申请/专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

申请日：2019-07-15

公开（公告）日：2021-01-15

公开（公告）号：CN112234133A

主分类号：H01L33/54(20100101)

分类号：H01L33/54(20100101);H01L33/64(20100101);H01L33/48(20100101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.02.02#实质审查的生效;2021.01.15#公开

摘要：本发明公开了一种高压倒装LED光源，其包括导热基板和高压倒装LED芯片，所述芯片的第一表面具有电极，第二表面为出光面，所述第一表面与第二表面相背对设置，所述导热基板表面形成有至少一凸台，其中至少一所述芯片的第一表面通过导热绝缘连接胶与一所述凸台的顶端面连接。所述芯片包括电极区与发光区，所述电极区与发光区间隔设置。本发明的高压倒装LED光源中，所述芯片可以与基板无缝结合，且可避免出现连接胶溢流到导电电极处的问题，从而既可保障电学连接的有效性，亦可增强LED倒装芯片的散热均匀性，同时采用的LED芯片为单片集成大功率高压倒装LED芯片，具有稳定性好、抗失效率高、面积利用率高等特点。

主权项：1.一种高压倒装LED光源，其特征在于包括导热基板和高压倒装LED芯片，所述LED芯片的第一表面具有电极，第二表面为出光面，所述第一表面与第二表面相背对设置，所述导热基板表面形成有至少一凸台，其中至少一所述LED芯片的第一表面通过导热绝缘连接胶与一所述凸台的顶端面连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 高压倒装LED光源

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD