T2max进行判定。在计时器T2的值达到周期T2max的情况下（S400a:“是”），气体精制控制部51也可以将处理前进到S410。在计时器T2的值未达到周期T2max的情况下，（S400a:“否”），气体精制控制部51也可以将处理返回到S330,一边进行气体的精制，一边反复进行计时器T2的计数和周期T2max的判定。[0261]在S410中，在对气体进行排气之后未结束气体的精制的情况下s43〇:“否”），气体精制控制部51也可以将处理返回到S305a，使计时器T2再次复位以及开始。而且，每当计时器T2的值达到周期T2max时，气体精制控制部51也可以对激光气体精制系统5〇a内的激光气体进行排气。周期T2max例如也可以是1天以上且10天以下。[0262]3.6.3基于激光参数的排气[0263]图10是示出第一实施方式的第三变形例中的气体的精制处理的流程图。在第三变形例中，激光装置30和激光气体精制系统50a的结构可以与参照图4进行了说明的结构相同。但是，在第二变形例中，也可以不设置流量计75。[0264]在第三变形例中，气体精制控制部51也可以像以下那样进行气体的精制处理。[0265]S300的处理、S310〜S390的处理、S410以及S430的处理可以与参照图5或图9进行了说明的处理相同。在第三变形例中，参照图5进行了说明的对累计流量进行初始设定的处理S305或参照图9进行了说明的使计时器T2复位以及开始的处理S305a也可以不进行。在第三变形例中，也可以代替参照图5进行了说明的对累计流量进行计算并与阈值进行比较的处理（S400或参照图9进行了说明的对计时器T2的值与周期T2tnax进行比较的处理S400a，而进行以下的S400b的处理。[0266]在S400b中，气体精制控制部51也可以从激光控制部31接收激光参数的判定标志F，并参照该判定标志F的值。关于判定标志F，参照图11在后面说明。[0267]在判定标志F的值为1的情况下（S400b:“是”），气体精制控制部51也可以将处理前进到S410。在判定标志F的值不为1的情况下（S400b:“否”），气体精制控制部51也可以将处理返回到S330,一边进行气体的精制一边反复进行判定标志F的接收。[0268]在S410中，在对气体进行排气之后未结束气体的精制的情况下S430:“否”），气体精制控制部51也可以将处理返回到S310。而且，每当判定标志F的值为1时，气体精制控制部51也可以对气体精制系统内的激光气体进行排气。[0269]图11是示出第一实施方式的第三变形例中的判定标志F的生成处理的流程图。在第三变形例中，激光控制部31也可以像以下那样进行判定标志的生成。[0270]首先，在S401中，激光控制部31也可以读取脉冲能量的稳定性E〇的值。脉冲能量的稳定性E〇也可以是激光控制部31根据功率监视器I7的脉冲能量的测定数据来计算出的。[0271]接下来，在S402中，激光控制部31也可以读取腔室的射数Nch的值。腔室的射数Nch也可以是设置腔室1〇之后的射数。腔室的射数Nch的值也可以是激光控制部31对从功率监视器17输出的脉冲能量的检测信号进行计数而得到的值，或者也可以是对发光触发信号进行计数而得到的值。[0272]接下来，在S403中，激光控制部31也可以读取风扇的运转时间Tcff。风扇的运转时间Tcff也可以是对用于使激光气体在腔室1〇内循环的未图示的横流风扇所运转的时间进行计测而得到的时间。[0273]接下来，在S404中，激光控制部31也可以读取施加电压Vhv。施加电压Vhv也可以是用于对一对放电电极11a和lib之间施加电压的充电器12的设定电压。[0274]接下来，在S405中，激光控制部31也可以读取气体更换后的射数Ng。气体更换后的射数Ng也可以是在对腔室10内的激光气体更换了全部气体的情况下对全部气体更换后的射数进行计数而得到的射数。[0275]接下来，在S406中，激光控制部31也可以读取腔室的气压P1。腔室的气压P1也可以是从腔室压力传感器16输出的测定数据。[0276]S401〜S406的处理也可以不是以这样的顺序而是以其他顺序进行。另外，也可以省略这些处理中的几个。[0277]接下来，在S407中，激光控制部31也可以对上述的参数是否分别为阈值以上进行判定。即，也可以对脉冲能量的稳定性E〇是否为阈值E〇max以上进行判定。另外，也可以对腔室的射数Nch是否为阈值Nchmax以上进行判定。另外，也可以对风扇的运转时间Tcff是否为阈值Tcffmax以上进行判定。另外，也可以对施加电压Vhv是否为阈值Vhvmax以上进行判定。另外，也可以对气体更换后的射数Ng是否为阈值Ngmax以上进行判定。另外，也可以对腔室的气压P1是否为阈值Plmax以上进行判定。[0278]在上述的参数均为阈值以上的情况下（S407:“是”），在S408a中，激光控制部31也可以将判定标志F设定为1。[0279]在上述的参数不是均为阈值以上的情况下（S407:“否”），在S408b中，激光控制部31也可以将判定标志F设定为0。[0280]在S408a或S408b之后，在S409中，激光控制部3丨也可以将判定标志F的值发送给气体精制控制部51。[0281]在S409之后，激光控制部31也可以将处理返回到S401而反复进行上述的处理。另夕卜，在腔室的射数Nch到达阈值Nchmax之后进而将处理返回到S401而反复进行上述的处理的情况下，也可以将腔室的射数Nch从1开始重新计数。对于风扇的运转时间Tcff和气体更换后的射数Ng也可以是同样的。[0282]根据以上的处理，每当激光参数达到规定的值时，判定标志F的值被设定为1，在图10的S410中可以进行气体的排气。由此，可以抑制激光气体精制系统中的杂质的浓度持续上升。[0283]4.导入新气体的激光气体精制系统[0284]4.1结构[0285]图12概略性地示出本公开的第二实施方式的激光装置3〇和激光气体精制系统50c的结构。在第二实施方式中，激光气体精制系统50c也可以包含第一质量流量控制器66、阀C-V3、供气罐62。并且，激光气体精制系统5〇c也可以包含配管35、配管36、阀EX-V4、第二质量流量控制器69、阀C-V4。激光装置30的结构可以与第一实施方式中的激光装置30的结构相同。[0286]第一质量流量控制器66、阀C-V3、供气罐62也可以从调节器65侧起依次配置在调节器65与过滤器63之间的配管25上。[0287]配管35的一端也可以与过滤器63和阀C-V2之间的配管25连接。配管35的另一端也可以与阀EX-V3和排气泵76之间的配管33连接。阀EX-V4也可以配置在配管35上。这样的配管35和阀EX-V4在上述的第一实施方式中也可以同样地配置。[0288]配管36的一端也可以与调节器64和阀B-V2之间的配管26连接。配管36的另一端也可以与阀C-V3和供气罐62之间的配管25连接。也可以是，在配管36上，从调节器64侧起依次配置第二质量流量控制器69和阀C-V4。[0289]4.2动作[0290]阀EX-V4也可以由气体精制控制部51进行控制。配管35也可以在阀EX_y4打开时使配管25内的激光气体朝向配管33通过。由此，至少比阀C-V3靠下游侧的气体精制流路内的激光气体可以经由排气泵76或止回阀78排出。比阀C-V3靠上游侧的气体精制流路内的激光气体也可以在阀EX-V3打开时经由排气栗76或止回阀78排出。[0291]第一质量流量控制器66和阀C-V3也可以由气体精制控制部51进行控制。第一质量流量控制器66也可以将从调节器65提供的精制气体的流量调整到规定的值。在阀C-V3打开时，流量被第一质量流量控制器66调整后的精制气体也可以提供给供气罐62。[0292]第二质量流量控制器69和阀C-V4也可以由气体精制控制部51进行控制。第二质量流量控制器69也可以将从调节器64提供的新气体的流量调整到规定的值。在阀C-V4打开时，流量被第二质量流量控制器69调整后的新气体也可以提供给供气罐62。[0293]由此，也可以将精制气体和新气体提供给供气罐62。精制气体和新气体的混合比也可以是根据第一以及第二质量流量控制器66和69的流量来规定的。供气罐62也可以将混合了精制气体和新气体而得到的混合气体经由阀C-V2提供给气体提供装置42。[0294]4.3气体精制控制部的处理[0295]图13是示出第二实施方式的激光气体精制系统50c中的气体精制控制部51的处理的流程图。激光气体精制系统50c也可以通过气体精制控制部51的以下处理来进行气体的精制处理。[0296]首先，在S300c中，气体精制控制部51也可以进行气体精制准备。在气体精制准备中，也可以关闭阀C-V3和阀C-V4这两者。气体精制控制部51也可以将第一质量流量控制器66的流量MFC1设定为恒定值SCCM1。气体精制控制部51也可以将第二质量流量控制器69的流量MFC2设定为恒定值SCCM2。[0297]接下来的S305〜S350为止的处理可以与参照图5进行了说明的处理相同。在S350中，在升压罐59的压力P3为阈值P3max以上的情况下（S350:“是”），气体精制控制部51也可以将处理前进到S370c。[0298]在S370c中，气体精制控制部51也可以打开阀C-V3和阀C-V4这两者。由此，也可以是，精制气体经由第一质量流量控制器66和阀C-V3提供给供气罐62,新气体经由第二质量流量控制器69和阀C-V4提供给供气罐62。根据上述的流量MFC1和流量MFC2,精制气体和新气体的混合比也可以为期望的值。另外，也可以与参照图5进行了说明的情况同样地，关闭阀B-V2并打开阀C-V2。[0299]在S350中，在升压罐59的压力P3不为阈值P3max以上的情况下（S350:“否”），气体精制控制部51也可以将处理前进到S360c。在S360c中，气体精制控制部51也可以关闭阀C-V3和阀C-V4这两者。在S360c之后，气体精制控制部51也可以将处理返回到S330,通过接下来的S340的处理而继续升压泵55的驱动。[0300]S390、S400以及S430的处理与参照图5进行了说明的处理相同。在第二实施方式中，也可以代替S410,而通过S410c所示的处理对气体精制系统内的激光气体进行排气。关于S410c的详细，参照图14在后面说明。[0301]图14是示出图13所示的S410c的处理的详细的流程图。气体精制控制部51也可以像以下那样对气体精制系统内的激光气体进行排气。_[0302]S411〜S415的处理、S417、S418以及S420的处理可以与参照图6进行了说明的处理相同。在第二实施方式中，也可以代替S416和S419,而分别进行S416c和S419c的处理。[0303]在S416c中，气体精制控制部51不仅打开阀EX-V3,也可以打开阀EX-V4。由此，不仅进行经由阀EX-V3的排气，也可以进行经由阀EX-V4的排气。[0304]在S419c中，气体精制控制部51不仅关闭阀EX-V3,也可以关闭阀EX-V4。[0305]关于其他点，可以与第一实施方式相同。也可以将在第一实施方式中进行了说明的变形例应用于第二实施方式。[0306]4.4作用[0307]根据第二实施方式，由于将混合了精制气体和新气体而成的混合气体提供给气体提供装置42,因此可以使在激光气体精制系统50c中无法去除的杂质类型的浓度的上升变得缓慢。另外，通过经由阀EX-V3和阀EX-V4对激光气体精制系统内的激光气体进行排气，可以抑制在激光气体精制系统50c中无法去除的杂质类型的浓度的上升。[0308]4•5抑制升压罐59的压力上升的例子[0309]下面，对第二实施方式的变形例进行说明。在以下的说明中，以与上述第二实施方式不同的点为中心进行说明。对与上述第二实施方式相同的部分，有时省略说明。[0310]图15是示出第二实施方式的变形例中的气体的精制处理的流程图。在第二实施方式的变形例中，激光装置30和激光气体精制系统50c的结构可以与参照图12进行了说明的结构相同。[0311]在第二实施方式的变形例中，气体精制控制部51也可以像以下那样进行气体的精制处理。[0312]S300c的处理、S310〜S390的处理、S430的处理可以与参照图13进行了说明的处理相同。在该变形例中，参照图13进行了说明的对累计流量进行初始设定的处理S305也可以不进行。也可以代替参照图13进行了说明的对累计流量进行计算并与阈值进行比较的处理S400，而进行以下的S400d的处理。[0313]在S400d中，气体精制控制部51也可以对升压罐59的压力P3与第二阈值P3max2进行比较。第二阈值P3max2也可以是比在S350中用于对是否能够提供精制气体进行判定的阈值P3max大的值。[0314]在升压罐59的压力P3不为第二阈值P3max2以上的情况下S400d:“否”），气体精制控制部51也可以将处理返回到S330,反复进行升压栗55的驱动和新气体的导入。在升压罐59的压力P3为第二阈值P3max2以上的情况下（S400d:“是”），气体精制控制部51也可以将处理前进到S410d，对激光气体精制系统50c内的激光气体进行排气。关于S410d的详细，参照图16在后面说明。在S410d之后，气体精制控制部51也可以将处理前进到S430。[0315]图16是示出图15所示的S410d的处理的详细的流程图。气体精制控制部51也可以像以下那样对气体精制系统内的激光气体进行排气。[0316]S411〜S416c的处理、S419c以及S420的处理可以与参照图14进行了说明的处理相同。在第二实施方式的变形例中，也可以代替S417和S418,而分别进行S417d和S418d的处理。[0317]在S417d中，气体精制控制部51也可以对升压罐59的压力P3进行计测。回收罐的压力P2也可以不计测。[0318]在S418d中，气体精制控制部51也可以对升压罐59的压力P3是否为第二阈值P3max2以下进行判定。在升压罐59的压力P3不为第二阈值P3max2以下的情况下，气体精制控制部51也可以将处理返回到S417d，等待升压罐的压力P3降低。在升压罐59的压力P3为第二阈值P3max2以下的情况下，气体精制控制部51也可以将处理前进到S419c。或者，气体精制控制部51也可以在等到升压罐59的压力P3变为阈值P3max附近的值之后，将处理前进到S419c〇[0319]根据以上的处理，只要将激光气体精制系统内排气到升压罐f59的压力P3不过高的程度即可。因此，排气泵76的驱动也可以不进行。即，S415和S420的处理也可以省略。由于将激光气体精制系统内排气到升压罐59的压力P3不过高的程度，因此可以抑制杂质浓度的急剧变动。[0320]图17是概念性地示出应用第二实施方式的激光气体精制系统时在激光气体精制系统50c中无法去除的杂质类型的浓度的变化的曲线图。若反复进行激光气体的精制，则在激光气体精制系统50c中无法去除的杂质可能会蓄积在激光气体中。根据第二实施方式，由于将混合了精制气体和新气体而成的混合气体提供给气体提供装置42,因此可以使在激光气体精制系统50c中无法去除的杂质类型的浓度的上升变得缓慢。并且，根据参照图15和图16进行了说明的变形例，由于将激光气体精制系统50c内排气到升压罐59的压力P3不过高的程度，因此在激光气体精制系统50c中无法去除的杂质类型的浓度在上升到某种程度之后能够大致变得恒定。[0321]5.ArF准分子激光装置和激光气体精制系统[0322]5.1结构[0323]图18概略性地示出本公开的第三实施方式的激光装置30e和激光气体精制系统50e的结构。在第三实施方式中，激光装置30e也可以是ArF准分子激光装置。[0324]激光装置30e的结构可以与第二实施方式中的激光装置3〇的结构相同。但是，在ArF准分子激光装置中，含氟气体提供源F2也可以提供混合了氟气、氩气以及氖气而成的激光气体。缓冲气体提供源B也可以提供混合了氩气、氖气以及微量的氙气而成的激光气体。[0325]在第三实施方式中，激光气体精制系统50e也可以包含氙捕集器57、氙添加装置61。关于其他点，激光气体精制系统50e的结构也可以与第二实施方式中的激光气体精制系统50c相同。或者，激光气体精制系统50e的结构也可以采用在第一实施方式中的激光气体精制系统50a中加上氙捕集器57、氙添加装置61、第一质量流量控制器66、阀C-V3后的结构。[0326]氙捕集器57也可以配置在氧捕集器56与净化器58之间的配管24上。氙捕集器57也可以是通过使用了液氮的冷却使在常温常压下为气体的氙液化或冻结的装置。或者，氙捕集器57也可以是使用了可以选择性地吸附氙的沸石的装置。[0327]氙添加装置61也可以配置在比阀C-V3靠下游侧且比与配管36的合流位置靠上游侧的配管25上。氙添加装置61也可以由气体精制控制部51进行控制。[0328]图19概略性地示出氙添加装置61的结构例。氙添加装置61也可以包含含氙气瓶67、调节器68、第三质量流量控制器71、阀Xe-Vl、混合器70、配管2〇。含氙气瓶67也可以配置在配管20的一端。也可以是，在配管20上，从含氙气瓶67侧起依次配置调节器68、第三质量流量控制器71、阀Xe-Vl、混合器70。混合器70也可以配置在配管20的与配管25的结合位置上。_[0329]含氙气瓶67也可以收纳具有比ArF准分子激光装置中的最佳的氙气浓度高的氙气浓度的含氙气体。[0330]5.2动作[0331]氙捕集器57也可以从通过氧捕集器56后的激光气体中去除氙气。通过氙捕集器57进而通过第一质量流量控制器66和阀C-V3后的精制气体也可以被引导到混合器70。[0332]从含氙气瓶67经由配管20提供的含氙气体也可以经由调节器68、第三质量流量控制器71、阀Xe_Vl而引导到氙添加装置61中的混合器70中。[0333]混合器70也可以使精制气体和含氙气体混合。精制气体和含氙气体的混合比也可以是根据第一质量流量控制器66的流量和第三质量流量控制器71的流量来规定的。通过将含氙气体和去除了氙的精制气体以规定的比例进行混合，可以将具有期望的氙浓度的激光气体提供给供气罐62。[0334]5.3气体精制控制部的处理[0335]图20是示出第三实施方式的激光气体精制系统50e中的气体精制控制部51的处理的流程图。激光气体精制系统5〇e也可以通过气体精制控制部51的以下处理来进行气体的精制处理。[0336]图20所示的处理中的S310〜S350的处理、S390〜S430的处理可以与参照图15进行了说明的处理相同。也可以代替图15的S300c、360c以及370c，而分别进行图20中的以下的S300e、360e以及370e的处理。[0337]在S300e的气体精制准备中，气体精制控制部51不仅关闭阀C-V3和阀C-V4,也可以关闭阀Xe-Vl。气体精制控制部51也可以分别设定第一质量流量控制器66的流量MFC1和第二质量流量控制器69的流量MFC2,除此之外，将第三质量流量控制器71的流量MFC3设定为恒定值SCCM3。[0338]在S360e中，气体精制控制部51不仅关闭阀C-V3和阀C-V4,也可以关闭阀Xe-Vl。[0339]在S370e中，气体精制控制部51不仅打开阀C-V3和阀C-V4,也可以打开阀Xe-Vl。由此，精制气体和含氙气体也可以以规定的比例混合，进而混合成新气体。另外，也可以与第一实施方式同样地，关闭阀B-V2并打开阀C-V2。[0340]在图20中，对将图15的流程图应用于第三实施方式的情况进行了说明，但本公开不限定于此。例如，也可以代替S400d，进行根据累计流量Qsum排出气体的处理。另外，也可以进行根据计时器T2的值排出气体的处理。另外，也可以进行根据从激光控制部31接收的激光参数的判定标志F排出气体的处理。另外，也可以进行使用排气栗将气体排出直到不足大气压为止的处理。另外，也可以进行不使用排气杲而将气体排出直到大气压附近为止的处理。[0341]6.进行气体吹扫的激光气体精制系统[0342]6.1结构[0343]图21概略性地示出本公开的第四实施方式的激光装置3〇和激光气体精制系统5〇f的结构。在第四实施方式中，激光气体精制系统5〇f也可以具有配管37。[0344]配管37的一端也可以与调节器64和阀B-V2之间的配管26连接。配管37也可以在其中途分支成配管37a和配管37b。配管37a也可以与流量计75和过滤器63之间的配管2^接。也可以在配管37a上配置有阀C-V4。配管37b也可以与阀C-V1和过滤器52之间的配管=连接。也可以在配管37b上配置有阀C-V5。阀C-V4和阀C-V5也可以由气体精制控制部51进行控制。[0345]关于其他点，可以与参照图4进行了说明的第一实施方式的结构相同。或者，也可以在第二实施方式或第三实施方式中具有同样的配管37。[0346]6•2动作[0347]图22是示出第四实施方式的激光气体精制系统50f中的气体精制控制部51的处理的流程图。激光气体精制系统50f也可以通过气体精制控制部51的以下处理来进行气体的精制处理。_[0348]图22所示的处理中的S300〜S400的处理、S430的处理可以与参照图5进行了说明的处理相同。也可以代替图5的S410,进行图22中的以下的S410f的处理。[0349]在S410f中，气体精制控制部51不仅对激光气体精制系统50f内的气体进行排气，也可以使用从缓冲气体提供源B提供的新气体对激光气体精制系统50f内进行吹扫。关于其他点，可以与第一实施方式中的处理相同。或者，在第二或第三实施方式中，也可以进行对激光气体精制系统内进行吹扫的处理。关于S410f的处理的详细，参照图23在后面说明。[0350]图23是示出图22所示的S410f的处理的详细的流程图。气体精制控制部51也可以像以下那样对激光气体精制系统5〇f内的激光气体进行排气，然后进行吹扫。[0351]S411〜S413的处理、S415、S416以及S420的处理可以与参照图6进行了说明的处理相同。在第四实施方式中，也可以代替S414、S417、S418以及S419,而分别进行以下的S414f、S417f、S418f以及S419f的处理。[0352]在S414f中，气体精制控制部51也可以关闭阀C-V2并打开阀B-V2,除此之外，关闭阀C-V4和阀C-V5。然后，气体精制控制部也可以通过S415和S416来进行气体精制流路的排气。[0353]在S417f中，气体精制控制部51也可以对升压罐59的压力P3进行计测。接下来，在S418f中，气体精制控制部51也可以对所计测的压力P3的值与阈值Pmin进行比较。在所计测的压力P3的值为阈值Pmin以下的情况下，在S419f中也可以关闭阀EX-V3,结束气体精制流路的排气。另外，气体精制控制部51也可以与第一实施方式同样地对回收罐53的压力P2和升压罐59的压力P3这两者进行计测，并分别与阈值进行比较。[0354]在S419f中，气体精制控制部51还可以打开阀C-V4和阀C-V5。而且，在S420中，气体精制控制部51也可以停止排气栗76的驱动。由此，也可以使用从缓冲气体提供源B提供的新气体对气体精制流路内进行吹扫。[0355]接下来，在S421f中，气体精制控制部51也可以对升压罐59的压力P3进行计测。接下来，在S422f中，气体精制控制部51也可以对所计测的压力P3是否大致为大气压进行判定。在所计测的压力P3大致为大气压的情况下（S422f:“是”），在S423f中，气体精制控制部51也可以关闭阀C-V4和C-V5,结束气体精制流路的吹扫。另外，气体精制控制部51也可以对回收罐53的压力P2和升压罐59的压力P3这两者进行计测，并分别对是否大致为大气压进行判定。[0356]关于其他点，可以与第一实施方式相同。或者，在其他实施方式中，也可以是，能够在气体的排气之后进行吹扫。[0357]7.与多个激光装置连接的激光气体精制系统[0358]7.1结构[0359]图24概略性地示出本公开的第五实施方式的激光装置30a、3〇b以及激光气体精制系统50g的结构。在第五实施方式中，激光气体精制系统5〇g也可以与多个准分子激光装置连接。激光气体精制系统5〇g也可以减少从多个准分子激光装置排出的气体的杂质，并将减少了杂质后的精制气体提供给多个准分子激光装置。多个激光装置3〇a、3〇b各自的结构可以与第一〜第四实施方式中的准分子激光装置的结构相同。[0360]激光气体精制系统50g的配管24也可以在比过滤器52靠上游侧的位置分支成与多个准分子激光装置对应的多个配管24a和24b。也可以在多个配管24a和Mb上分别配置有阀C-V1。也可以通过阀C-VI的开闭来控制是否从多个激光装置30a、30b各自所包含的排气装置43向激光气体精制系统50g导入排出气体。[0361]将缓冲气体提供给准分子激光装置的配管27也可以分支成与多个准分子激光装置对应的多个配管27a和27b。也可以在多个配管27a和27b上分别配置有阀B-V1。也可以通过阀B-V1的开闭来控制是否向多个激光装置30a、30b各自所包含的气体提供装置似提供缓冲气体。[0362]将含氟气体提供给准分子激光装置的配管28也可以分支成与多个准分子激光装置对应的多个配管28a和28b。也可以在多个配管28a和28b上分别配置有阀F2-V1。也可以通过阀F2-V1的开闭来控制是否向多个激光装置30a、30b各自所包含的气体提供装置42提供含氟气体。[0363]气体精制控制部51也可以通过图24中点划线所示的信号线与多个激光装置30a、30b各自所包含的气体控制部47连接。[0364]关于其他点，可以与第一实施方式的结构相同。或者，在第二〜第四实施方式中，也可以是激光气体精制系统与多个激光装置连接。[0365]7.2动作[0366]多个激光装置30a、30b各自的动作可以与第一〜第四实施方式中的准分子激光装置的动作相同。[0367]激光气体精制系统50g也可以减少从多个激光装置30a、30b分别排出的排出气体的杂质，并将降低了杂质后的精制气体分别提供给多个激光装置30a、30b。关于其他点，激光气体精制系统50g的动作可以与第一〜第四实施方式中的激光气体精制系统的动作相同。[0368]激光气体精制系统50g可以同时接受从多个激光装置30a、30b排出的排出气体，也可以以不同的定时接受从多个激光装置30a、30b排出的排出气体。激光气体精制系统50g可以同时将缓冲气体提供给多个激光装置30a、30b，也可以以不同的定时将缓冲气体提供给多个激光装置30a、30b。[0369]激光气体精制系统50g在向一个激光装置3〇a提供新气体并向另一个激光装置30b提供精制气体的情况下，也可以不同时而以不同的定时提供这些气体。[0370]7.3作用[0371]根据第五实施方式，可以在激光气体精制系统50g中对从多个准分子激光装置排出的排出气体进行精制，并将精制气体提供给多个准分子激光装置。因此，可以降低惰性气体的消耗量，从而降低运转成本。另外，通过对多个准分子激光装置设置一个激光气体精制系统50g，能够降低设置空间和设备成本。而且，通过以规定的周期对激光气体精制系统50g的内部的气体进行排气，可以抑制未被激光气体精制系统50g去除干净的杂质类型蓄积。[0372]8.设为能够按激光变更提供气体的激光气体精制系统[0373]8.1结构[0374]图25概略性地示出本公开的弟六实施方式的激光装置30a、30b以及激光气体精制系统50g的结构。在第六实施方式中，除了将缓冲气体提供给准分子激光装置的配管27之外，也可以设置与缓冲气体提供源B连接的新气体专用配管38。新气体专用配管38也可以与调节器64和阀B-V2之间的配管26连接。[0375]新气体专用配管38也可以分支成与多个准分子激光装置对应的多个配管3%和38b。也可以在配管38a和3¾上分别配置有阀B-V3。配管38a和38b也可以分别与配管27a和27b连接。也可以在比配管38a和38b与配管27a和27b的连接位置靠上游侧的配管27a和27b上配置有阀C-V6。也可以在比配管38a和38b与配管27a和27b的连接位置靠下游侧的配管27a和27b上配置有阀B-V1。[0376]关于其他点，可以是与第五实施方式相同的结构。[0377]8.2动作[0378]配管27也可以通过激光气体精制系统50g对阀B-V2和阀C-V2的控制而选择性地提供新气体或精制气体。与此相对，也可以是，不管激光气体精制系统5〇g的控制如何，新气体专用配管38均能够提供新气体。[0379]在各个激光装置中，阀B-V3和阀C-V6也可以由气体控制部47进行控制。或者，阀B-V3和阀C-V6也可以通过来自未图示的工厂管理系统或曝光装置的控制信号而被控制。或者，阀B-V3和阀C-V6也可以通过操作员对未图示的输入装置进行操作而被控制。在一个激光装置中，也可以是，在阀B-V3关闭且阀C-V6打开时，从配管27向该激光装置提供激光气体精制系统50g所选择的精制气体或新气体。在另一个激光装置中，也可以是，在阀B-V3打开且阀C-V6关闭时，不管激光气体精制系统5〇g的控制如何，均从新气体专用配管38向该激光装置提供新气体。[0380]例如，可能有时想要对多个激光装置30a、30b中的一个激光装置确认激光性能。在这种情况下，也可以在该激光装置中打开阀B-V3并关闭阀C-V6。由此，排除了精制气体所包含的杂质影响激光的品质的可能性，从而可以对激光装置自身的性能进行评价。[0381]另外，例如，可能有时想要对多个激光装置30a、30b中的一个激光装置提高激光的品质。另外，例如，可能有时针对多个激光装置3〇a、30b中的一个激光装置，虽然寿命期间到来但还想要继续使用到定期维护日为止。在这种情况下，也可以在该激光装置中打开阀B-V3并关闭阀C-V6。[0382]在本公开中，也可以是，不仅像以上那样切换向各个激光装置的腔室10的气体提供，还能够在各个激光装置中选择是将来自腔室10的排气提供给激光气体精制系统5〇g还是排出到外部。[0383]例如，可能有时对多个激光装置3〇a、30b中的一个激光装置认为排出的气体中包含许多杂质。在这种情况下，也可以在该激光装置中关闭阀C-VI并打开阀EX-V2。[0384]图26是示出第六实施方式的激光装置3〇a或30b中的气体控制部47的处理的第一例的流程图。各个激光装置也可以通过气体控制部47的以下处理来进行气体的切换处理。[0385]图26所示的处理也可以以在参照图2进行了说明的S160的处理中判定为气体精制系统的准备0K的情况为前提。[0386]首先，在S182中，气体控制部47也可以读取腔室的射数Nch的值。腔室的射数Nch也可以是设置腔室10之后的射数。[0387]接下来，在S184中，气体控制部47也可以对腔室的射数Nch是否为阈值Nchmax2以上进行判定。阈值NChmax2也可以是可以评价为腔室的寿命的值。[0388]在腔室的射数Nch不为阈值Nchmax2以上的情况下（S184:“否”），在S18eb中，气体控制部47也可以打开阀C-V6并关闭阀B-V3。由此，在到腔室达到寿命为止的期间，也可以接受从激光气体精制系统50g提供的激光气体。[0389]在腔室的射数Nch为阈值Nchmax2以上的情况下（S184:“是”），在S186a中，气体控制部47也可以关闭阀C-V6并打开阀B-V3。因此，即使在达到可以评价为腔室的寿命那样的射数的情况下，在到激光控制部31中止激光的运转为止的期间，不管激光气体精制系统5你的控制如何均可以对该腔室提供新气体。[0390]也可以继续该控制直到激光控制部31中止激光的运转为止。[0391]在S186b和S186a中的任意一个中，只要排出的气体没有问题，可以使阀c—V1处于打开的状态，使阀EX-V2处于关闭的状态。[0392]图27是示出第六实施方式的激光装置3〇a或30b中的气体控制部47的处理的第二例的流程图。各个激光装置也可以通过气体控制部47的以下处理来进行气体的切换处理。[0393]图27所示的处理也可以以在参照图2进行了说明的S160的处理中判定为气体精制系统的准备0K的情况为前提。_[0394]首先，在S183中，气体控制部47也可以从激光控制部31接收激光参数的判定标志F。关于激光参数的判定标志F，参照图28在后面说明。[0395]接下来，在S185中，气体控制部打也可以对激光参数的判定标志F的值是否为1进行判定。在激光参数的判定标志F的值为1的情况下，也可以预想为从该激光装置的腔室排出的气体中杂质较多。[0396]在判定标志F的值不为1的情况下（S185:“否”），在S187b中，气体控制部47也可以打开阀C-V6并关闭阀B-V3。由此，也可以接受从激光气体精制系统5〇g提供的激光气体。[0397]并且，在S188b中，气体控制部47也可以打开阀C-V1并关闭阀EX-V2。由此，也可以将从该激光装置的腔室排出的气体提供给激光气体精制系统50§。[0398]在判定标志F的值为1的情况下（S1S5:“是”），在Sl87a中，气体控制部47也可以关闭阀C-V6并打开阀B-V3。由此，不管激光气体精制系统5〇g的控制如何均可以对该腔室提供新气体。[0399]并且，在S188a中，气体控制部47也可以关闭阀C-V1并打开阀EX-V2。由此，也可以不将从该激光装置的腔室排出的气体提供给激光气体精制系统5〇g而排出到外部。[0400]也可以继续该控制直到激光控制部31中止激光的运转为止。[0401]图28是示出第六实施方式中的气体控制部47的处理的第二例中的判定标志F的生成处理的流程图。激光控制部31也可以像以下那样进行判定标志的生成。[0402]S401〜S406的处理可以与参照图11进行了说明的处理相同。[0403]在S407a中，激光控制部31也可以对上述的参数是否分别为阈值以上进行判定。该判定与参照图11的S407进行了说明的判定大致相同，但阈值的设定可以与图11稍微不同。在S407a中，腔室的射数Nch的阈值也可以是Nchmax2。另外，风扇的运转时间Tcff的阈值也可以是Tcffmax2。另外，气体更换后的射数啦的阈值也可以是Ngmax2。各个阈值Nchmax2、Tcffmax2以及Ngmax2的值也可以是可以评价为腔室的寿命的值。[0404]在参数中的任意一个为阈值以上的情况下S407a:“是”），在S408a中，激光控制部31也可以将判定标志F设定为1。[0405]在参数均不为阈值以上的情况下（S407a:“否”），在S4〇8b中，激光控制部31也可以将判定标志F设定为0。[0406]在S408a或S408b之后，激光控制部31也可以将处理返回到S401而反复进行上述的处理。[0407]9.控制部的结构[0408]图29是示出控制部的概略结构的框图。[0409]上述的实施方式中的气体精制控制部51等控制部也可以由计算机或可编程控制器等通用的控制设备构成。例如，也可以如下那样构成。[0410]结构）[0411]控制部由处理部1000、与处理部1000连接的存储用存储器1005、用户接口1010、并行IO控制器1020、串行IO控制器1030、AD、DA转换器1040构成。另外，处理部1000也可以由CPU1001、与CPU1001连接的存储器1002、计时器1003、GPU1004构成。[0412]动作）[0413]处理部1000也可以读出存储在存储用存储器1005中的程序。另外，处理部1000也可以执行读出的程序、或者根据程序的执行从存储用存储器1005中读出数据、或者使存储用存储器1005存储数据。[0414]并行IO控制器1020也可以与能够经由并行IO端口进行通信的设备1021〜102x连接。并行IO控制器1020也可以对在处理部1000执行程序的过程中进行的经由并行IO端口的数字信号的通信进行控制。[0415]串行IO控制器1030也可以与能够经由串行IO端口进行通信的设备1031〜103x连接。串行IO控制器1030也可以对在处理部1000执行程序的过程中进行的经由串行IO端口的数字信号的通信进行控制。[0416]AD、DA转换器1040也可以与能够经由模拟端口进行通信的设备1041〜104x连接。AD、DA转换器1040也可以对在处理部1000执行程序的过程中进行的经由模拟端口的模拟信号的通信进行控制。[0417]用户接口1010也可以构成为：显示操作员通过处理部1000来执行程序的执行过程，或者供操作员使处理部1000进行程序执行的中止或中断处理。[0418]处理部1000的CPU1001也可以进行程序的运算处理。存储器1002也可以在CPU1〇〇1执行程序的过程中进行程序的暂时存储、运算过程中的数据的暂时存储。计时器1003也可以对时刻或经过时间进行计测，根据程序的执行将时刻或经过时间输出给CPU1001。GPU1004也可以在图像数据被输入给处理部1000时，根据程序的执行对图像数据进行处理，并将其结果输出给CPU1001。[0419]与并行IO控制器1020连接的能够经由并行IO端口进行通信的设备1021〜102x也可以是激光装置30、曝光装置100、其他控制部等。[0420]与串行IO控制器1030连接的能够经由串行IO端口进行通信的设备1031〜103x也可以是第一、第二质量流量控制器66、69等。[0421]与AD、DA转换器1040连接的能够经由模拟端口进行通信的设备1041〜104x也可以是压力传感器54、60等各种传感器。[0422]也可以是，通过以上那样构成，控制部能够实现各实施方式所示的动作。[0423]上述的说明仅意在进行例示而并非进行限制。因此，对于本领域技术人员来说，显然能够对本公开的实施方式施加变更而不会脱离附加的权利要求书。[0424]整个本说明书和附加的权利要求书中所使用的用语应该解释为“非限定性的”用语。例如，“包含，，或“所包含”这样的用语应该解释为“不限定于作为包含的内容而记载的内容，，。“具有，，这样的用语应该解释为“不限定于作为具有的内容而记载的内外，土说明书和附加的权利要求书中所记载的修饰短语“一个”应该解释为“至少一1或一1或一个以上”的意思。

权利要求：1.一种激光气体精制系统，其对从激光装置排出的激光气体进行精制，并使精制后的激光气体返回到所述激光装置，其中，该激光气体精制系统具有：第一配管，其导入从激光装置排出的激光气体；_精制装置，其与所述第一配管连接，对从所述激光装置排出的激光气体进行精制；第二配管，其与所述精制装置连接，使被所述精制装置精制后的激光气体返回到所述激光装置；以及排气装置，其设置在所述第一配管、所述精制装置以及所述第二配管中的至少一个上。2.根据权利要求1所述的激光气体精制系统，其中，该激光气体精制系统还具有气体精制控制部，该气体精制控制部根据所述激光气体的气体参数对所述排气装置进行控制，所述气体参数是通过所述精制装置后的激光气体的累计流量和所述精制装置的运转时间中的一个。3.根据权利要求1所述的激光气体精制系统，其中，该激光气体精制系统还具有气体精制控制部，该气体精制控制部根据所述激光装置的激光参数对所述排气装置进行控制，所述激光参数是所述激光装置的脉冲能量稳定性、所述激光装置的腔室的射数、风扇的运转时间、施加电压、气体更换后的射数、所述激光装置的腔室内的气压中的一个。4.根据权利要求1所述的激光气体精制系统，其中，该激光气体精制系统还具有：气瓶，其收纳激光气体；以及第三配管，其连接在包含所述第一配管、所述精制装置以及所述第二配管的气体精制流路与所述气瓶之间。5.根据权利要求4所述的激光气体精制系统，其中，该激光气体精制系统还具有：第一流量调节器，其配置在比所述气体精制流路与所述第三配管的连接部分靠所述气体精制流路的气体流的上游侧的位置;以及第二流量调节器，其配置在所述第三配管上。6.根据权利要求5所述的激光气体精制系统，其中，该激光气体精制系统还具有：第一罐，其配置在比所述第一流量调节器靠所述气体精制流路的气体流的上游侧的位置；以及第二罐，其配置在比所述气体精制流路与所述第三配管的连接部分靠所述气体精制流路的气体流的下游侧的位置。7.—种激光系统，其具有激光装置和激光气体精制系统，其中，所述激光气体精制系统具有：第一配管，其导入从所述激光装置排出的激光气体；精制装置，其与所述第一配管连接，对从所述激光装置排出的激光气体进行精制；第二配管，其与所述精制装置连接，被所述精制装置精制后的激光气体通过该第二配管；第三配管，其与收纳激光气体的气瓶连接；第一阀，其配置在所述第二配管上；第二阀，其配置在所述第三配管上；以及气体精制控制部，其对所述精制装置、所述第一阀以及第二阀进行控制，所述激光装置具有：腔室；气体提供管，其与所述第二配管和所述第三配管这两者连接，将被所述精制装置精制J后的激光气体或从所述气瓶提供的激光气体提供给所述腔室；第三阀，其配置在所述气体提供管上；以及气体控制部，其对所述第三阀进行控制。8.根据权利要求7所述的激光系统，其中，所述第一阀是常闭阀，所述第二阀是常开阀。9.一种激光系统，其具有：第一腔室和第二腔室；精制装置，其对从所述第一腔室或所述第二腔室排出的激光气体进行精制；第一配管，其与所述精制装置连接，所述精制装置所生成的精制气体通过该第一配管.第二配管，其与收纳激光气体的气瓶连接，收纳在所述气瓶中的激光气体通过该第^配管；^第一分支管，其连接在所述第一配管与所述第一腔室之间；第二分支管，其连接在所述第二配管与所述第一腔室之间；第三分支管，其连接在所述第一配管与所述第二腔室之间；第四分支管，其连接在所述第二配管与所述第二腔室之间；以及第一阀、第二阀、第三阀和第四阀，它们分别配置在所述第一分支管〜第四分支管上。10.根据权利要求9所述的激光系统，其中，所述第一配管经由第五阀与所述精制装置连接，所述第一配管还经由第六阀与所述气瓶连接，所述第一配管构成为，在所述第五阀关闭且所述第六阀打开时，收纳在所述气瓶中的激光气体通过该第一配管。11.根据权利要求9所述的激光系统，其中，该激光系统还具有激光控制部，该激光控制部构成为关闭配置在所述第一分支管上的所述第一阀和配置在所述第二分支管上的所述第二阀中的一方而打开另一方，且构成为关闭配置在所述第三分支管上的所述第三阀和配置在所述第四分支管上的所述第四阀中的一方而打开另一方。12.根据权利要求11所述的激光系统，其中，所述激光控制部构成为，根据所述第一腔室的激光参数对所述第一阀和所述第二阀进行控制，根据所述第二腔室的激光参数对所述第三阀和所述第四阀进行控制，所述激光参数是脉冲能量稳定性、腔室的射数、风扇的运转时间、施加电压、气体更换后的射数、腔室内的气压中的一个。

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