申请/专利权人：厦门乾照光电股份有限公司

申请日：2020-10-20

公开（公告）日：2021-01-19

公开（公告）号：CN112242467A

主分类号：H01L33/38(20100101)

分类号：H01L33/38(20100101);H01L33/40(20100101);H01L33/46(20100101);H01L33/00(20100101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2022.09.23#发明专利申请公布后的驳回;2021.02.05#实质审查的生效;2021.01.19#公开

摘要：本申请实施例提供了一种LED芯片的制作方法，该方法包括：在衬底表面形成外延结构；在外延结构背离衬底一侧形成光刻胶掩膜层，光刻胶掩膜层具有至少一个通孔，通孔在衬底上的投影面积沿第一方向逐渐减小；以光刻胶掩膜层为掩膜，依次在通孔内形成金属反射层、覆盖金属反射层的金属阻挡层以及覆盖述金属阻挡层的金属导电层，以形成所述LED芯片的电极结构；其中，所述第一方向由所述衬底指向所述外延结构；所述金属阻挡层形成时的工艺温度大于所述金属反射层形成时的工艺温度，从而在提高LED芯片的发光效率，降低LED芯片的电极结构电阻率的基础上，提高金属阻挡层对金属反射层的披覆性。

主权项：1.一种LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：在衬底表面形成外延结构，所述外延结构包括层叠的N型半导体层、有源层和P型半导体层；在所述外延结构背离所述衬底一侧形成光刻胶掩膜层，所述光刻胶掩膜层具有至少一个通孔，所述通孔在所述衬底上的投影面积沿第一方向逐渐减小；以所述光刻胶掩膜层为掩膜，依次在所述通孔内形成金属反射层、覆盖所述金属反射层的金属阻挡层以及覆盖所述金属阻挡层的金属导电层，以形成所述LED芯片的电极结构；其中，所述第一方向由所述衬底指向所述外延结构；所述金属阻挡层形成时的工艺温度大于所述金属反射层形成时的工艺温度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 厦门乾照光电股份有限公司 一种LED芯片的制作方法

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