申请/专利权人:佛山市国星半导体技术有限公司
申请日:2020-05-22
公开(公告)日:2021-01-12
公开(公告)号:CN212342653U
主分类号:H01L33/44(20100101)
分类号:H01L33/44(20100101);H01L33/00(20100101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2021.01.12#授权
摘要:本实用新型公开了一种紫外LED芯片外延结构,其包括:衬底;设于所述衬底上的外延层;所述外延层包括依次设于衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层;设于所述第二半导体层上的折射层;设于所述折射层上的电流扩展层;所述折射层的折射率小于所述第二半导体层的折射率。本实用新型还公开了应用上述外延结构的LED芯片。实施本实用新型,可有效降低紫外LED芯片的全反射效应,提升光效。
主权项:1.一种紫外LED芯片外延结构,其特征在于,包括:衬底;外延结构本体;其包括依次设于衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层;设于所述第二半导体层上的折射层;设于所述折射层上的电流扩展层;所述折射层的折射率小于所述第二半导体层的折射率。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 佛山市国星半导体技术有限公司 一种紫外LED芯片外延结构及芯片
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