申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2019-09-26

公开（公告）日：2021-01-19

公开（公告）号：CN112242383A

主分类号：H01L25/065(20060101)

分类号：H01L25/065(20060101);H01L23/48(20060101);H01L23/485(20060101);H01L23/50(20060101);H01L23/538(20060101);H01L23/31(20060101)

优先权：["20190717 US 16/515,012"]

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的视为撤回

法律状态：2022.12.27#发明专利申请公布后的视为撤回;2021.01.19#公开

摘要：一种芯片结构包括第一半导体芯片及第二半导体芯片。所述第一半导体芯片包括第一半导体衬底、第一内连层、第一保护层、间隙填充层及第一导通孔，第一内连层位于第一半导体衬底上，第一保护层覆盖第一内连层，间隙填充层位于第一保护层上，第一导通孔嵌置在间隙填充层中且与第一内连层电连接。所述第二半导体芯片嵌置在第一半导体芯片内且被间隙填充层及第一导通孔环绕，其中第二半导体芯片包括第二半导体衬底、第二内连层、第二保护层及第二导通孔，第二内连层位于第二半导体衬底上，第二保护层位于第二内连层上，第二导通孔嵌置在第二保护层中且与第二内连层电连接，其中第二半导体衬底结合到第一保护层。

主权项：1.一种芯片结构，包括：第一半导体芯片，包括第一半导体衬底、第一内连层、第一保护层、间隙填充层及多个第一导通孔，所述第一内连层位于所述第一半导体衬底上，所述第一保护层覆盖所述第一内连层，所述间隙填充层位于所述第一保护层上，所述多个第一导通孔嵌置在所述间隙填充层中且与所述第一内连层电连接；第二半导体芯片，嵌置在所述第一半导体芯片内且被所述间隙填充层及所述多个第一导通孔环绕，其中所述第二半导体芯片包括第二半导体衬底、第二内连层、第二保护层及多个第二导通孔，所述第二内连层位于所述第二半导体衬底上，所述第二保护层位于所述第二内连层上，所述多个第二导通孔嵌置在所述第二保护层中且与所述第二内连层电连接，其中所述第二半导体衬底结合到所述第一保护层；以及重布线层，位于所述第一半导体芯片的所述间隙填充层之上，其中所述重布线层电连接到所述多个第一导通孔及所述多个第二导通孔。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 芯片结构

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