申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2019-09-27

公开（公告）日：2021-01-19

公开（公告）号：CN112242369A

主分类号：H01L23/485(20060101)

分类号：H01L23/485(20060101);H01L25/16(20060101);H01L21/60(20060101)

优先权：["20190718 US 16/515,288"]

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的视为撤回

法律状态：2022.12.27#发明专利申请公布后的视为撤回;2021.01.19#公开

摘要：一种封装体包括：第一层模制材料；第一金属化层，位于第一层模制材料上；第二层模制材料，位于第一金属化层及第一层模制材料上；第二金属化层，位于第二层模制材料上；穿孔，位于第二层模制材料内，穿孔从第一金属化层延伸到第二金属化层；集成无源器件，位于第二层模制材料内；重布线结构，以电性方式位于第二金属化层及第二层模制材料上，重布线结构连接到穿孔及集成无源器件；以及至少一个半导体器件，位于重布线结构上，所述至少一个半导体器件连接到重布线结构。

主权项：1.一种封装体，包括：第一层模制材料；第一金属化层，位于所述第一层模制材料上；第二层模制材料，位于所述第一金属化层及所述第一层模制材料上；第二金属化层，位于所述第二层模制材料上；多个穿孔，位于所述第二层模制材料内，所述多个穿孔从所述第一金属化层延伸到所述第二金属化层；多个集成无源器件，位于所述第二层模制材料内；重布线结构，以电性方式位于所述第二金属化层及所述第二层模制材料上，所述重布线结构连接到所述多个穿孔及所述多个集成无源器件；以及至少一个半导体器件，位于所述重布线结构上，所述至少一个半导体器件连接到所述重布线结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 封装体

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