申请/专利权人：朗姆研究公司

申请日：2018-02-13

公开（公告）日：2021-01-19

公开（公告）号：CN112242345A

主分类号：H01L21/764(20060101)

分类号：H01L21/764(20060101);H01L21/3065(20060101)

优先权：["20170213 US 62/458,464"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.02.05#实质审查的生效;2021.01.19#公开

摘要：本发明涉及创建气隙的方法。氧化锡膜用于在半导体衬底处理期间产生气隙。可以使用在含H2工艺气体中形成的等离子体来选择性地蚀刻设置在诸如SiO2和SiN之类的暴露的其他材料层之间的氧化锡膜。蚀刻在周围材料之间产生凹陷特征来代替氧化锡。诸如SiO2之类的第三材料沉积在所得到的凹陷特征上而不完全填充凹陷特征，从而形成气隙。在一些实施方式中，在SiO2、SiC、SiN、SiOC、SiNO、SiCNO或SiCN的存在下选择性地蚀刻氧化锡的方法包括使衬底与在包含至少约50％H2的工艺气体中形成的等离子体接触。氧化锡的蚀刻可以在衬底上不使用外部偏置的情况下进行，并且优选在低于约100℃的温度下进行。

主权项：1.一种处理半导体衬底的方法，所述方法包括：a将所述半导体衬底顺序地暴露于含锡前体和含氧前体，以沉积SnO2并形成具有暴露的SnO2层的半导体衬底；b在低于约100℃的温度下蚀刻所述SnO2层，其中所述蚀刻包括将所述半导体衬底暴露于在包含至少约50％的H2的工艺气体中形成的等离子体。

全文数据：

权利要求：

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