申请/专利权人：杭州士兰明芯科技有限公司

申请日：2020-05-12

公开（公告）日：2021-01-15

公开（公告）号：CN212365983U

主分类号：H01L33/48(20100101)

分类号：H01L33/48(20100101);H01L33/62(20100101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.01.15#授权

摘要：本实用新型实施例公开了一种倒装发光二极管芯片，包括：衬底层，位于所述倒装发光二极管芯片的底部；半导体层，位于所述衬底层的上方；扩展电极，位于所述半导体层的上方，并与所述半导体层电连接；以及反射绝缘层，位于所述扩展电极的上方，其中，所述扩展电极包括扩展电极弯折区。本实用新型实施例提供的倒装发光二极管芯片，有效避免了封装时顶针对扩展电极造成破坏，提高了倒装发光二极管芯片的封装可靠性。

主权项：1.一种倒装发光二极管芯片，其特征在于，包括：衬底层，位于所述倒装发光二极管芯片的底部；半导体层，位于所述衬底层的上方；电流扩展层，位于所述半导体层的上方；扩展电极，位于所述半导体层的上方，并与所述半导体层电连接；以及反射绝缘层，位于所述扩展电极的上方，其中，所述扩展电极包括扩展电极弯折区。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 杭州士兰明芯科技有限公司 一种倒装发光二极管芯片

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