申请/专利权人：深圳TCL新技术有限公司

申请日：2018-08-01

公开（公告）日：2021-01-12

公开（公告）号：CN110797465B

主分类号：H01L51/50(20060101)

分类号：H01L51/50(20060101);H01L51/52(20060101);H01L51/56(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.01.12#授权;2020.03.10#实质审查的生效;2020.02.14#公开

摘要：本发明公开一种量子点发光二极管及制备方法、量子点液晶显示模组，方法包括步骤：在底座上安装发光芯片，在底座上覆盖发光芯片制备封装层，在封装层上安装支撑基板；在支撑基板上压印制备具有凹槽的混合阻隔层；凹槽的底部与支撑基板之间的部分由纳米透明隔热材料填充，凹槽的四周部分由纳米透明隔热材料与离子交换树脂的混合材料填充；在凹槽内制备量子点发光层；在混合阻隔层上制备单一阻隔层，所述单一阻隔层的材料为纳米透明隔热材料；在单一阻隔层上制备荧光层；在荧光层上安装透镜。量子点发光层被完全封装在LED中可免受水汽和热量侵害，且不直接向环境释放Pb2+；使得QLED具有高的色纯度和长的使用寿命且环保。

主权项：1.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：将发光芯片安装在底座上，接着在所述底座上覆盖所述发光芯片制备封装层，然后在所述封装层上安装支撑基板；将纳米透明隔热材料与离子交换树脂配置成混合溶液，在支撑基板上涂布混合溶液，涂布完成后使用模具进行压印，烘干，得到具有凹槽的混合阻隔层；其中，所述凹槽的底部与所述支撑基板之间的部分由纳米透明隔热材料填充，所述凹槽的四周部分由纳米透明隔热材料与离子交换树脂的混合材料填充；在凹槽内制备量子点发光层；在混合阻隔层上制备单一阻隔层，所述单一阻隔层的材料为纳米透明隔热材料；在单一阻隔层上制备荧光层；在荧光层上安装透镜；所述量子点发光层的材料为可激发出蓝光的钙钛矿量子点，所述荧光层的材料为可激发出红光和绿光的荧光粉；或者，所述量子点发光层的材料为可激发出绿光的钙钛矿量子点，所述荧光层的材料为可激发出红光和蓝光的荧光粉。

全文数据：

权利要求：

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