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【发明公布】电容性光学调制器_意法半导体(克洛尔2)公司_202010690531.3 

申请/专利权人:意法半导体(克洛尔2)公司

申请日:2020-07-17

公开(公告)日:2021-01-19

公开(公告)号:CN112241076A

主分类号:G02F1/025(20060101)

分类号:G02F1/025(20060101)

优先权:["20190719 FR 1908189"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2021.02.05#实质审查的生效;2021.01.19#公开

摘要:本申请的各实施例涉及电容性光学调制器。一种电容性电光调制器,包括硅层、覆盖硅层的锗条带或硅锗条带以及覆盖锗条带或硅锗条带的硅条带。硅条带比锗条带或硅锗条带宽。绝缘体在横向上与锗条带或硅锗条带和硅条带相邻,并且具有与硅条带的上表面齐平的上表面。绝缘层覆盖绝缘体和硅条带。III‑V族材料的层覆盖绝缘层。III‑V族材料的层形成为第三条带,该第三条带面对硅条带布置并且通过绝缘层的一部分与硅条带分离。

主权项:1.一种方法,包括:在第一硅层中蚀刻腔,所述腔具有侧壁和底板;在所述腔中外延生长锗层或硅锗层,所述锗层或硅锗层从所述腔的所述底板生长;在所述腔中外延生长第二硅层,所述第二硅层从所述锗层或硅锗层生长以填充所述腔;将所述第二硅层和所述锗层或硅锗层蚀刻到所述腔的所述底板,以在所述第二硅层中限定第一条带,并且在所述锗层或硅锗层中限定第二条带,所述第一条带在所述第二条带上,并且所述第一条带具有与所述第二条带相同的宽度;选择性地蚀刻所述第二条带的一部分以减小所述第二条带的宽度,使得所述第一条带的宽度大于所述第二条带的宽度;利用绝缘体填充布置在所述第一条带和所述第二条带的任一侧上的腔部分;沉积绝缘层;以及通过分子键合将III-V族材料的层键合到所述绝缘层。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 意法半导体(克洛尔2)公司 电容性光学调制器

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