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【发明授权】槽栅MOSFET器件及其制造方法_北京中科新微特科技开发股份有限公司_202011129025.3 

申请/专利权人:北京中科新微特科技开发股份有限公司

申请日:2020-10-21

公开(公告)日:2021-01-12

公开(公告)号:CN112018188B

主分类号:H01L29/78(20060101)

分类号:H01L29/78(20060101);H01L23/552(20060101);H01L21/336(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2021.01.12#授权;2020.12.18#实质审查的生效;2020.12.01#公开

摘要:本申请提供了一种槽栅MOSFET器件及其制造方法,属于半导体技术领域,该槽栅MOSFET器件包括:依次层叠设置的衬底、外延层、阱区、源区、层间介质层和第一电极层;以及,沟槽栅,包括栅极沟槽、栅介质层和栅导电材料层,栅极沟槽一部分位于外延层内,一部分位于阱区内,栅介质层位于栅极沟槽的底部表面和侧面,栅导电材料层填充在栅极沟槽中;源接触孔,由层间介质层延伸至阱区形成,第一电极层通过源接触孔与源区和阱区相连,源接触孔包括相互连通的第一接触孔和第二接触孔,第一接触孔的孔径大于第二接触孔的孔径,第一接触孔靠近第一电极层分布。本申请改善了器件抗单粒子烧毁能力。

主权项:1.一种槽栅MOSFET器件,其特征在于,包括依次层叠设置的衬底(1)、外延层(2)、阱区(3)、源区(4)、层间介质层(5)和第一电极层(6);以及,沟槽栅(7),包括栅极沟槽(70)、栅介质层(71)和栅导电材料层(72),所述栅极沟槽(70)一部分位于所述外延层(2)内,一部分位于所述阱区(3)内,所述栅介质层(71)位于所述栅极沟槽(70)的底部表面和侧面,所述栅导电材料层(72)填充在所述栅极沟槽(70)中;源接触孔(8),由所述层间介质层(5)延伸至阱区(3)形成,所述第一电极层(6)通过所述源接触孔(8)与源区(4)和所述阱区(3)相连,所述源接触孔(8)包括相互连通的第一接触孔(81)和第二接触孔(82),所述第一接触孔(81)的孔径大于所述第二接触孔(82)的孔径,所述第一接触孔(81)靠近所述第一电极层(6)分布;所述第一接触孔(81)和第二接触孔(82)的结构形成阶梯形结构,且所述阶梯沿所述第二接触孔(82)向所述第一接触孔(81)的方向延伸。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 北京中科新微特科技开发股份有限公司 槽栅MOSFET器件及其制造方法

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