申请/专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司

申请日：2020-10-20

公开（公告）日：2021-01-15

公开（公告）号：CN112234128A

主分类号：H01L33/44(20100101)

分类号：H01L33/44(20100101);H01L33/36(20100101);H01L33/00(20100101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.02.02#实质审查的生效;2021.01.15#公开

摘要：本发明公开了一种耐基板翘曲的倒装LED芯片，其包括应力缓冲层、衬底、发光结构、一次电极结构、钝化层和二次电极结构；发光结构设于衬底的正面，一次电极结构设于发光结构上，钝化层设于一次电极结构上，二次电极结构设于钝化层上；二次电极结构贯穿钝化层与一次电极结构连接；应力缓冲层设于衬底的背面。实施本发明，应力缓冲层可提供与封装应力方向相反的应力，有效降低封装翘曲，使得封装基板平整度高，焊接良率提升，从而提升了倒装LED芯片的整体良率。

主权项：1.一种耐基板翘曲的倒装LED芯片，其特征在于，包括应力缓冲层、衬底、发光结构、一次电极结构、钝化层和二次电极结构；所述发光结构设于所述衬底的正面，所述一次电极结构设于所述发光结构上，所述钝化层设于所述一次电极结构上，所述二次电极结构设于所述钝化层上；所述二次电极结构贯穿所述钝化层与所述一次电极结构连接；所述应力缓冲层设于所述衬底的背面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 佛山市国星半导体技术有限公司 一种耐基板翘曲的倒装LED芯片及其制备方法

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